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CVD金刚石纳秒激光烧蚀机理及抛光试验研究(内封面文章·特邀)
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作者 张全利 许柏昕 +3 位作者 李嘉昊 刘建 吴明涛 傅玉灿 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第10期71-83,共13页
通过有限元仿真研究了激光入射角度对纳秒激光烧蚀CVD金刚石的表面创成过程影响,并结合纳秒激光烧蚀CVD金刚石的试验,探究了激光功率、激光入射倾角与光斑重叠率等参数对CVD金刚石表面形貌及表面粗糙度的影响,分析了表面损伤的形成机理... 通过有限元仿真研究了激光入射角度对纳秒激光烧蚀CVD金刚石的表面创成过程影响,并结合纳秒激光烧蚀CVD金刚石的试验,探究了激光功率、激光入射倾角与光斑重叠率等参数对CVD金刚石表面形貌及表面粗糙度的影响,分析了表面损伤的形成机理。在一定激光功率下,激光入射倾角增大会明显减轻加工表面的陷光效应,从而获得更加均匀的表面形貌。激光烧蚀CVD金刚石表面以沟槽、裂纹等为主要表面损伤特征,通过优化激光加工参数抑制了材料的表面损伤,降低了材料的表面粗糙度数值,实现了基于纳秒激光入射角度和扫描轨迹控制的CVD金刚石均匀抛光去除。 展开更多
关键词 纳秒激光烧蚀 表面粗糙度 激光抛光 CVD金刚石
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金刚石基材料及其表面微通道制备技术在高效散热中的应用
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作者 邓世博 夏永琪 +2 位作者 吴明涛 岳晓斌 雷大江 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期286-296,共11页
随着第三代半导体材料的兴起,电子器件逐渐向着高功率、小型化、集成化方向发展。传统散热技术已难以满足第三代半导体器件高热流的散热要求,由此带来的温度堆积问题成为器件失效的主要原因。金刚石基材料具有优异的散热性能,基于此材... 随着第三代半导体材料的兴起,电子器件逐渐向着高功率、小型化、集成化方向发展。传统散热技术已难以满足第三代半导体器件高热流的散热要求,由此带来的温度堆积问题成为器件失效的主要原因。金刚石基材料具有优异的散热性能,基于此材料的高效散热技术有望解决高热流散热难题。总结了金刚石基材料的发展及其表面微通道制备的主要方法,综述了金刚石基材料在高效散热领域中的应用和未来的发展方向。金刚石基材料高效散热技术的发展及应用能够为高热流密度散热难题的解决提供技术支撑。 展开更多
关键词 金刚石 微通道 加工 高效散热
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高陡度曲面光学元件的虚拟轴磁流变抛光
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作者 付志伟 周涛 +4 位作者 张桂梅 谢炳贤 苏星 黄文 海阔 《光学精密工程》 北大核心 2025年第5期751-762,共12页
为了克服传统抛光轮上置式磁流变抛光机床在加工高陡度曲面光学元件时的工艺限制,并解决现有虚拟轴技术仅适用于小角度范围的局限性,提出了一种抛光轮下置固定式机械轴与虚拟轴复合联动抛光技术。基于抛光轮下置式磁流变抛光机床的结构... 为了克服传统抛光轮上置式磁流变抛光机床在加工高陡度曲面光学元件时的工艺限制,并解决现有虚拟轴技术仅适用于小角度范围的局限性,提出了一种抛光轮下置固定式机械轴与虚拟轴复合联动抛光技术。基于抛光轮下置式磁流变抛光机床的结构特点,采用Denavit-Hartenberg(DH)法建立了机床机械轴与虚拟轴复合联动抛光的后置处理模型,并通过几何法进行了理论验证。通过虚拟轴凹球面采斑实验和均抛一块口径为150 mm、曲率半径为150 mm的熔石英凹球面,验证了后置处理模型的准确性。最后,对一块口径为170 mm、曲率半径为158 mm、最大法向角为32.54°的熔石英凹球面进行抛光修形。实验结果表明,修形后裁边5 mm的工件面形PV值收敛至0.04λ,RMS值收敛至0.005λ。所提出的机械轴与虚拟轴复合联动抛光模型具有较高的准确性,且能够有效提高高精度、高陡度曲面光学元件的加工能力,为磁流变抛光技术在高陡度复杂曲面光学元件加工中的应用提供了重要参考。 展开更多
关键词 磁流变抛光 高陡度曲面 虚拟轴 下置式 后置处理
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基于有限差分法的内反馈液体静压导轨油膜刚度仿真分析
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作者 肖晓萍 刘聪 +2 位作者 陈刚利 李自胜 郑越青 《中国工程机械学报》 北大核心 2025年第1期1-5,共5页
为了进一步研究内反馈节流对液体静压导轨油膜刚度的影响,设计了一种内反馈液体静压导轨。首先,基于有限差分法(FDM)对其静态雷诺控制方程进行了离散推导和数值求解;其次,通过ANSYS Fluent有限元仿真分析验证了算法的准确性;最后,研究... 为了进一步研究内反馈节流对液体静压导轨油膜刚度的影响,设计了一种内反馈液体静压导轨。首先,基于有限差分法(FDM)对其静态雷诺控制方程进行了离散推导和数值求解;其次,通过ANSYS Fluent有限元仿真分析验证了算法的准确性;最后,研究了内反馈节流器各个结构参数对导轨油膜刚度的影响。研究表明:内反馈液体静压导轨的油膜刚度或角刚度会随着溜板偏心距或转角的增大而减小;随着节流边长l_(1)、节流边宽b_(1)的增大,导轨油膜的刚度、角刚度均会呈现先增大后减小的趋势,而油膜刚度、角刚度与节流封边宽b_(2)的变化呈正相关。本文研究结果对后续内反馈静压导轨的设计及承载特性提升的研究,提供了有价值的理论基础。 展开更多
关键词 液体静压导轨 内反馈节流 有限差分法 油膜刚度
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基于光谱共焦原理的五轴数控机床工件在位测量系统 被引量:1
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作者 贺帅宇 周涛 +2 位作者 金玲兴 荣佑民 刘秀峰 《仪器仪表学报》 北大核心 2025年第1期75-82,共8页
精密光学元件目前广泛应用于天文观测、空间对地观察、投影光刻物镜等诸多重要的领域,其具有高表面质量、高面形精度、低表面损伤等特点。光学元件精加工的最后一道工序一般为抛光,光学元件进行抛光加工时,需要经历“测量-加工”的反复... 精密光学元件目前广泛应用于天文观测、空间对地观察、投影光刻物镜等诸多重要的领域,其具有高表面质量、高面形精度、低表面损伤等特点。光学元件精加工的最后一道工序一般为抛光,光学元件进行抛光加工时,需要经历“测量-加工”的反复迭代过程以实现纳米级面型精度和亚纳米级表面粗糙度。因此,数控抛光加工时在对工件待加工表面面型离线测量后,需要在机床上对工件进行二次安装及找正,对工件位姿进行精确定位以保证后续的加工精度,而传统的接触式找正或定位方法存在效率低下、易划伤工件表面等问题。为此,基于光谱共焦传感器构建了立式五轴机床非接触式在位测量系统,建立了该测量系统获取工件表面坐标数据的数学模型及光谱共焦传感器在机床上标定的数学模型,利用球面约束方程提出了基于标准球的补偿标定的方法,并在磁流变抛光机床上开展了实际的标定实验,验证了标定方案的可行性和精确性。最后进行工件位姿测量实验,通过雷尼绍三坐标接触式在位测量系统对光谱共焦非接触式在位测量系统的工件位姿测量精度进行了验证。实验结果表明本文所提出的光谱共焦非接触式在位测量系统测量标准球的直径误差<6μm,工件定位误差<10μm,能够满足磁流变抛光实际的定位要求。 展开更多
关键词 光谱共焦传感器 标定 在位测量 工件定位
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薄壳元件的磁控磁流变弹性体均匀抛光
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作者 薛勃 朱力军 +5 位作者 苏星 陈立 周涛 张建飞 海阔 黄文 《光学精密工程》 北大核心 2025年第3期402-415,共14页
为实现薄壳元件内表面的高质量超精密抛光,基于磁控磁流变弹性体(Magnetorheological Elastomer, MRE)抛光原理提出了一种均匀抛光方法。该方法通过在薄壳元件外表面施加磁场,精确控制MRE对内表面的压力,从而实现内表面均匀抛光。利用CO... 为实现薄壳元件内表面的高质量超精密抛光,基于磁控磁流变弹性体(Magnetorheological Elastomer, MRE)抛光原理提出了一种均匀抛光方法。该方法通过在薄壳元件外表面施加磁场,精确控制MRE对内表面的压力,从而实现内表面均匀抛光。利用COMSOL Multiphysics软件对MRE进行磁-弹性耦合数值模拟,确定元件表面的抛光压力及其分布,获得抛光区域的速度分布,并基于Preston方程构建抛光去除函数模型。随后对该模型进行离散化采样,推导材料去除量向量,并采用非负最小二乘法计算抛光区域各点的驻留时间。最后,在磁场强度为0.32 T的条件下,使用磁控MRE抛光装置对尺寸为60 mm×60 mm×1 mm的熔石英玻璃工件进行了78 min的抛光实验。实验结果表明,通过控制抛光区域各驻留点的时间,磁控区域的表面材料平均去除深度为84.4 nm,去除深度波动范围为10.9%,实现了表面均匀抛光。由此证明了该方法实现薄壳元件内表面均匀抛光的有效性。 展开更多
关键词 超精密加工 均匀抛光 薄壳元件 磁流变弹性体 去除深度 磁场
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基于无模型自适应算法的磁流变液水分控制 被引量:1
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作者 肖晓萍 李良伟 +5 位作者 张建飞 李自胜 陈立 周涛 苏星 蔡丽生 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1496-1510,共15页
磁流变抛光是一种去除效率稳定、无亚表面损伤的超精密加工工艺,然而,在抛光过程中,磁流变液的水分损失会改变抛光工具的特性,从而影响去除函数的稳定性。现有的水分控制策略受到磁流变液循环系统大时延、时变扰动的影响,导致水分含量... 磁流变抛光是一种去除效率稳定、无亚表面损伤的超精密加工工艺,然而,在抛光过程中,磁流变液的水分损失会改变抛光工具的特性,从而影响去除函数的稳定性。现有的水分控制策略受到磁流变液循环系统大时延、时变扰动的影响,导致水分含量存在周期性波动,使去除函数发生周期时变,进而影响加工质量与精度。本研究建立了磁流变液循环系统的传递函数模型,开展了系统特性分析,并据此设计了基于全格式动态线性化的无模型自适应控制算法,该算法能够实现非线性系统的参数自适应控制,有效抑制因时变扰动和时延引起的水分波动,为抛光过程中水分含量的稳定控制提供了一种简单有效、适用性强的控制策略。实验结果显示,采用FFDL-MFAC控制算法时,磁流变液水分波动的峰谷值(Peak-valley Value,PV)仅为0.06%,相较于使用PID减少了40%,误差绝对值的积分(Integral value of Absolute Er‐ror,IAE)减少了58.1%。有效提升了抛光过程中磁流变液水分含量的稳定性。 展开更多
关键词 磁流变抛光 水分含量控制 系统建模 参数辨识 无模型自适应
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