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基于用MCNP程序模拟的HPGeγ谱仪的屏蔽 被引量:9
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作者 梁勇飞 吴丽萍 +2 位作者 白立新 张一云 邓勇军 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期182-184,186,共4页
采用蒙特卡罗程序MCNP模拟了实验室HPGeγ谱仪外层屏蔽物对本底γ射线的屏蔽计算,了解物质对γ射线的屏蔽效果,并在实验的基础上给出了模拟的基本数据。然后通过HPGeγ谱仪的实测谱与模拟结果相比较,以验证模拟计算的正确性。
关键词 蒙特卡罗 MCNP程序 屏蔽 HPGEΓ谱仪
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电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺 被引量:3
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作者 陆晓曼 张继成 +4 位作者 吴卫东 朱永红 郭强 唐永建 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期683-686,共4页
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜... 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL.s-1,工作气压9.9×10-2Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。 展开更多
关键词 离子刻蚀 电子回旋共振微波等离子体 α:CH薄膜 微齿轮
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类金刚石薄膜的反应离子刻蚀 被引量:1
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作者 吴卫东 陆晓曼 +4 位作者 张继成 朱永红 郭强 唐永建 孙卫国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期570-574,共5页
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明... 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;有无掩膜对刻蚀速率无明显影响;流量一定时,刻蚀速率随氩氧体积比的增大而降低,随负偏压的增大先增大后减小。实验得到最佳刻蚀条件,在此条件下,刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的微器件,并成功制备出"独立"的微齿轮,进行了组装。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 电子回旋共振微波反应等离子体 类金刚石薄膜 微齿轮
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