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用于同位素电池的储能复合电极的可行性研究 被引量：1
1
作者 李鑫 王关全 +3 位作者 杨玉青 魏洪源 林黎蔚 任丁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期175-180,共6页
借鉴太阳能电池Ti/Pd/Ag复合电极的设计方案,将其优化设计为Ti/Pd/Au复合电极并加载氚源,以此验证同位素源与换能器件整合的可行性。在N型单晶硅基体上制备电极,为研究氚在电极中的行为,用氘气模拟氚气对电极进行同位素加载,采用XRD、SE... 借鉴太阳能电池Ti/Pd/Ag复合电极的设计方案,将其优化设计为Ti/Pd/Au复合电极并加载氚源,以此验证同位素源与换能器件整合的可行性。在N型单晶硅基体上制备电极,为研究氚在电极中的行为,用氘气模拟氚气对电极进行同位素加载,采用XRD、SEM和四探针研究复合电极的储氚性能、微结构、电学性能等的变化。结果表明:复合电极能吸附氘并生成TiD_x(x≤2),具备一定的储氚性能;在Ti与Si界面处出现了TiSi_2相,表明膜基间发生了合金化,这提高了复合电极与硅基体的结合强度,同时降低了接触电阻;10^(-4)Ω·cm量级的表面电阻率基本可满足对电极导电性能的要求。由此可见,Ti/Pd/Au复合电极应用于伏特效应同位素电池是可行的。 展开更多
关键词 同位素电池 Ti/Pd/Au复合电极 储氚
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加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响 被引量：1
2
作者 任丁 张瑞谦 +3 位作者 黄宁康 曾俊辉 杜良 张东 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期586-590,共5页
利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去... 利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去氩处理对氢离子辐照的C-SiC涂层的形貌和阻氢性能的影响。结果表明,经去氩处理,样品中不锈钢基体内的氢浓度降低了80%,显示出去氩处理的C-SiC涂层具有更高的阻氢性能。研究结果将为该技术应用于不锈钢基体上C-SiC涂层制备工艺的进一步改善提供依据。 展开更多
关键词 C-SiC涂层 离子束混合沉积 阻氢 扫描电镜 二次离子质谱
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用化学热解沉积法制备硫化镉薄膜的微结构(英文) 被引量：2
3
作者 Cha DeoKjoon Kim Sunmi +2 位作者 黄宁康 刘金蓉 陈剑 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-5,共5页
在载玻片或ITO涂覆的玻璃上采用化学热解法沉积CdS固体薄膜 ,沉积温度在 35 0～ 5 4 0℃之间 .部分制备的CdS薄膜进行 2 0 0～ 6 0 0℃的退火热处理 .由SEM ,AFM和XRD分析测量退火热处理前后的CdS薄膜的微观结构 .结果表明 ,沉积温度低... 在载玻片或ITO涂覆的玻璃上采用化学热解法沉积CdS固体薄膜 ,沉积温度在 35 0～ 5 4 0℃之间 .部分制备的CdS薄膜进行 2 0 0～ 6 0 0℃的退火热处理 .由SEM ,AFM和XRD分析测量退火热处理前后的CdS薄膜的微观结构 .结果表明 ,沉积温度低于 5 4 0℃以下制备的CdS薄膜具有类六方结构相 ,当高于 5 4 0℃沉积的CdS薄膜则显示纤锌矿相 .在 4 0 0℃化学热解沉积的CdS薄膜经高于 5 0 0℃的后热处理也可获得纤锌矿相 . 展开更多
关键词 化学热解沉积 硫化镉薄膜 微结构 沉积温度 X射线衍射分析 退火处理
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