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Nb_2Si_n^-(n=1~6)团簇的几何构型、电子性质和磁性的理论研究 被引量:5
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作者 侯茹 郭平 +3 位作者 陈永庄 张继良 李书婷 任兆玉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期385-392,共8页
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin-(n=1~6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现Nb2Sin-(n=1~6)团簇只是在相应的Nb2Sin团簇的结构基础上发生了微小畸变.其中Nb2Si-6团簇结构变化较为严重.对平均束缚能和分裂能的研... 运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin-(n=1~6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现Nb2Sin-(n=1~6)团簇只是在相应的Nb2Sin团簇的结构基础上发生了微小畸变.其中Nb2Si-6团簇结构变化较为严重.对平均束缚能和分裂能的研究发现,Nb2Sin-(n=1~6)团簇的平均束缚能和分裂能均明显高于相应的Nb2Sin团簇,表明增加一个电子可以提高Nb2Sin(n=1~6)团簇的稳定性.通过对最低能构型的分裂能的研究发现,Nb2Si-3团簇和Nb2Si3团簇分别是Nb2Sin-和Nb2Sin(n=1~6)团簇中所有最低能构型中最稳定的.对电荷自然布局的研究发现,在Nb2Sin-(n=1~6)团簇中出现了电子反转.而对于Nb2Sin(n=1~6)团簇,当n=4~6时出现电子反转现象,n=1~2时电子转移符合常规.对HOMO-LUMO能隙的研究结果表明,除了n=1,6外,其余Nb2Sin-(n=2~5)团簇最低能结构的HOMO-LUMO能隙均小于相应的Nb2Sin团簇,说明在这些团簇中增加一个电子增强了团簇的化学活性,但是当n=1、6时增加一个电子,该团簇的化学活性反而降低了.对于Nb2Sin-(n=1~6)团簇来讲,Nb2Si-2和Nb2Si-5团簇分别成为Nb2Sin-(n=1~6)团簇中化学稳定性最强和化学活性最强的.且Nb2Sin-(n=1~6)团簇呈现半导体属性.对磁矩的研究结果表明,Nb2Sin-(n=1~6)团簇的最低能结构的总磁矩均为1.00μB,两个Nb原子的局域磁矩方向,除了Nb2Si5-团簇有一个铌原子与总磁矩相反外,其余均与总磁矩方向相同.说明各团簇中两个铌原子和硅原子对磁矩的贡献不同,方向也不完全相同. 展开更多
关键词 密度泛函理论 Nb2Sin^- (n=1~6) 几何结构 相对稳定性 HOMO—LUMO能隙 磁矩
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基于ARM9和GPRS的实时电力负控管理系统的设计 被引量:3
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作者 吴晓云 刘宝盈 《现代电子技术》 2012年第8期1-4,7,共5页
由于单片机数据处理速率低,而AMR7缺乏存储管理单元,基于这些设备的自动抄表系统难以满足电力系统对负荷控制的精细化要求。在此设计了一种基于ARM9和GPRS的实时电力负控管理系统,本设计重点利用ARM9微处理器采集速率高、处理能力强的特... 由于单片机数据处理速率低,而AMR7缺乏存储管理单元,基于这些设备的自动抄表系统难以满足电力系统对负荷控制的精细化要求。在此设计了一种基于ARM9和GPRS的实时电力负控管理系统,本设计重点利用ARM9微处理器采集速率高、处理能力强的特点,提高了系统的精确度;利用Linux2.6操作系统较高的实时性提高了系统的响应速度;利用宽带GPRS网络实现了用电信息的无线采集和实时监测等功能。该系统已被电力部门试用,在实际应用中抄表速度快、实时性强,基本达到了电力部门的使用需求,为电力部门提高管理水平和实现电管理现代化提供了技术保障。 展开更多
关键词 ARM9 负荷管理 GPRS网络 实时监控
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密度泛函方法研究Nb_2Si_n(n=1~6)团簇 被引量:5
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作者 侯茹 郭平 +3 位作者 李英 陈永庄 张继良 任兆玉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期853-858,共6页
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了两个铌原子掺杂硅团簇的几何和电子结构性质.计算结果表明,Nb2Sim(n=1~6)团簇相对最稳定的结构基本上都保持了Si_(n+2)团簇基态构型的框架,除了Nb_2Si_2团簇外,所有的低能态都是单重态... 运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了两个铌原子掺杂硅团簇的几何和电子结构性质.计算结果表明,Nb2Sim(n=1~6)团簇相对最稳定的结构基本上都保持了Si_(n+2)团簇基态构型的框架,除了Nb_2Si_2团簇外,所有的低能态都是单重态构型.Nb_2Si_3的分裂能最大,在稳定的Nb_2Si_n(n=1~6)团簇中具有最强的热力学稳定性.在Nb_2Si团簇和Nb_2Si_2团簇中,电子转移是从Nb原子向Si原子的;而当n=3~6时,电子转移出现了反转现象,开始从Si原子转移到Nb原子. 展开更多
关键词 密度泛函理论 Nb2Sin团簇 相对稳定性 自然布局 HOMO-LUM0能隙
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Nb_2 Si_n^+(n=1~6)团簇的密度泛函理论研究 被引量:4
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作者 陈丹 侯茹 +2 位作者 郭平 李书婷 任兆玉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期571-578,共8页
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin+(n=1~6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现最低能Nb2Sin+团簇除了n=5,6发生了微小畸变外,其余基本保持了相应的中性Nb2Sin[(n=1~6)]团簇的结构.且除了Nb2Si+团簇外,所有的最... 运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin+(n=1~6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现最低能Nb2Sin+团簇除了n=5,6发生了微小畸变外,其余基本保持了相应的中性Nb2Sin[(n=1~6)]团簇的结构.且除了Nb2Si+团簇外,所有的最低能结构都是自旋二重态,电子态也都为2A;由原子平均束缚能和分裂能可知,Nb2Sin+团簇的热力学稳定性比相应的Nb2Sin团簇[(n=1~6)]强,说明失去一个电子增加了团簇的热力学稳定性.且Nb2Si3+团簇的热力学稳定性是Nb2Sin+(n=1~6)团簇中最强的.从绝热电离势(AIP)和垂直电离势(VIP)的结果发现,由于VIP与AIP差值很小,说明Nb2Sin+团簇和Nb2Sin团簇[(n=1~6)]结构的构型相同.Nb2Si团簇的AIP值具有最小值6.623eV,表明在实验上很容易得到它们的阳离子形式且在质谱中可观测到较高的峰值.对HOMO-LUMO能隙的研究表明与相应的Nb2Sin(n=1~6)团簇相比,Nb2Sin+(n=1~6)团簇的HOMO-LUMO能级除了n=2,6外普遍增大,说明Nb2Sin+团簇的化学稳定性强于Nb2Sin团簇[(n=1~6)],并且除了Nb2Si3+团簇外都是半导体性的.由Mulliken电荷布局得出团簇的总磁矩和原子局域磁矩,表明Nb2Si+团簇的总磁矩最大,为3.0μB,呈现为铁磁质.硅原子则在不同的团簇中表现为顺磁性或抗磁性. 展开更多
关键词 密度泛函理论 Nb2Sin+(n=1~6)团簇 几何结构 相对稳定性 电离势 HOMO-LUMO能隙 磁矩中
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棱柱型封装Cd的硅纳米管的密度泛函理论研究 被引量:3
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作者 侯茹 郭平 +3 位作者 李英 张继良 陈永庄 任兆玉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期405-409,共5页
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了四棱柱、五棱柱、六棱柱和七棱柱型封装Cd硅纳米管的几何结构、电荷布局、能级和电偶极矩.计算结果表明,四棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅纳米管的最低能结构都是自旋单重态,四棱柱和五棱柱... 运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了四棱柱、五棱柱、六棱柱和七棱柱型封装Cd硅纳米管的几何结构、电荷布局、能级和电偶极矩.计算结果表明,四棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅纳米管的最低能结构都是自旋单重态,四棱柱和五棱柱型Cd硅纳米管畸变比较严重,已经失去管状结构.四棱柱型Cd硅纳米管的原子平均结合能最大,是这四种棱柱型Cd硅纳米管中热力学稳定性最强的.这四种棱柱型Cd硅纳米管的电荷都是由Cd原子转向Si原子的,Cd原子是电荷的施体;Si原子是电荷的受体,Cd原子与硅原子之间以共价键结合.五棱柱型Cd硅纳米管HOMO-LUMOGap最大,它的化学活性最强,而四棱柱型Cd硅纳米管的HOMO-LUMO能隙最小,它的化学稳定性最强,不易和其他物质发生化学反应.四棱柱型Cd硅纳米管的总电偶极距为零,该结构是非极性的,而五棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅纳米管是极性的,且五棱柱型Cd硅纳米管的极性最强. 展开更多
关键词 密度泛函理论 棱柱型封装Cd硅纳米管 几何结构 HOMO-LUMO能隙 电偶极矩
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一种基于SVR的数字图像水印算法 被引量:1
6
作者 赵杰 杨滨峰 +1 位作者 李亚雯 毕秀丽 《现代电子技术》 2011年第6期18-21,共4页
以回归型支持向量机为基础,提出一种彩色数字图像水印算法。在小波域内选取特征向量并获得支持向量机训练模型,进而利用该训练模型嵌入和提取水印信息。该算法以保证不可感知性和鲁棒性的良好平衡为前提,实现了水印的盲检测。实验仿真表... 以回归型支持向量机为基础,提出一种彩色数字图像水印算法。在小波域内选取特征向量并获得支持向量机训练模型,进而利用该训练模型嵌入和提取水印信息。该算法以保证不可感知性和鲁棒性的良好平衡为前提,实现了水印的盲检测。实验仿真表明,该算法不仅具有较好的不可感知性,而且对叠加噪声、JPEG压缩、锐化、平滑滤波、对比度增强、剪切等常规处理具有较好的鲁棒性,其整体性能优于一般基于支持向量机的图像水印方案。 展开更多
关键词 数字水印 回归型支持向量机 小波域 盲检测
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基于CNN和NSCT的零水印算法 被引量:1
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作者 赵杰 屈正庚 《科学技术与工程》 北大核心 2013年第5期1368-1372,共5页
提出一种基于细胞神经网络(CNN)和非抽样Contourlet变换(NSCT)的零水印算法。首先对原始载体图像进行非抽样Contourlet变换,获得其图像的低频逼近子带;然后对水印信息进行置乱,将其与图像的低频逼近子带一起输入CNN网络,得到注册图像。... 提出一种基于细胞神经网络(CNN)和非抽样Contourlet变换(NSCT)的零水印算法。首先对原始载体图像进行非抽样Contourlet变换,获得其图像的低频逼近子带;然后对水印信息进行置乱,将其与图像的低频逼近子带一起输入CNN网络,得到注册图像。水印检测时可以利用尺度不变特征变换(SIFT)进行几何校正。实验结果表明,该方法可以获得较好的检测精度;同时对于加噪、滤波、JPEG压缩、剪切攻击也具有很好的鲁棒性。由于细胞神经网络对图像处理的并行性与可由硬件实现的特点,该算法可应用于实时性要求较高的场合。 展开更多
关键词 细胞神经网络 非抽样CONTOURLET变换 零水印 尺度不变特征变换
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无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管的理论研究
8
作者 侯茹 郭平 +3 位作者 陈永庄 张继良 任兆玉 李英 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期977-982,共6页
运用密度泛函理论的UB3LYP/LanL2DZ方法研究了无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管,并讨论了它们的总能量、原子平均结合能、Mulliken原子净布局、HOMO-LUMO能隙以及电偶极距.计算结果表明无限长封装Cd的四棱柱型硅纳米管基本保持管... 运用密度泛函理论的UB3LYP/LanL2DZ方法研究了无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管,并讨论了它们的总能量、原子平均结合能、Mulliken原子净布局、HOMO-LUMO能隙以及电偶极距.计算结果表明无限长封装Cd的四棱柱型硅纳米管基本保持管状结构,而相应的五棱柱型则发生严重畸变.它们的最低能结构都是自旋单重态.无限长封装Cd的五棱柱型硅纳米管中所有Cd原子的Mulliken原子净布局都为正,说明电荷是从Cd原子向Si原子转移,Cd原子是电荷的施体.而有趣的是相应的四棱柱型硅纳米管里两端的Cd原子的Mulliken原子净布局为正,即Cd原子是电荷的施体,但是中间的Cd原子的的Mulliken原子净布局却为负,即电荷由Si原子向Cd原子转移,Cd原子是电荷授体,Si原子是电荷的授体,出现了电子反转.计算的HOMO-LUMO能隙说明无限长封装Cd硅纳米管中五棱柱HOMO-LUMO能隙小于四棱柱型的HOMO-LUMO能隙,说明无限长五棱柱型Cd-Si纳米管的化学活性大于相应的四棱柱型Cd-Si纳米管,且它们的HOMO-LUMO能隙均小于1.5 eV,说明它们具有半导体特性.计算的电偶极矩结果显示,无限长封装Cd的硅纳米管中,五棱柱型的硅纳米管的电偶极距为2.084 Debye,而四棱柱型的电偶极距却为零,说明无限长封装Cd的硅纳米管中四棱柱型的是非极性的,而五棱柱型的则是极性的. 展开更多
关键词 密度泛函理论 无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管 几何构型 Mulliken电荷布局 HOMO-LUMO能隙 电偶极矩
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熔体流动方向对Fe-C合金枝晶生长的影响
9
作者 袁训锋 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第21期65-67,71,共4页
采用熔体流动的相场模型,模拟了Fe-C合金等温凝固中的枝晶生长过程,研究了流动方向对枝晶生长行为的影响。结果表明:在流动方向与晶粒优先生长方向平行时,晶粒第一、二象限的主枝和侧枝粗大,第三、四象限的主枝和侧枝细小。随着流动方... 采用熔体流动的相场模型,模拟了Fe-C合金等温凝固中的枝晶生长过程,研究了流动方向对枝晶生长行为的影响。结果表明:在流动方向与晶粒优先生长方向平行时,晶粒第一、二象限的主枝和侧枝粗大,第三、四象限的主枝和侧枝细小。随着流动方向与枝晶优先生长[100]方向夹角θ0的增加,晶粒第一、四象限的侧枝数量增加且生长迅速,第二、三象限的侧枝退化;同时,[100]方向枝晶臂长度减小,溶质浓度降低,[-100]方向枝晶臂长度增加,溶质浓度先减小后增加。 展开更多
关键词 相场 FE-C合金 枝晶生长 流动方向
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基于自相关算法的超低噪声CMOS相机设计研究
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作者 李华 《科学技术与工程》 2010年第35期8910-8913,共4页
根据CMOS探测器噪声的特点,针对传统降噪方法较难去除的时间相关噪声提出了一种降噪的新算法。对算法进行了原理分析,介绍了该算法基于FPGA硬件实现的新方法。最后,通过实验结果,对该算法的效果进行了评价。
关键词 互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OXIDE Semiconductor CMOS)探测器 时间相关噪声 自相关 SIMULINK
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