夏热冬冷地区居住建筑夏季人员开窗行为实测与建模研究 被引量：2

1

作者 刘奕巧 王新如 +2 位作者 崔颖 魏绅 潘嵩 《西部人居环境学刊》 CSCD 2021年第5期15-23,共9页

开关窗是建筑使用者控制室内热环境和改善室内空气品质最直接且简单的手段,同时对建筑节能也有重要影响,因此对人员开关窗行为的定量化描述是非常必要的。本研究通过对夏热冬冷地区——自贡市7户住宅夏季人员开窗行为的实际监测,得到以... 开关窗是建筑使用者控制室内热环境和改善室内空气品质最直接且简单的手段,同时对建筑节能也有重要影响,因此对人员开关窗行为的定量化描述是非常必要的。本研究通过对夏热冬冷地区——自贡市7户住宅夏季人员开窗行为的实际监测,得到以下结论:发现实测样本中存在三种明显差异的典型开窗行为,分别是习惯性开窗型、高强度开窗型和习惯性关窗型;对非环境因素分析得出,一天中不同时段以及家庭成员吸烟与否对开窗概率影响显著,而是否为工作日以及住户所在楼层对开窗概率无明显影响;对于环境因素而言,当室外温度超过32℃,开窗概率开始降低,空调开启比例升高;室外温度超过37℃,空调开启比例达到100%,但开窗比例仍有11.1%;建立了基于二元逻辑回归的夏季高强度开窗行为预测模型,模型的预测准确率达到了86%,而室外温度是该模型最为重要的预测因子。本文的研究成果可以用于细化能耗模拟软件及室内空气品质评价软件对该类型住宅建筑开窗行为特征的描述,对住宅建筑节能设计、运行、改造以及住宅室内空气品质和热舒适研究均有一定程度的参考意义。 展开更多

关键词 夏热冬冷地区 居住建筑 典型开窗行为 预测模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

ε-Ga_(2)O_(3)晶体及其本征缺陷的第一性原理研究

2

作者 郭满意 吴佳兴 +4 位作者 杨帆 王超 王艳杰 迟耀丹 杨小天 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期212-218,共7页

为了探究本征缺陷导电特性,本文采用第一性原理计算方法对ε-Ga_(2)O_(3)进行计算。首先计算ε-Ga 2O 3的晶格常数、能带间隙、态密度和能带结构,然后计算含有多种本征缺陷的ε-Ga_(2)O_(3)的态密度和能带结构,分析了它们的电学性质。... 为了探究本征缺陷导电特性,本文采用第一性原理计算方法对ε-Ga_(2)O_(3)进行计算。首先计算ε-Ga 2O 3的晶格常数、能带间隙、态密度和能带结构,然后计算含有多种本征缺陷的ε-Ga_(2)O_(3)的态密度和能带结构,分析了它们的电学性质。计算结果表明:ε-Ga_(2)O_(3)为直接带隙半导体,禁带宽度为4.26 eV,光吸收系数峰值在80 nm左右,在450 nm处接近零。在本征缺陷中,不同点位Ga空位缺陷使ε-Ga_(2)O_(3)呈现出p型导电特性,不同点位O空位缺陷没有改变ε-Ga_(2)O_(3)的导电特性;O取代Ga之后,ε-Ga_(2)O_(3)呈现p型导电特性;Ga取代O之后,ε-Ga_(2)O_(3)呈现n型导电特性;引入O填隙的ε-Ga_(2)O_(3)的导电特性没有变化;Ga填隙时ε-Ga_(2)O_(3)呈现n型导电特性。 展开更多

关键词 ε-Ga_(2)O_(3)晶体 态密度 能带结构 导电特性 第一性原理 密度泛函理论

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧化锌锡薄膜晶体管的制备与性能研究 被引量：1

3

作者 初学峰 胡小军 +2 位作者 张祺 黄林茂 谢意含 《液晶与显示》 CSCD 北大核心 2024年第1期40-47,共8页

为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO... 为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试,利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响,探索高性能薄膜晶体管的原理机制。实验结果表明,所有ZTO薄膜样品是非晶结构,表面致密,透光率均大于90%。适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能。在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好,其饱和迁移率达到了15.61 cm^(2)/(V·s),亚阈值摆幅为0.30 V/decade,阈值电压为-5.06 V,电流开关比为8.92×10^(9)。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 溅射功率 XPS分析 ZTO薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析 被引量：1

4

作者 初学峰 黄林茂 +2 位作者 张祺 谢意含 胡小军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期848-854,共7页

本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样... 本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样品的表面较为均匀。通过X射线光电子能谱仪(XPS)表征薄膜样品表面的元素、组成、价态和电子态信息,结果表明制备方式与退火处理等因素影响了薄膜样品表面的元素组成与价态,这些信息与薄膜的电学和光学性能具有一定的关联。上述研究结果可以为新型透明导电薄膜的设计和性能提升提供参考。 展开更多

关键词 透明导电氧化物 磁控溅射 退火 表面形貌 X射线光电子能谱 透过率

在线阅读 下载PDF 职称材料

不同退火氛围下MgZnO-TFT的制备及其性能

5

作者 王超 郝云鹏 +2 位作者 郭亮 杨帆 乔国光 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1295-1303,共9页

为探求退火氛围对镁锌氧化物薄膜晶体管性能的影响,本文采用射频磁控溅射法制备了MgZnO薄膜,并以其为沟道层构建了底栅顶接触结构的MgZnO-TFT器件。将所制备的MgZnO薄膜分别在空气、真空、氧气、氮气4种不同氛围下进行500℃、时长1 h的... 为探求退火氛围对镁锌氧化物薄膜晶体管性能的影响,本文采用射频磁控溅射法制备了MgZnO薄膜,并以其为沟道层构建了底栅顶接触结构的MgZnO-TFT器件。将所制备的MgZnO薄膜分别在空气、真空、氧气、氮气4种不同氛围下进行500℃、时长1 h的退火处理,通过原子力显微镜扫描(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)技术对薄膜进行表征分析,结果表明,在真空氛围下退火处理后,MgZnO薄膜质量较好,器件性能最佳,场效应迁移率为0.29 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),阈值电压为2.28 V,亚阈值摆幅为3.6 V·dec^(-1),电流开关比为1.68×10^(6)。分析认为,这可能是由于在真空氛围下退火时可以在一定程度上隔绝外界干扰,有效避免了有源层薄膜缺陷的产生。同时我们研究测试了器件的正偏压应力(PBS)和负偏压应力(NBS)的稳定性。在不同栅偏压应力下,TFT均展现了良好的稳定性。在正偏置压力为10 V、应力时间为3000 s时,相比ZnO-TFT,真空氛围下进行退火优化的MgZnO-TFT阈值电压漂移从1.38 V降低至0.54 V。结果表明,在氧化锌中掺杂镁元素制备MgZnO薄膜作为TFT的有源层对TFT器件的电学稳定性有一定程度的改善。 展开更多

关键词 MgZnO-TFT 退火氛围 XPS 稳定性

在线阅读 下载PDF 职称材料

改进粒子群算法在光伏MPPT中的应用 被引量：11

6

作者 迟耀丹 陈兵 +2 位作者 徐红伟 赵阳 李腾 《电源技术》 CAS 北大核心 2022年第4期441-444,共4页

在光伏阵列受到局部阴影遮挡条件下,针对光伏阵列的功率-电压(P-V)输出特性曲线在多峰值状态下的最大功率点跟踪(maximum power point tracking,MPPT)问题,通过对粒子群(particle swarm optimization,PSO)算法的改进,提出了一种基于新... 在光伏阵列受到局部阴影遮挡条件下,针对光伏阵列的功率-电压(P-V)输出特性曲线在多峰值状态下的最大功率点跟踪(maximum power point tracking,MPPT)问题,通过对粒子群(particle swarm optimization,PSO)算法的改进,提出了一种基于新型粒子群(novel particle swarm optimization,NPSO)算法的MPPT方法(以下简称NPSO_MPPT算法)。NPSO算法通过将种群粒子分为收敛粒子和自由粒子两类,提高了原始PSO算法的全局搜索能力。在Simulink环境下,分别对P&O、基于PSO算法的MPPT方法(以下简称PSO_MPPT算法)和NPSO_MPPT算法进行仿真测试,仿真结果表明,NPSO_MPPT算法相比较现有的P&O和PSO_MPPT算法,具有发电效率高和不易陷入局部功率极大值等优点。 展开更多

关键词 光伏阵列 局部阴影 最大功率点跟踪 粒子群算法

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于重复扫描法的光伏MPPT算法的研究 被引量：1

7

作者 迟耀丹 陈兵 +2 位作者 赵阳 战冬梅 王琰妮 《可再生能源》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1031-1037,共7页

当光伏阵列受到不均匀光照时,其P-V(功率-电压)输出特性曲线会出现多极值的情况。为了解决传统的MPPT算法容易陷入局部功率极大值的问题,文章通过对光伏阵列的输出特性和现有MPPT算法的深入研究,提出了一种重复扫描法MPPT算法。在Simul... 当光伏阵列受到不均匀光照时,其P-V(功率-电压)输出特性曲线会出现多极值的情况。为了解决传统的MPPT算法容易陷入局部功率极大值的问题,文章通过对光伏阵列的输出特性和现有MPPT算法的深入研究,提出了一种重复扫描法MPPT算法。在Simulink环境下,分别对P&O(扰动观测法)、基于PSO(粒子群)算法的MPPT算法和重复扫描法MPPT算法进行了仿真测试。试验结果表明,重复扫描法MPPT算法具有振荡幅度小、跟踪速度快和跟踪成功率高等优点。 展开更多

关键词 光伏发电 局部阴影 MPPT 重复扫描法 粒子群算法

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧氩比对Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管电学性能的影响

8

作者 王超 刘芙男 +2 位作者 杨帆 张含悦 杨小天 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1623-1629,共7页

为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适... 为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适用于新一代薄膜晶体管的发展。采用磁控溅射方法制备了Ta_(2)O_(5)薄膜,并以Ta_(2)O_(5)作为栅介质制备了AZO-TFT。研究了氧氩比条件对Ta_(2)O_(5)薄膜性质的影响,以及对AZO-TFT电学性能的影响;分析了Ta_(2)O_(5)薄膜的表面形貌及粗糙度对薄膜晶体管性能的影响;最后,对比了SiO_(2)栅介质与Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管的电学性能。实验结果表明氧氩比为10∶90时Ta_(2)O_(5)栅介质TFT器件电学性能最优,与传统SiO_(2)栅介质TFT相比,电流开关比由1.02×10^(3)提升到2×10^(4),亚阈值摆幅从5 V·dec^(-1)降到1.5 V·dec^(-1),迁移率从1.6 cm^(2)/(V·s)增加到12.2 cm^(2)/(V·s),器件电学性能得到一定改善。 展开更多

关键词 Ta_(2)O_(5)栅介质 薄膜晶体管 磁控溅射 氧氩比

在线阅读 下载PDF 职称材料

聚乙烯醇基底上氧化物薄膜晶体管的制备及其特性 被引量：2

9

作者 蔡乾顺 杨帆 +2 位作者 王超 王艳杰 杨小天 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1546-1552,共7页

本文介绍了聚乙烯醇(PVA)衬底薄膜晶体管(TFT)的器件制备、电学性能分析和器件溶解特性的演示。该器件以高介电材料氧化铪(HfO_(2))作为绝缘层,铝掺杂氧化锌(AZO)作为有源层,铝作为栅极、源级与漏极。采用低温磁控溅射(PVD)法成功在PVA... 本文介绍了聚乙烯醇(PVA)衬底薄膜晶体管(TFT)的器件制备、电学性能分析和器件溶解特性的演示。该器件以高介电材料氧化铪(HfO_(2))作为绝缘层,铝掺杂氧化锌(AZO)作为有源层,铝作为栅极、源级与漏极。采用低温磁控溅射(PVD)法成功在PVA衬底上制备出高介电常数(高k)绝缘层的薄膜晶体管,并基于该器件的绝缘层结构做了进一步优化:利用氧化铪(HfO_(2))氧化铝(Al_(2)O_(3))的叠层结构作为绝缘层。结果表明相比于单层氧化铪绝缘层结构的TFT,叠层结构绝缘层的TFT器件性能更优,具有更低的漏电流、更高的开关比和较低的亚阈值摆幅,更适合作为聚乙烯醇衬底薄膜晶体管的绝缘层。“三明治”叠层结构绝缘层的器件开/关比达到2.5×10^(6),阈值电压为10.6 V,亚阈值摆幅为0.53 V·dec^(-1),载流子迁移率为3.01 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 瞬态电子学 聚乙烯醇(PVA) 可溶解 叠层结构绝缘层

在线阅读 下载PDF 职称材料

柔性H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅介质ZnO薄膜晶体管 被引量：1

10

作者 胡伟涛 杨帆 +3 位作者 杨小天 王超 王艳杰 孙名扬 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第10期1310-1316,共7页

为了有效提高柔性薄膜晶体管的电学性能,室温条件下,在聚酰亚胺(PI)衬底上使用H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)两种高介电常数材料相结合的叠层结构代替单层Ta_(2)O_(5)作为栅电介质,探究其对器件电学性能的影响。采用磁控溅射法制备薄膜,研究... 为了有效提高柔性薄膜晶体管的电学性能,室温条件下,在聚酰亚胺(PI)衬底上使用H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)两种高介电常数材料相结合的叠层结构代替单层Ta_(2)O_(5)作为栅电介质,探究其对器件电学性能的影响。采用磁控溅射法制备薄膜,研究了叠层栅电介质结构中Ta_(2)O_(5)层在不同溅射时长、不同氧氩比条件下对于器件电学性能的影响,并进行H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅电介质器件与Ta_(2)O_(5)单层栅电介质器件的比较。结果表明,Ta_(2)O_(5)栅电介质层在溅射时长为1 h、氧氩比为10∶90时,器件电学性能达到最佳。叠层栅电介质结构的引入显著提高了器件电学性能,电流开关比为1.27×10^(6),阈值电压为9.1 V,亚阈值摆幅为0.54 V/decade,载流子迁移率为7.03 cm^(2)/(V·s)。 展开更多

关键词 PI 叠层栅电介质 磁控溅射法 溅射时长 氧氩比

在线阅读 下载PDF 职称材料

溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响 被引量：1

11

作者 李慧 杨小天 +3 位作者 王艳杰 王超 杨帆 聂晓渊 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1439-1445,共7页

为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能,本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO),并制备成薄膜晶体管(TFT)器件,研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响,并对WZO薄膜进行表征。实验结果表明,W... 为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能,本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO),并制备成薄膜晶体管(TFT)器件,研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响,并对WZO薄膜进行表征。实验结果表明,W的溅射功率会影响薄膜的结晶质量。随着W溅射功率的增加,薄膜结晶质量逐渐变好。达到某个值后继续增加W的溅射功率,薄膜结晶质量并没有很大的改善。本文中研究的WZO薄膜均在(002)晶面择优生长,且当W的溅射功率为2 W时,WZO薄膜晶体管综合性能最好,开关比达到5.24×10^(5),阈值电压为16.89 V,在400~1 400 nm波段平均透过率达到90%。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 氧化锌钨薄膜 钨的溅射功率

在线阅读 下载PDF 职称材料

有源层厚度对Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管和反相器性能的影响

12

作者 库来哲 王超 +6 位作者 郭亮 王杰阳 初学峰 杨帆 郝云鹏 高寒松 赵洋 《液晶与显示》 2025年第9期1258-1267,共10页

为探究有源层厚度对铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜晶体管(TFT)及反相器性能的影响,推动其在逻辑电路中的应用,本文采用射频磁控溅射法制备不同厚度的AZTO薄膜,以其为有源层构建底栅顶接触结构的AZTO-TFT器件。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、... 为探究有源层厚度对铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜晶体管(TFT)及反相器性能的影响,推动其在逻辑电路中的应用,本文采用射频磁控溅射法制备不同厚度的AZTO薄膜,以其为有源层构建底栅顶接触结构的AZTO-TFT器件。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)表征薄膜微观结构与成分,测试器件的电学性能。研究发现,随AZTO有源层厚度增加,氧空位浓度逐渐上升。适度氧空位可减弱缺陷与杂质对载流子的散射作用,降低传输阻力,进而提升场效应迁移率;同时,开启状态下器件可通过更多载流子,源漏电流增大,开关比提高。结果表明,在有源层厚度为82 nm时,AZTO薄膜质量最好,器件性能最佳,场效应迁移率为7.47 cm^(2)·V^(−1)·s^(−1),阈值电压为14.25 V,亚阈值摆幅为1.35 V/dec,电流开关比为6.16×10^(7)。基于该优化条件制备的电阻负载型反相器在电源电压(VDD)为25 V时取得了8.8的高增益,且具备全摆幅特性与良好的噪声容限,可有效驱动逻辑电路下一级元件。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 AZTO 电阻负载型反相器

在线阅读 下载PDF 职称材料