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GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究
被引量：
7
1
作者
胡海帆
赵自然
+1 位作者
马旭明
姜寿禄
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第7期235-240,共6页
基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混...
基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230~270GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6~12.7dB,而普通微带线混频器在射频输入220~260GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4~11.4dB。通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好。
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关键词
肖特基势垒二极管
250
GHZ
二次谐波混频器
变频损耗
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职称材料
220 GHz二次谐波混频器集成模块
被引量：
2
2
作者
胡海帆
马旭明
+1 位作者
马喆
王智斌
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021年第10期314-320,共7页
在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特...
在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特基势垒二极管进行三维半导体器件建模计算,依据提取的关键特性参数进行混频器的高频电磁波仿真。通过对该设计方案进行测试,结果表明:当本振频率为110 GHz,功率为7 dBm,射频输入200~240 GHz,混频器的单边带变频损耗为8.6~13 dB,在204~238 GHz的单边带变频损耗为8.6~11.3 dB。当本振频率为108 GHz时,驱动功率仅需3 dBm。此外,基于该混频器模块构建的220 GHz接收机系统,积分时间为700μs时其温度灵敏度为1.3 K。
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关键词
肖特基势垒二极管
220
GHz
二次谐波混频器
线阵列集成
变频损耗
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职称材料
题名
GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究
被引量：
7
1
作者
胡海帆
赵自然
马旭明
姜寿禄
机构
清华大学工程物理系
同方威视技术股份有限公司电磁感知事业部
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第7期235-240,共6页
基金
2017北京市博士后工作经费资助(2017-ZZ-131)
文摘
基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230~270GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6~12.7dB,而普通微带线混频器在射频输入220~260GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4~11.4dB。通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好。
关键词
肖特基势垒二极管
250
GHZ
二次谐波混频器
变频损耗
Keywords
Schottky-barrier diodes
250 GHz
sub-harmonic mixer
conversion loss
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
220 GHz二次谐波混频器集成模块
被引量：
2
2
作者
胡海帆
马旭明
马喆
王智斌
机构
中国航天科工集团第二研究院未来实验室
同方威视技术股份有限公司电磁感知事业部
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021年第10期314-320,共7页
基金
北京市青年骨干人才(98.2019-09-111)。
文摘
在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特基势垒二极管进行三维半导体器件建模计算,依据提取的关键特性参数进行混频器的高频电磁波仿真。通过对该设计方案进行测试,结果表明:当本振频率为110 GHz,功率为7 dBm,射频输入200~240 GHz,混频器的单边带变频损耗为8.6~13 dB,在204~238 GHz的单边带变频损耗为8.6~11.3 dB。当本振频率为108 GHz时,驱动功率仅需3 dBm。此外,基于该混频器模块构建的220 GHz接收机系统,积分时间为700μs时其温度灵敏度为1.3 K。
关键词
肖特基势垒二极管
220
GHz
二次谐波混频器
线阵列集成
变频损耗
Keywords
Schottky-barrier diodes
220 GHz
sub-harmonic mixer
linear array integration
conversion loss
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究
胡海帆
赵自然
马旭明
姜寿禄
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
220 GHz二次谐波混频器集成模块
胡海帆
马旭明
马喆
王智斌
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021
2
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