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基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术
被引量：
4
1
作者
张正元
徐世六
+1 位作者
冯建
胡明雨
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1401-1403,共3页
对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜...
对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.
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关键词
可动部件
硅薄膜
MEMS
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职称材料
题名
基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术
被引量：
4
1
作者
张正元
徐世六
冯建
胡明雨
机构
四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1401-1403,共3页
基金
国防重点实验室重点基金项目资助(A1120060490)
文摘
对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.
关键词
可动部件
硅薄膜
MEMS
Keywords
movability parts
silicon film
MEMS
分类号
TP212.12 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术
张正元
徐世六
冯建
胡明雨
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
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