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基于用MCNP程序模拟的HPGeγ谱仪的屏蔽
被引量:
9
1
作者
梁勇飞
吴丽萍
+2 位作者
白立新
张一云
邓勇军
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期182-184,186,共4页
采用蒙特卡罗程序MCNP模拟了实验室HPGeγ谱仪外层屏蔽物对本底γ射线的屏蔽计算,了解物质对γ射线的屏蔽效果,并在实验的基础上给出了模拟的基本数据。然后通过HPGeγ谱仪的实测谱与模拟结果相比较,以验证模拟计算的正确性。
关键词
蒙特卡罗
MCNP程序
屏蔽
HPGEΓ谱仪
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职称材料
电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺
被引量:
3
2
作者
陆晓曼
张继成
+4 位作者
吴卫东
朱永红
郭强
唐永建
孙卫国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期683-686,共4页
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜...
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL.s-1,工作气压9.9×10-2Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。
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关键词
离子刻蚀
电子回旋共振微波等离子体
α:CH薄膜
微齿轮
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职称材料
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀
被引量:
1
3
作者
吴卫东
陆晓曼
+4 位作者
张继成
朱永红
郭强
唐永建
孙卫国
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期570-574,共5页
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明...
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;有无掩膜对刻蚀速率无明显影响;流量一定时,刻蚀速率随氩氧体积比的增大而降低,随负偏压的增大先增大后减小。实验得到最佳刻蚀条件,在此条件下,刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的微器件,并成功制备出"独立"的微齿轮,进行了组装。
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关键词
反应离子刻蚀
电子回旋共振微波反应等离子体
类金刚石薄膜
微齿轮
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职称材料
题名
基于用MCNP程序模拟的HPGeγ谱仪的屏蔽
被引量:
9
1
作者
梁勇飞
吴丽萍
白立新
张一云
邓勇军
机构
四川大学物理科学与工程学院
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期182-184,186,共4页
文摘
采用蒙特卡罗程序MCNP模拟了实验室HPGeγ谱仪外层屏蔽物对本底γ射线的屏蔽计算,了解物质对γ射线的屏蔽效果,并在实验的基础上给出了模拟的基本数据。然后通过HPGeγ谱仪的实测谱与模拟结果相比较,以验证模拟计算的正确性。
关键词
蒙特卡罗
MCNP程序
屏蔽
HPGEΓ谱仪
Keywords
Monte Carlo
MCNP programme
shielding
HPGe γ spectrometer
分类号
TL817.2 [核科学技术—核技术及应用]
O571.1 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺
被引量:
3
2
作者
陆晓曼
张继成
吴卫东
朱永红
郭强
唐永建
孙卫国
机构
中国
工程
物理
研究院激光聚变研究中心
四川大学物理科学与工程学院
四川大学
原子与分子研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期683-686,共4页
基金
中国工程物理研究院基金资助课题(2005Z0805)
文摘
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL.s-1,工作气压9.9×10-2Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。
关键词
离子刻蚀
电子回旋共振微波等离子体
α:CH薄膜
微齿轮
Keywords
Ion etching
Electron cyclotron resonance microwave plasma
α:CH films
Micro-gear
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀
被引量:
1
3
作者
吴卫东
陆晓曼
张继成
朱永红
郭强
唐永建
孙卫国
机构
中国
工程
物理
研究院激光聚变研究中心
四川大学
原子与分子研究所
四川大学物理科学与工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期570-574,共5页
基金
中国工程物理研究院重大基金项目资助(No.2005Z0805)
文摘
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;有无掩膜对刻蚀速率无明显影响;流量一定时,刻蚀速率随氩氧体积比的增大而降低,随负偏压的增大先增大后减小。实验得到最佳刻蚀条件,在此条件下,刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的微器件,并成功制备出"独立"的微齿轮,进行了组装。
关键词
反应离子刻蚀
电子回旋共振微波反应等离子体
类金刚石薄膜
微齿轮
Keywords
RIE, ECR(electron cyclotron resonance) plasma, DLC films, Micro-gear
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于用MCNP程序模拟的HPGeγ谱仪的屏蔽
梁勇飞
吴丽萍
白立新
张一云
邓勇军
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
9
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺
陆晓曼
张继成
吴卫东
朱永红
郭强
唐永建
孙卫国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀
吴卫东
陆晓曼
张继成
朱永红
郭强
唐永建
孙卫国
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
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职称材料
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