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Ti_(3)C_(2)T_(x) MXene基电磁屏蔽材料的研究进展 被引量：13
1
作者 王敬枫 康辉 +4 位作者 成中军 谢志民 王友善 刘宇艳 樊志敏 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期14-25,共12页
随着电子设备和无线通讯的迅猛发展,电磁干扰问题也随之日益严重,迫切需要发展高性能的电磁屏蔽防护材料来减轻电磁波干扰危害。MXene(Ti_(3)C_(2)T_(x))是一种新型二维材料,具有超高的电导率和活跃的化学活性表面,因而展现出极其优异... 随着电子设备和无线通讯的迅猛发展,电磁干扰问题也随之日益严重,迫切需要发展高性能的电磁屏蔽防护材料来减轻电磁波干扰危害。MXene(Ti_(3)C_(2)T_(x))是一种新型二维材料,具有超高的电导率和活跃的化学活性表面,因而展现出极其优异的电磁屏蔽性能。本文重点介绍了Ti_(3)C_(2)T_(x)的制备方法、结构特性以及电磁屏蔽机理,客观地综述和评价了近年来国内外关于Ti_(3)C_(2)T_(x)基薄膜和三维多孔材料在电磁屏蔽应用方面的重要研究进展,并分析了目前存在的主要问题。此外,从Ti_(3)C_(2)T_(x)的制备、结构调控、设计组装等方面展望了Ti_(3)C_(2)T_(x)基电磁屏蔽材料的发展方向及趋势,包括发展低成本绿色环保且高效的Ti_(3)C_(2)T_(x)制备工艺、解决Ti_(3)C_(2)T_(x)不耐氧化的问题、设计新型Ti_(3)C_(2)T_(x)电磁屏蔽材料结构及探究其他种类的MXenes电磁屏蔽材料,为开发下一代高电磁屏蔽性能材料提供新的思路和指导。 展开更多
关键词 Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene 电磁屏蔽 电导率 复合薄膜 三维多孔结构
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