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中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1: 1; 作者王靳君田野 +3 位作者石瑞英龚敏温景超巫晓燕《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2763-2766,共4页; 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管... 展开更多; 关键词 NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照扩散电容势垒电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响: 2; 作者田野石瑞英 +3 位作者龚敏何志刚蔡娟露温景超《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期362-365,401,共5页; 研究了GaAs HBT高能电子(～1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电... 展开更多; 关键词电子辐照砷化镓异质结双极型晶体管残余电压集电极饱和电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

高线性度低频压控振荡器的设计被引量：7: 3; 作者徐赏林李威 +1 位作者王继安龚敏《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第8期42-45,共4页; 文章提出了一种由积分器、比较器以及控制电路和逻辑电路构成的压控振荡器,并对其低频线性度、结构特性等性能进行了较为深入的分析。利用xFABxdm10工艺模型在spectre上的模拟结果表明,由于采取内部补偿措施,可在相当低的频段内(20KHz～... 展开更多; 关键词压控振荡器线性度闪烁噪声静态偏置电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于FPGA的VGA显示模式和像素频率的识别被引量：4: 4; 作者刘威石彦杰高博《电子工程师》 2008年第1期50-52,共3页; 描述了一种基于FPGA(现场可编程门阵列)识别VGA(视频图形阵列)显示模式和像素频率值的方案。主要基于频率计的设计方法实现,并通过硬件电路的验证。利用Verilog HDL语言和FPGA的灵活性,应用FPGA设计嵌入式系统视频采集卡,提高了数据处... 展开更多; 关键词 FPGA VGA 像素频率频率计显示模式; 在线阅读下载PDF 职称材料

结合频谱移位的二维傅里叶变换FPGA实现被引量：3: 5; 作者钱辉史瑶 +1 位作者龚敏高博《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第5期1092-1096,共5页; 在三维成像技术中,对图像进行傅里叶变换之后需要通过频谱移位将零频集中到中心位置。为了提高图像处理的运算速度,提出了一种结合频谱移位的二维傅里叶变换的FPGA实现方法,将频谱移位结合到二维傅里叶变换硬件系统中,在实现图像二维傅... 展开更多; 关键词 FPGA 二维傅里叶变换频谱移位图像处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于FPGA的二维图像空域滤波电路设计被引量：1: 6; 作者林志滨高博龚敏《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第1期216-221,共6页; 基于傅里叶变换轮廓术的三维面型重建过程,需要从形变条纹图像中提取出模度图与幅角图,现有的软件处理方式不能满足实时成像的要求。采用现场可编程门阵列(FPGA)并行计算的特点设计二维空域滤波电路,对原始图像进行二维卷积以代替频域... 展开更多; 关键词图像处理空域滤波 FPGA 三维重建; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于锁相环快速锁定的鉴频鉴相器设计被引量：6: 7; 作者寇先果高博龚敏《电子与封装》 2014年第5期23-27,32,共6页; 针对鉴频鉴相器(PFD)的盲区现象对锁相环路的锁定速度的影响,设计了一种PFD结构,可以实现锁相环路的快速锁定。该结构在传统PFD的基础上,利用内部信号的逻辑关系进行逻辑控制,其输出特性呈现非线性;在输入相位差大于π时,抑制了复位脉... 展开更多; 关键词鉴频鉴相器锁相环盲区锁定时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析: 8; 作者潘立丁石瑞英 +1 位作者龚敏刘杰《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期252-256,共5页; 在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移... 展开更多; 关键词多栅NMOS 转移特性不均匀辐照总剂量效应计算机仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1: 1; 作者王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕; 机构四川大学物理科学与技术学院微电子学系四川大学物理科学与技术学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2763-2766,共4页; 文摘研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。; 关键词 NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照扩散电容势垒电容; Keywords NPN transistor negative capacitance neutron irradiation electron irradiation diffusion capacitance barrier capacitance; 分类号 TN325 [电子电信—物理电子学] O571 [理学—粒子物理与原子核物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响: 2; 作者田野石瑞英龚敏何志刚蔡娟露温景超; 机构四川大学物理科学与技术学院微电子系微电子技术四川省重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期362-365,401,共5页; 文摘研究了GaAs HBT高能电子(～1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电压均增大。因此认为,高能电子辐照造成的位移损伤在GaAs HBT集电区和BC结内诱生的大量复合中心使集电极串联电阻增大,以及BE、BC结内形成的复合中心俘获结内载流子使载流子浓度降低造成BE、BC结自建电势差下降是集电极饱和电压和残余电压增加的主要原因。; 关键词电子辐照砷化镓异质结双极型晶体管残余电压集电极饱和电压; Keywords electron irradiation GaAs HBT offset voltage collector-emitter saturation voltage; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高线性度低频压控振荡器的设计被引量：7: 3; 作者徐赏林李威王继安龚敏; 机构四川大学微电子学系成都华微电子系统有限公司; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第8期42-45,共4页; 文摘文章提出了一种由积分器、比较器以及控制电路和逻辑电路构成的压控振荡器,并对其低频线性度、结构特性等性能进行了较为深入的分析。利用xFABxdm10工艺模型在spectre上的模拟结果表明,由于采取内部补偿措施,可在相当低的频段内(20KHz～1.5MHz)将其线性误差从1.68%降低到了0.4%;同时,这种经过改进的压控振荡器很好地解决了低频噪声和低频线性度的问题,消除了放电误差,适用于精密的工业控制场合。; 关键词压控振荡器线性度闪烁噪声静态偏置电流; Keywords Voltage controlled oscillator, Linearity, Flicker noise, Quiescent bias circuit; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FPGA的VGA显示模式和像素频率的识别被引量：4: 4; 作者刘威石彦杰高博; 机构四川大学物理学院微电子系; 出处《电子工程师》 2008年第1期50-52,共3页; 文摘描述了一种基于FPGA(现场可编程门阵列)识别VGA(视频图形阵列)显示模式和像素频率值的方案。主要基于频率计的设计方法实现,并通过硬件电路的验证。利用Verilog HDL语言和FPGA的灵活性,应用FPGA设计嵌入式系统视频采集卡,提高了数据处理速度,节省了硬件成本。; 关键词 FPGA VGA 像素频率频率计显示模式; Keywords FPGA VGA frequency of pixels frequency counting display mode; 分类号 TN873 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名结合频谱移位的二维傅里叶变换FPGA实现被引量：3: 5; 作者钱辉史瑶龚敏高博; 机构四川大学物理科学与技术学院微电子学系微电子技术四川省重点实验室; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第5期1092-1096,共5页; 文摘在三维成像技术中,对图像进行傅里叶变换之后需要通过频谱移位将零频集中到中心位置。为了提高图像处理的运算速度,提出了一种结合频谱移位的二维傅里叶变换的FPGA实现方法,将频谱移位结合到二维傅里叶变换硬件系统中,在实现图像二维傅里叶变换的同时也完成了一半的频谱移位。采用ALTERA系列EP4CE115F29C7芯片,针对256×256的图像实现设计,最高工作频率分别达到84.2 MHz;资源消耗为3 849个LE。采用Signal TapⅡLogic Analyzer工具实时验证了模块的正确性。; 关键词 FPGA 二维傅里叶变换频谱移位图像处理; Keywords FPGA two-dimensional Fourier transform spectrum-shift image processing; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FPGA的二维图像空域滤波电路设计被引量：1: 6; 作者林志滨高博龚敏; 机构微电子技术四川省重点实验室四川大学物理科学与技术学院微电子学系; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第1期216-221,共6页; 文摘基于傅里叶变换轮廓术的三维面型重建过程,需要从形变条纹图像中提取出模度图与幅角图,现有的软件处理方式不能满足实时成像的要求。采用现场可编程门阵列(FPGA)并行计算的特点设计二维空域滤波电路,对原始图像进行二维卷积以代替频域滤波。这一方式有效地提取了所需频率,同时减少对硬件资源的占用。基于Altera CycloneⅣ EP4CE115F29C7N FPGA器件的测试结果表明,50 MHz的时钟频率下完成零频与基频分量的提取,得到模度图与幅角图仅需16.8 ms。; 关键词图像处理空域滤波 FPGA 三维重建; Keywords image processing spatial filter FPGA 3-D reconstruction; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于锁相环快速锁定的鉴频鉴相器设计被引量：6: 7; 作者寇先果高博龚敏; 机构四川大学物理科学与技术学院微电子学系; 出处《电子与封装》 2014年第5期23-27,32,共6页; 文摘针对鉴频鉴相器(PFD)的盲区现象对锁相环路的锁定速度的影响,设计了一种PFD结构,可以实现锁相环路的快速锁定。该结构在传统PFD的基础上,利用内部信号的逻辑关系进行逻辑控制,其输出特性呈现非线性;在输入相位差大于π时,抑制了复位脉冲的产生,避免了输入时钟边沿的丢失,有效消除了盲区,加快了锁相环的锁定速度。设计采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,采用全定制设计方法对该PFD结构进行了设计、仿真分析和验证。结果表明,采用该PFD结构的锁相环,在400 MHz工作频率下锁定时间为2.95μs,锁定速度提高了34.27%。; 关键词鉴频鉴相器锁相环盲区锁定时间; Keywords PFD PLL blind zone acquisition time; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析: 8; 作者潘立丁石瑞英龚敏刘杰; 机构四川大学物理科学与技术学院微电子学系四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学物理科学与技术学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期252-256,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61176096); 文摘在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明:受到剂量不均匀的辐照后,多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致,使各栅极阈值电压不同步漂移,导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。通过仿真验证能够说明,所提出的假设合理地解释了实验中的现象。; 关键词多栅NMOS 转移特性不均匀辐照总剂量效应计算机仿真; Keywords multi-finger NMOS transfer characteristics non-uniform irradiation total dose effects computer sim-ulation; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析	王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响	田野石瑞英龚敏何志刚蔡娟露温景超	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高线性度低频压控振荡器的设计	徐赏林李威王继安龚敏	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2006	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于FPGA的VGA显示模式和像素频率的识别	刘威石彦杰高博	《电子工程师》	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	结合频谱移位的二维傅里叶变换FPGA实现	钱辉史瑶龚敏高博	《电子器件》 CAS 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于FPGA的二维图像空域滤波电路设计	林志滨高博龚敏	《电子器件》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	用于锁相环快速锁定的鉴频鉴相器设计	寇先果高博龚敏	《电子与封装》	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
8	γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析	潘立丁石瑞英龚敏刘杰	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料