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Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光
被引量：
3
1
作者
陈青云
段满益
+6 位作者
周海平
董成军
魏屹
纪红萱
黄劲松
陈卫东
徐明
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期363-370,共8页
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分...
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。
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关键词
Si/SiNx/SiO2多层膜
红外吸收
光致发光
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职称材料
题名
Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光
被引量：
3
1
作者
陈青云
段满益
周海平
董成军
魏屹
纪红萱
黄劲松
陈卫东
徐明
机构
四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所低维结构物理实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期363-370,共8页
基金
四川省青年科技基金(08JJ0025)
教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2007]1108)
四川师范大学学生科研创新基金资助项目
文摘
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。
关键词
Si/SiNx/SiO2多层膜
红外吸收
光致发光
Keywords
Si/SiNx/SiO2 multilayers
Fourier transform infrared absorption
photoluminescence
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光
陈青云
段满益
周海平
董成军
魏屹
纪红萱
黄劲松
陈卫东
徐明
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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