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不同工艺制备的ta-C和ta-C:N薄膜表面粗糙度研究(英文)
被引量:
4
1
作者
张化宇
刘良学
+3 位作者
马洪涛
刘凡新
刘会良
王东
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期673-675,共3页
采用FCVA工艺成功制备了ta-C薄膜,采用ECR-CVD工艺对部分ta-C薄膜试样进行氮等离子体处理,制备了ta-C:N薄膜。对两种薄膜的表面粗糙度与元素含量、沉积工艺参数之间的关系进行了研究。通过AFM对薄膜表面粗糙度进行了分析,通过XPS对薄膜...
采用FCVA工艺成功制备了ta-C薄膜,采用ECR-CVD工艺对部分ta-C薄膜试样进行氮等离子体处理,制备了ta-C:N薄膜。对两种薄膜的表面粗糙度与元素含量、沉积工艺参数之间的关系进行了研究。通过AFM对薄膜表面粗糙度进行了分析,通过XPS对薄膜的元素含量进行了分析。试验结果显示,沉积条件对薄膜厚度和元素含量具有明显的影响。对ta-C薄膜进行氮等离子体处理后,其表面粗糙度有一个明显的起伏变化。研究结果表明,氮能改变DLC薄膜表面的粗糙度。元素含量也随着薄膜的厚度变化而变化。
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关键词
ta—C:N
AFM
XPS
粗糙度
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职称材料
题名
不同工艺制备的ta-C和ta-C:N薄膜表面粗糙度研究(英文)
被引量:
4
1
作者
张化宇
刘良学
马洪涛
刘凡新
刘会良
王东
机构
哈尔滨工业大学深圳研究生院材料学科部
东莞新科技术
研究
开发有限公司
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期673-675,共3页
文摘
采用FCVA工艺成功制备了ta-C薄膜,采用ECR-CVD工艺对部分ta-C薄膜试样进行氮等离子体处理,制备了ta-C:N薄膜。对两种薄膜的表面粗糙度与元素含量、沉积工艺参数之间的关系进行了研究。通过AFM对薄膜表面粗糙度进行了分析,通过XPS对薄膜的元素含量进行了分析。试验结果显示,沉积条件对薄膜厚度和元素含量具有明显的影响。对ta-C薄膜进行氮等离子体处理后,其表面粗糙度有一个明显的起伏变化。研究结果表明,氮能改变DLC薄膜表面的粗糙度。元素含量也随着薄膜的厚度变化而变化。
关键词
ta—C:N
AFM
XPS
粗糙度
Keywords
ta-C:N
AFM
XPS
roughness
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同工艺制备的ta-C和ta-C:N薄膜表面粗糙度研究(英文)
张化宇
刘良学
马洪涛
刘凡新
刘会良
王东
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
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