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静电键合在高温压力传感器中的应用被引量：7: 1; 作者王蔚刘晓为 +3 位作者刘玉强王喜莲张建才张雪梅《传感器技术》 CSCD 1999年第1期42-44,共3页; 分析了硅－玻璃静电键合界面受热循环作用，或者受反向电压作用后，在高温时，键合力的特点，实验验证了高温（４５０℃）时键合面牢固、稳定。研究结果表明高温压力传感器可以采用静电键合技术进行封装。; 关键词静电键合高温稳定性压力传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响被引量：1: 2; 作者刘晓为郭青 +2 位作者理峰张国威刘振茂《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期32-37,共6页; 本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响,通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜,经硼离子注入掺杂,杂质浓度均为10^(25)/m^3用X 射线衍射法分析了薄膜晶体结构,悬梁实验测出薄膜应变系数GF 随淀积温度和膜厚... 展开更多; 关键词多晶硅压阻效应薄膜晶体结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲镉汞合金组分分布的描述方法被引量：3: 3; 作者蓝慕杰赵显峰周士仁《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期57-58,共2页; 介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合，用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义。该法可用于其它半... 展开更多; 关键词 HGCDTE 组分分析合金红外探测; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究: 4; 作者刘振茂赵秀平 +2 位作者李志伟张国威权五云《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期73-76,共4页; 试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．; 关键词金属化层粘接强度半导体致冷材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

一个新的经济型状态化简软件: 5; 作者陈昕喻明艳叶以正《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期80-83,共4页; 介绍以隐含最大相容类集为基础的经济型状态化简新算法。该算法是从最大隐含相容类集得出最小闭覆盖的初始候选集，通过对初始候选集的不断调整，得到化简结果。通过与一个具有代表性的经济型算法软件的比较发现，用该算法实现的软件，... 展开更多; 关键词时序机状态化简逻辑综合软件 AAMIC算法; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究: 6; 作者武世香陈士芳 +2 位作者王东红王喜莲孙淑芳《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期46-49,共4页; 在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面... 展开更多; 关键词敏感膜溅射氧化钽半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名静电键合在高温压力传感器中的应用被引量：7: 1; 作者王蔚刘晓为刘玉强王喜莲张建才张雪梅; 机构哈尔滨工业大学微电子技术教研室东北传感技术研究所哈尔滨无线电七厂; 出处《传感器技术》 CSCD 1999年第1期42-44,共3页; 文摘分析了硅－玻璃静电键合界面受热循环作用，或者受反向电压作用后，在高温时，键合力的特点，实验验证了高温（４５０℃）时键合面牢固、稳定。研究结果表明高温压力传感器可以采用静电键合技术进行封装。; 关键词静电键合高温稳定性压力传感器; Keywords Anodic bonding High temperature stability Pressure sensor; 分类号 TH812.06 [机械工程—精密仪器及机械] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响被引量：1: 2; 作者刘晓为郭青理峰张国威刘振茂; 机构哈尔滨工业大学微电子技术教研室哈尔滨工业大学控制工程系; 出处《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期32-37,共6页; 文摘本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响,通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜,经硼离子注入掺杂,杂质浓度均为10^(25)/m^3用X 射线衍射法分析了薄膜晶体结构,悬梁实验测出薄膜应变系数GF 随淀积温度和膜厚的变化。理论分析表明,GF 不仅随晶粒度单调增加,而且与织构情况密切相关,不同织构压阻效应大小不同,〈100〉结构对薄膜压阻效应影响很大。理论结果较好地解释了薄膜GF 与淀积温度和膜厚的实验曲线.; 关键词多晶硅压阻效应薄膜晶体结构; Keywords Polysilicon piezoresistive effect Gauge Factor(GF); 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲镉汞合金组分分布的描述方法被引量：3: 3; 作者蓝慕杰赵显峰周士仁; 机构哈尔滨工业大学微电子技术教研室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期57-58,共2页; 文摘介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合，用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义。该法可用于其它半导体材料的成分分析。; 关键词 HGCDTE 组分分析合金红外探测; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学] TG132 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究: 4; 作者刘振茂赵秀平李志伟张国威权五云; 机构哈尔滨工业大学微电子技术教研室; 出处《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期73-76,共4页; 文摘试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．; 关键词金属化层粘接强度半导体致冷材料; Keywords Thermoelectric cooling couple metallization metallized layer adhesive strengthLiu Zhemao, born in 1935,graduatued from the Department of Semiconductor Physies of JiLin University in 1961.Hie resesch interest include semiconductor devices and their reliab; 分类号 TB64 [一般工业技术—制冷工程] TG49 [金属学及工艺—焊接]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一个新的经济型状态化简软件: 5; 作者陈昕喻明艳叶以正; 机构哈尔滨工业大学微电子技术教研室; 出处《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期80-83,共4页; 文摘介绍以隐含最大相容类集为基础的经济型状态化简新算法。该算法是从最大隐含相容类集得出最小闭覆盖的初始候选集，通过对初始候选集的不断调整，得到化简结果。通过与一个具有代表性的经济型算法软件的比较发现，用该算法实现的软件，除少数情况外，可对大量状态机进行更有效的状态化简。; 关键词时序机状态化简逻辑综合软件 AAMIC算法; Keywords Finite state machine Synchronous sequential machine State minimization,Logic synthesis; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究: 6; 作者武世香陈士芳王东红王喜莲孙淑芳; 机构哈尔滨工业大学微电子技术教研室; 出处《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期46-49,共4页; 文摘在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面普遍优于Ｓｉ３Ｎ４膜同类器件。可直接用于溶液的ｐＨ值测量。; 关键词敏感膜溅射氧化钽半导体; Keywords Ta_2O5 sensitive film reactive sputtering pH value ISFET; 分类号 TN305.92 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	静电键合在高温压力传感器中的应用	王蔚刘晓为刘玉强王喜莲张建才张雪梅	《传感器技术》 CSCD	1999	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响	刘晓为郭青理峰张国威刘振茂	《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1993	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	碲镉汞合金组分分布的描述方法	蓝慕杰赵显峰周士仁	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	1996	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究	刘振茂赵秀平李志伟张国威权五云	《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一个新的经济型状态化简软件	陈昕喻明艳叶以正	《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究	武世香陈士芳王东红王喜莲孙淑芳	《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料