检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

橘皮素的提取及应用研究进展被引量：6: 1; 作者于宏伟韩卫荣 +3 位作者周二鹏周中高王娟敏胡瑞省《江苏农业科学》 CSCD 北大核心 2012年第3期249-252,共4页; 橘皮素是一种重要的天然多甲基黄酮类化合物,本文主要介绍了橘皮素的提取方法及其应用于有机化学、生命科学等领域的研究进展。; 关键词橘皮素提取有机化学生命科学; 在线阅读下载PDF 职称材料

封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响被引量：3: 2; 作者袁凤坡白欣娇 +3 位作者李帅崔素杭李晓波王静辉《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期712-716,734,共6页; SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研... 展开更多; 关键词 SIC 功率模块热电特性有限元分析空洞率; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有反射电极的高亮度LED芯片设计被引量：4: 3; 作者陈才佳李珅 +1 位作者王静辉李晓波《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期361-364,共4页; 根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率... 展开更多; 关键词电流阻挡层 Al反射镜反射电极化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发; 在线阅读下载PDF 职称材料

LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺被引量：2: 4; 作者周朝旭张保国 +3 位作者王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期842-846,共5页; 针对LED倒装芯片中p-GaN与Ni/Ag/Au金属反射层之间的接触进行了研究,找到最优工艺条件。以光学反射率(455 nm波长)、比接触电阻率(SCR)、样品表面均方根粗糙度(RMS)和倒装芯片电参数测试结果为依据,找出Ni/Ag/Au金属反射层在N2环境下的... 展开更多; 关键词氮化镓发光二极管(LED) 欧姆接触反射层倒装芯片; 在线阅读下载PDF 职称材料

p-GaN与ITO欧姆接触的研究: 5; 作者甄珍珍杨瑞霞王静辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期371-374,389,共5页; 针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电... 展开更多; 关键词氧化铟锡透明导电薄膜 p型氮化镓欧姆接触发光二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响被引量：5: 6; 作者王静辉杨私私 +1 位作者李晓波曹增波《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期347-351,共5页; 近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规... 展开更多; 关键词图形化蓝宝石衬底(PSS) 衬底形貌 GAN基LED 光通量出光性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响被引量：2: 7; 作者李婷婷周玉春 +2 位作者杨路华李晓波王静辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期684-688,696,共6页; 在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管（LED）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED（波长395 nm）光电性能的影响。... 展开更多; 关键词 AlN成核层近紫外LED 蓝宝石图形衬底(PSS) 腐蚀坑密度外量子效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名橘皮素的提取及应用研究进展被引量：6: 1; 作者于宏伟韩卫荣周二鹏周中高王娟敏胡瑞省; 机构石家庄学院化工学院赣南师范学院化学与生命科学学院河北省同辉电子科技股份有限公司; 出处《江苏农业科学》 CSCD 北大核心 2012年第3期249-252,共4页; 基金河北省科学技术研究与发展计划(编号:10215687) 石家庄学院博士基金(编号:200801) 石家庄学院科研启动基金(编号:09YB001); 文摘橘皮素是一种重要的天然多甲基黄酮类化合物,本文主要介绍了橘皮素的提取方法及其应用于有机化学、生命科学等领域的研究进展。; 关键词橘皮素提取有机化学生命科学; 分类号 R284.2 [医药卫生—中药学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响被引量：3: 2; 作者袁凤坡白欣娇李帅崔素杭李晓波王静辉; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所同辉电子科技股份有限公司河北省半导体照明产业技术研究院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期712-716,734,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404); 文摘 SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研究了模块封装工艺与模块热电特性的关系,包括焊层厚度、空洞率及键合参数对模块热特性和寄生参数的影响。结合仿真结果和实测数据得出焊层厚度0.18 mm、键合线直径15 mil(1 mil=25.4μm)、线间距0.3 mm时模块热阻和电特性较理想。其热阻为0.266℃/W,寄生电感为18.159 nH,模块阈值电压小于1.9 V,导通电阻约为6.5 mΩ。; 关键词 SIC 功率模块热电特性有限元分析空洞率; Keywords SiC power module thermoelectric property finite element analysis voidage; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有反射电极的高亮度LED芯片设计被引量：4: 3; 作者陈才佳李珅王静辉李晓波; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所同辉电子科技股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期361-364,共4页; 文摘根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。; 关键词电流阻挡层 Al反射镜反射电极化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发; Keywords current blocking layer A1 reflective mirror reflection electrode chemical vapordeposition （CVD） beam evaporation; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺被引量：2: 4; 作者周朝旭张保国王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室河北同辉电子科技股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期842-846,共5页; 基金河北省科技项目(15211017D); 文摘针对LED倒装芯片中p-GaN与Ni/Ag/Au金属反射层之间的接触进行了研究,找到最优工艺条件。以光学反射率(455 nm波长)、比接触电阻率(SCR)、样品表面均方根粗糙度(RMS)和倒装芯片电参数测试结果为依据,找出Ni/Ag/Au金属反射层在N2环境下的最优退火条件。在不同N2流速、退火时间、退火温度下退火的Ni/Ag/Au金属反射层应用于254μm×559μm的GaN基发光二极管,来减小Ni/Ag/Au金属反射层与p-GaN比接触电阻率,降低LED工作电压及提高光学反射率、增强LED的发光亮度。并分析其在60 mA工作电流下正向电压和光输出功率的变化,在最优条件下制得的LED在直流电流60 mA下的正向平均电压为3.27 V,平均光输出功率为88.9 mW。; 关键词氮化镓发光二极管(LED) 欧姆接触反射层倒装芯片; Keywords GaN light-emitting diode（LED） ohmic contact reflection layer filp chip; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名p-GaN与ITO欧姆接触的研究: 5; 作者甄珍珍杨瑞霞王静辉; 机构河北工业大学信息工程学院河北同辉电子科技股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期371-374,389,共5页; 文摘针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。; 关键词氧化铟锡透明导电薄膜 p型氮化镓欧姆接触发光二极管; Keywords indium tin-oxide（ITO） transparent conductive film p-GaN ohmic contact light-emitting diode（LED）; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响被引量：5: 6; 作者王静辉杨私私李晓波曹增波; 机构同辉电子科技股份有限公司; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期347-351,共5页; 基金电子信息产业发展基金资助项目(工信部财[2013]472号); 文摘近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比。结果表明,在20 m A工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm。采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00%和7.92%。对锥形形貌进行优化,采用高1.69μm、直径2.62μm、间距0.42μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08%,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能。; 关键词图形化蓝宝石衬底(PSS) 衬底形貌 GAN基LED 光通量出光性能; Keywords patterned sapphire substrate （PSS） substrate morphology GaN-based LED luminous flux luminescence property; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响被引量：2: 7; 作者李婷婷周玉春杨路华李晓波王静辉; 机构同辉电子科技股份有限公司内蒙古自治区电子信息产品质量检验院西安中为光电科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期684-688,696,共6页; 基金河北省创新能力提升计划项目(18960607H); 文摘在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管（LED）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED（波长395 nm）光电性能的影响。使用透射电子显微镜对外延层的截面结构及位错进行表征。结果表明,随着AlN成核层厚度的增加,位错密度不断减小,且量子阱表面V形坑尺寸逐渐减小。LED器件的光学性能和电学性能随着V形坑尺寸的减小而提高,归一化外量子效率最大值由0.55增至1;在电流350 m A时,正向电压从3.54 V降至3.45 V,又升高至3.60 V。当AlN成核层厚度超过临界值后,位错密度不降反升,量子阱表面的V形坑密度增加,导致量子阱的有效发光面积减小,外延层质量下降。InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与AlN成核层厚度密切相关,最佳AlN成核层厚度为50.22 nm。; 关键词 AlN成核层近紫外LED 蓝宝石图形衬底(PSS) 腐蚀坑密度外量子效率; Keywords AlN nucleation layer near-UV LED patterned sapphire substrate （PSS） etching pit density external quantum efficiency; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学] TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	橘皮素的提取及应用研究进展	于宏伟韩卫荣周二鹏周中高王娟敏胡瑞省	《江苏农业科学》 CSCD 北大核心	2012	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响	袁凤坡白欣娇李帅崔素杭李晓波王静辉	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	具有反射电极的高亮度LED芯片设计	陈才佳李珅王静辉李晓波	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺	周朝旭张保国王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	p-GaN与ITO欧姆接触的研究	甄珍珍杨瑞霞王静辉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响	王静辉杨私私李晓波曹增波	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响	李婷婷周玉春杨路华李晓波王静辉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料