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氧化镁陶瓷的烧结工艺研究 被引量:8
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作者 智顺华 曹林洪 +2 位作者 王超 李海燕 王宁会 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期455-458,469,共5页
以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷。TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒... 以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷。TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒大小为22.25 nm。MgO陶瓷最佳烧结温度为1500℃,所得到的陶瓷结构致密、气孔较少、收缩率较高、透光性最好。随着烧结温度的升高,MgO陶瓷中的晶粒有沿(200)晶面择优生长的趋势。 展开更多
关键词 MgO陶瓷 烧结温度 均相沉淀法
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