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多晶硅薄膜太阳电池厚度和晶粒尺寸对其性能的影响
被引量：
19
1
作者
廖华
林理彬
+1 位作者
刘祖明
陈庭金
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期264-268,共5页
利用PC1D计算了结构为n+ / p和n+ / p p+ 多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Voc,Jsc和 η的影响。计算结果表明 :对无陷光结构的多晶硅薄膜太阳电池 ,要获得 10 %的效率 ,薄膜厚度至少应大于 2 2 μm ;晶粒尺寸大于薄膜厚度...
利用PC1D计算了结构为n+ / p和n+ / p p+ 多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Voc,Jsc和 η的影响。计算结果表明 :对无陷光结构的多晶硅薄膜太阳电池 ,要获得 10 %的效率 ,薄膜厚度至少应大于 2 2 μm ;晶粒尺寸大于薄膜厚度的 4倍时 ,晶界复合对载流子寿命的影响可以忽略 ;同时表明 :太阳电池的背表面场 (BSF)
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关键词
多晶硅薄膜
晶粒尺寸
厚度
太阳电池
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职称材料
高压低温制备硅材料的性能研究
被引量：
1
2
作者
廖华
林理彬
+2 位作者
刘强
刘祖明
陈庭金
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期170-172,共3页
研究了用高压低温法制备的硅材料的性能。进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件。用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率和硬度进行了测量。结果表明:用高压低温方法...
研究了用高压低温法制备的硅材料的性能。进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件。用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率和硬度进行了测量。结果表明:用高压低温方法可以制备出无氧化相存在的陶瓷硅材料,其最佳的烧结温度为600℃;样品具有较好的机械强度和硬度,获得了适于制备多晶硅薄膜的衬底材料。
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关键词
陶瓷硅材料
性能
高压
低温
制备
半导体材料
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职称材料
题名
多晶硅薄膜太阳电池厚度和晶粒尺寸对其性能的影响
被引量：
19
1
作者
廖华
林理彬
刘祖明
陈庭金
机构
四川大学物理系辐射物理及技术国家教育部重点实验室
云南师范
大学
太阳能研究所
云南师范
大学
太阳能研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期264-268,共5页
基金
云南省省院省校合作资助项目 ( 99YSJ0 1)
文摘
利用PC1D计算了结构为n+ / p和n+ / p p+ 多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Voc,Jsc和 η的影响。计算结果表明 :对无陷光结构的多晶硅薄膜太阳电池 ,要获得 10 %的效率 ,薄膜厚度至少应大于 2 2 μm ;晶粒尺寸大于薄膜厚度的 4倍时 ,晶界复合对载流子寿命的影响可以忽略 ;同时表明 :太阳电池的背表面场 (BSF)
关键词
多晶硅薄膜
晶粒尺寸
厚度
太阳电池
Keywords
polycrystalline silicon thin film
grain size
thickness
solar cells
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
高压低温制备硅材料的性能研究
被引量：
1
2
作者
廖华
林理彬
刘强
刘祖明
陈庭金
机构
四川大学物理系辐射物理及技术国家教育部重点实验室
云南师范
大学
太阳能研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期170-172,共3页
基金
云南省省院省校合作资助项目(99YSJ01)
文摘
研究了用高压低温法制备的硅材料的性能。进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件。用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率和硬度进行了测量。结果表明:用高压低温方法可以制备出无氧化相存在的陶瓷硅材料,其最佳的烧结温度为600℃;样品具有较好的机械强度和硬度,获得了适于制备多晶硅薄膜的衬底材料。
关键词
陶瓷硅材料
性能
高压
低温
制备
半导体材料
Keywords
ceramic silicon materials
performance
high pressure
low temperature
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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1
多晶硅薄膜太阳电池厚度和晶粒尺寸对其性能的影响
廖华
林理彬
刘祖明
陈庭金
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
19
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职称材料
2
高压低温制备硅材料的性能研究
廖华
林理彬
刘强
刘祖明
陈庭金
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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