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中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析 被引量:1
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作者 王靳君 田野 +3 位作者 石瑞英 龚敏 温景超 巫晓燕 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2763-2766,共4页
研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管... 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。 展开更多
关键词 NPN晶体管 负电容 中子辐照 电子辐照 扩散电容 势垒电容
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基于FPGA的脉搏波信号采集系统研制 被引量:2
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作者 贺鹏 高博 《电子测量技术》 2010年第2期95-97,101,共4页
介绍基于FPGA并利用双光源对脉搏波信息进行实时采集的方案,阐述了系统的设计原理,并对系统核心部分光源控制电路设计进行了详细描述,最后对系统调试结果进行介绍和分析。系统设计采用自顶向下的层次式设计方法,应用Verilog HDL语言完成... 介绍基于FPGA并利用双光源对脉搏波信息进行实时采集的方案,阐述了系统的设计原理,并对系统核心部分光源控制电路设计进行了详细描述,最后对系统调试结果进行介绍和分析。系统设计采用自顶向下的层次式设计方法,应用Verilog HDL语言完成,并在Quartus Ⅱ环境下开发实现。 展开更多
关键词 脉搏信号 红光 红外光 现场可编程门阵列
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大视场复眼结构图像处理算法研究 被引量:9
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作者 曹阿秀 史立芳 +2 位作者 石瑞英 邓启凌 杜春雷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期193-198,共6页
针对多维子眼成像通道曲面排布组成的大视场复眼结构,提出了一种切割-旋转-映射的图像处理算法来实现多通道图像的大视场拼接.通过确定复眼结构的排布特征,分析了各成像通道捕获的子眼图像之间的相互关系,去除相邻子眼图像之间的冗余部... 针对多维子眼成像通道曲面排布组成的大视场复眼结构,提出了一种切割-旋转-映射的图像处理算法来实现多通道图像的大视场拼接.通过确定复眼结构的排布特征,分析了各成像通道捕获的子眼图像之间的相互关系,去除相邻子眼图像之间的冗余部分,并运用几何光学及成像光学原理,研究了子眼图像与三维映射空间之间的关系,从而实现了二维子眼图像在三维空间的大视场拼接.实验制备了包含37个镜头且视场角可达118°的人工复眼结构,并运用提出的图像处理算法处理制备的复眼结构捕获的子眼图像.结果表明:算法处理图像过程中不损失图像的分辨率,可以有效地实现多通道图像的大视场拼接,且获得的图像可视性强,满足实用化要求,可进一步推进曲面复眼成像系统的应用. 展开更多
关键词 多通道成像 复眼 大视场 图像处理 机器视觉 阵列化 光学设计与制备
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基于FPGA的VGA显示模式识别 被引量:6
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作者 刘威 石彦杰 高博 《计算机工程与科学》 CSCD 2008年第4期152-155,共4页
本文基于VGA行同步信号和场同步信号,采用数字频率计的测量原理设计了一种对VGA显示模式可精确识别的算法,并应用于FPGA实现VGA视频采集卡方案。算法采用Verilog HDL语言实现,并在Altea公司的Quartus II软件环境下完成。
关键词 FPGA VGA VERILOG HDL 显示模式 频率计
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γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析
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作者 潘立丁 石瑞英 +1 位作者 龚敏 刘杰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期252-256,共5页
在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移... 在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明:受到剂量不均匀的辐照后,多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致,使各栅极阈值电压不同步漂移,导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。通过仿真验证能够说明,所提出的假设合理地解释了实验中的现象。 展开更多
关键词 多栅NMOS 转移特性 不均匀辐照 总剂量效应 计算机仿真
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