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白光LED用Ce:YAG单晶的光学性能与掺杂浓度分析 被引量:8
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作者 赵斌宇 梁晓娟 +5 位作者 陈兆平 谢翠萍 骆乐 张志敏 钟家松 向卫东 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期230-236,共7页
采用提拉法生长Ce:YAG单晶,通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征,研究了Ce:YAG单晶封装白光LED的最佳掺杂浓度.在455 nm蓝光激发下, Ce:YAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u... 采用提拉法生长Ce:YAG单晶,通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征,研究了Ce:YAG单晶封装白光LED的最佳掺杂浓度.在455 nm蓝光激发下, Ce:YAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的宽发射带(500~650 nm)组成;激发光谱由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2个激发峰组成;Stokes位移为2448 cm-1, Huang-Rhys因子为6.12.研究结果表明, Ce:YAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系,在650 nm红粉调节下Ce离子最佳掺杂浓度范围为0.034~0.066. 展开更多
关键词 白光LED 铈掺杂钇铝石榴石 光学性能 掺杂浓度
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