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题名β-SiC粉体中常见金属杂质的亚临界水热去除工艺
被引量：2
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作者
王波
段晓波
邓丽荣
王嘉博
陆树河
王晓刚
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机构
西安科技大学材料科学与工程学院
陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心
咸阳新能源材料产业技术研究院
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出处
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2021年第8期2713-2718,共6页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金(51602254)
陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-737)
咸阳市重大科技专项计划(2019K01-13)。
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文摘
高纯β-SiC粉体作为原料,广泛应用于半导体晶圆、半导体窑具、半导体芯片设备用陶瓷器件等产品。高温高压可以促进水热反应,采用亚临界水热法可去除工业合成β-SiC粉体中的金属杂质。研究不同酸体系下β-SiC粉体中常见金属杂质的去除效果。利用电感耦合等离子原子发射光谱仪(ICP-OES)检测微量元素的含量,通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对β-SiC粉体的物相组成和微观结构进行表征。结果表明,对于Cr和Zr去除效果较好的是HCl体系,对于Ca、Fe、Mg和Ti去除效果较好的是HCl+HF+HNO_(3)体系,对于Al和K去除效果较好的是H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系。采用HCl体系处理的最佳反应温度为200℃,采用HCl+HF+HNO 3体系处理的最佳反应温度是220℃,采用H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系处理的最佳反应温度是200℃。其中,H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系可将β-SiC粉体中常见金属杂质含量降低至最少(杂质总含量为920.31 mg/L),因此该体系为β-SiC粉体除杂的最优方案。
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关键词
β-SiC粉体
水热法
金属杂质
电感耦合等离子体
提纯
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Keywords
β-SiC powder
hydrothermal method
metal impurity
inductively coupled plasma
purification
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分类号
TQ163
[化学工程—高温制品工业]
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题名β-SiC粉体Si杂质的亚临界水热去除工艺
被引量：1
- 2
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作者
王波
段晓波
邓丽荣
陆树河
王晓刚
白枭
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机构
西安科技大学材料科学与工程学院
陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心
咸阳新能源材料产业技术研究院
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出处
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2021年第2期591-596,共6页
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基金
国家自然科学基金青年项目(51602254)
陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-737)
咸阳市重大科技专项计划(2019K01-13)。
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文摘
选用多热源法合成的β-SiC粉体为原料,采用亚临界水热法去除β-SiC粉体中的含Si杂质。通过XRD、SEM、EDS及可见分光光度计等对β-SiC粉体的物相组成、微观结构及Si杂质含量进行表征,重点研究β-SiC粉体中含Si杂质的亚临界水热去除工艺参数优化。结果表明,β-SiC粉体中的含Si杂质主要为SiO 2和游离硅(F·Si),而F·Si主要以大颗粒的形式存在。反应浓度增大、反应时间延长和反应温度升高均有利于提高Si杂质的去除率。最佳水热法处理工艺为:液固比5∶2,NaOH浓度4 mol·L^(-1),反应温度180℃,反应时间4 h。在此工艺下,β-SiC粉体中SiO 2的去除率达到100%,F·Si的去除率为96.4%。
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关键词
β-SiC粉体
水热法
碱处理
Si杂质
提纯
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Keywords
β-SiC powder
hydrothermal method
alkali treatment
Si impurity
purification
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分类号
TQ163
[化学工程—高温制品工业]
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