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SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展: 1; 作者杨治美高旭 +3 位作者李芸黄铭敏马瑶龚敏《电子与封装》 2022年第5期1-9,共9页; 第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生... 展开更多; 关键词碳化硅辐照诱生缺陷深能级缺陷电学性能重离子辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

齐纳二极管电子辐照特性研究被引量：1: 2; 作者明思汀王多为 +5 位作者唐常钦马瑶李芸杨治美黄铭敏龚敏《电子与封装》 2020年第5期60-65,共6页; 研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击... 展开更多; 关键词齐纳二极管电子辐照直流特性动态响应; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高精度低功耗温度传感器电路被引量：3: 3; 作者何希然刘晨旭 +4 位作者张仁辉李泽宏高博马跃龚敏《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期906-914,共9页; 基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温... 展开更多; 关键词温度传感器斩波技术 sigma-delta信号处理脉冲宽度可调(PWM) 高精度; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于RISC-V的多路光电容积脉搏波监测系统被引量：1: 4; 作者岳文韬张政 +2 位作者高博龚敏彭玲《电子技术应用》 2023年第3期37-41,共5页; 针对光电容积脉搏波(Photoplethysm ographic,PPG),基于RISC-V内核设计了一款多通道、实时PPG监测系统。该系统使用RISC-V架构的E203 IP作为低功耗内核,通过ICB总线挂接模拟前端和蓝牙控制模块。AFE4400模拟前端控制模块控制背靠背LED... 展开更多; 关键词光电容积脉搏波 RISC-V 串行外设接口总线硬件设计语言建模蓝牙; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究被引量：3: 5; 作者唐常钦王多为 +2 位作者龚敏马瑶杨治美《电子与封装》 2021年第8期77-83,共7页; 研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFE... 展开更多; 关键词 SiC MOSFET 伽马辐照总剂量效应静态特性室温退火温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展: 1; 作者杨治美高旭李芸黄铭敏马瑶龚敏; 机构四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室; 出处《电子与封装》 2022年第5期1-9,共9页; 基金国家自然科学基金(61704116、61974096) 模拟集成电路重点实验室基金(6142802190505) 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心项目(KFZC2020021001)。; 文摘第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律,分析总结重离子辐照SiC功率器件中一些关键技术问题,特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同,为今后深入开展SiC肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及SiC相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据。; 关键词碳化硅辐照诱生缺陷深能级缺陷电学性能重离子辐照; Keywords SiC irradiation induced defects deep level defects electrical properties heavy ion irradiation; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名齐纳二极管电子辐照特性研究被引量：1: 2; 作者明思汀王多为唐常钦马瑶李芸杨治美黄铭敏龚敏; 机构四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室; 出处《电子与封装》 2020年第5期60-65,共6页; 文摘研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。; 关键词齐纳二极管电子辐照直流特性动态响应; Keywords Zener diode electron radiation direct current characteristics dynamic response; 分类号 O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高精度低功耗温度传感器电路被引量：3: 3; 作者何希然刘晨旭张仁辉李泽宏高博马跃龚敏; 机构四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学重庆微电子产业技术研究院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期906-914,共9页; 文摘基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温误差,电路中引入斩波技术,较低平均功耗(152μW)下将电路失调电压减小了两个数量级,提高了系统的测温精度;数据转换过程中,采用带有零极点优化技术的高阶多位量化sigma-delta信号处理技术,在低过采样率(16)条件下具有足够的信噪比(79.4 dB),功耗和精度取得了较好的折中。该电路功耗低、精度高,适于各类物联网(IoT)应用。; 关键词温度传感器斩波技术 sigma-delta信号处理脉冲宽度可调(PWM) 高精度; Keywords temperature sensor chopper technology sigma-delta signal processing pulse width modulation(PWM) high precision; 分类号 TN710.4 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于RISC-V的多路光电容积脉搏波监测系统被引量：1: 4; 作者岳文韬张政高博龚敏彭玲; 机构四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室四川大学华西医院; 出处《电子技术应用》 2023年第3期37-41,共5页; 基金国家自然科学基金(81971772)。; 文摘针对光电容积脉搏波(Photoplethysm ographic,PPG),基于RISC-V内核设计了一款多通道、实时PPG监测系统。该系统使用RISC-V架构的E203 IP作为低功耗内核,通过ICB总线挂接模拟前端和蓝牙控制模块。AFE4400模拟前端控制模块控制背靠背LED实现两路PPG信号采集,复用该模块分时处理来实现多路采集。蓝牙控制模块挂接到E203实现了通过蓝牙外设下达系统控制指令,之后上传PPG波至终端。该系统通过FPGA验证了22位双通道PPG信号物联网终端应用。; 关键词光电容积脉搏波 RISC-V 串行外设接口总线硬件设计语言建模蓝牙; Keywords photoplethysmographic RISC-V SPI HDL modeling Bluetooth; 分类号 TP274.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究被引量：3: 5; 作者唐常钦王多为龚敏马瑶杨治美; 机构四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室; 出处《电子与封装》 2021年第8期77-83,共7页; 基金国家级抗辐照应用技术创新中心资助(KFZC2020021001) 国家自然科学基金青年基金(11875068、61704116)。; 文摘研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室温退火后,器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响,辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K,表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。; 关键词 SiC MOSFET 伽马辐照总剂量效应静态特性室温退火温度特性; Keywords SiC MOSFET gamma irradiation total dose effect static characteristics room temperature annealing temperature characteristics; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展	杨治美高旭李芸黄铭敏马瑶龚敏	《电子与封装》	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	齐纳二极管电子辐照特性研究	明思汀王多为唐常钦马瑶李芸杨治美黄铭敏龚敏	《电子与封装》	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种高精度低功耗温度传感器电路	何希然刘晨旭张仁辉李泽宏高博马跃龚敏	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于RISC-V的多路光电容积脉搏波监测系统	岳文韬张政高博龚敏彭玲	《电子技术应用》	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究	唐常钦王多为龚敏马瑶杨治美	《电子与封装》	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料