期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性
被引量：
3
1
作者
陈燕
邓爱红
+3 位作者
汤宝
王国伟
徐应强
牛智川
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期298-301,共4页
分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb...
分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.
展开更多
关键词
原子力显微镜
正电子湮没
X射线衍射
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性
被引量：
3
1
作者
陈燕
邓爱红
汤宝
王国伟
徐应强
牛智川
机构
四川大学物理科学与技术学院物理系
绵阳师范
学院
物理
系
中国
科学
院半导体研究所超晶格国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期298-301,共4页
基金
国家自然科学基金(Y112071000)
973项目(2010CB327601)~~
文摘
分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.
关键词
原子力显微镜
正电子湮没
X射线衍射
Keywords
atomic force microscopy （AFM）
positron annihilation
X-ray diffraction
分类号
O474 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性
陈燕
邓爱红
汤宝
王国伟
徐应强
牛智川
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
