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As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
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作者 管和松 李万成 +3 位作者 高福斌 吴国光 夏小川 杜国同 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期308-310,共3页
利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的Zn... 利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。 展开更多
关键词 ZNO GAAS XPS 受主
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a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计 被引量:14
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作者 张彤 郭小军 +4 位作者 赵毅 李春星 许武 王丽杰 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期332-337,共6页
主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了... 主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。 展开更多
关键词 有机发光二极管 薄膜晶体管 有源驱动 参数优化 布图设计 仿真 OLED 显示屏 非晶硅薄膜晶体管阵列
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新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质 被引量:7
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作者 白青龙 张春花 +3 位作者 程传辉 李万程 申人升 杜国同 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1195-1200,共6页
以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发... 以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件,研究其电致发光性质.结果表明,固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145nm以上,而且都有不同程度的宽展.在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大.电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致,大约在856和862nm左右.在固态下酞菁分子排列紧密,分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移. 展开更多
关键词 可溶性酞菁 合成 光致发光 电致发光 红移
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彩色有源OLED显示屏上像素仿真及外围驱动电路设计 被引量:7
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作者 才华 司玉娟 +1 位作者 郎六琪 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期618-623,共6页
有机发光二极管(O rgan ic L ight Em itting D iode,OLED)由于高对比度、高亮度、超薄、低功耗、宽视野、快响应速度等特性,日益引起人们的兴趣。通过对部分周边驱动电路集成于衬底的2英寸(5.08 cm,64×3×80)有源矩阵显示屏(A... 有机发光二极管(O rgan ic L ight Em itting D iode,OLED)由于高对比度、高亮度、超薄、低功耗、宽视野、快响应速度等特性,日益引起人们的兴趣。通过对部分周边驱动电路集成于衬底的2英寸(5.08 cm,64×3×80)有源矩阵显示屏(Active M atrix OLED,AMOLED)上像素驱动电路的仿真,确定彩色OLED显示屏维持白平衡时R、G、B三种OLED所需的驱动电压、电流等工作参数。OLED的发光亮度和电压并不是线性关系,为了维持显示屏的色彩均衡性,对图像数据编码进行校正,保证了灰阶电压与发光亮度呈线性变化。从BMP格式的文件中提取出图像数据部分,进行数据变换,生成符合INTEL HEX文件格式并且满足D/A输出要求的数据文件,刻录到E2PROM中,完成外围驱动电路所需要的图像数据准备。AMOLED显示屏采用逐行扫描的显示方式,因此外围驱动电路的目的是要在行、列扫描有效的同时,为每个像素送入相应的灰阶数据。现在,OLED专用驱动芯片比较少见,而液晶驱动芯片具有集成度高,电压输出范围大等优点,尤其是其内部集成了数据移位寄存器、数据锁存器、D/A转换器等电路,所以设计了基于FPGA和TFT-LCD液晶驱动芯片的外围驱动电路,实现了AMOLED显示屏的彩色图像显示。 展开更多
关键词 有源OLED 像素驱动电路 仿真 灰阶 外围驱动电路
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溶剂热法直接合成酞菁铜晶体 被引量:5
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作者 夏道成 于书坤 +7 位作者 马春雨 程传辉 郭振强 纪冬梅 范昭奇 杜锡光 王旭 杜国同 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期244-246,共3页
以喹啉为溶剂,在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应,降至室温后得到长10.5mm针状的酞菁铜单晶,最佳的反应条件:以10mL喹啉为溶剂,于270℃反应8h,产率为51.3%.
关键词 溶剂热合成 酞菁铜 单晶 喹啉
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聚(2,5-二丁氧基)对苯乙炔的合成、表征及发光性能研究 被引量:3
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作者 哈斯乌力吉 黄宗浩 +4 位作者 段雪梅 关宏宇 康博南 李光哲 王荣顺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期440-441,共2页
用强碱诱导的脱氯化氢法合成了发光聚合物聚 (2 ,5 二丁氧基 )对苯乙炔 (PDBOPV) ,并与前聚物路线合成法进行了比较。脱氯化氢法具有反应时间短和产率高等优点 ,而且不需要进行高温处理 ,有利于相关器件的制备。用紫外、红外光谱和1H ... 用强碱诱导的脱氯化氢法合成了发光聚合物聚 (2 ,5 二丁氧基 )对苯乙炔 (PDBOPV) ,并与前聚物路线合成法进行了比较。脱氯化氢法具有反应时间短和产率高等优点 ,而且不需要进行高温处理 ,有利于相关器件的制备。用紫外、红外光谱和1H NMR对聚 (2 ,5 二丁氧基 )对苯乙炔进行了表征 ,测定了荧光 (PL)光谱 。 展开更多
关键词 发光性能 发光聚合物 脱氯化氢法 荧光光谱 聚对苯乙炔
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新型可溶性酞菁的合成及谱学性质研究 被引量:4
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作者 夏道成 李杰筠 +2 位作者 李万程 冯锋 李丹 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期3793-3796,共4页
近百年来,因为酞菁在信息等很多领域都有很广泛的应用,所以一直是科学家研究的热点课题。随着科技的不断发展,人类社会不断进步的需要,具有新功能的新式酞菁合成工作,依旧是酞菁科技工作者的目标。为此,改变合成路线,合成了新型的酞菁材... 近百年来,因为酞菁在信息等很多领域都有很广泛的应用,所以一直是科学家研究的热点课题。随着科技的不断发展,人类社会不断进步的需要,具有新功能的新式酞菁合成工作,依旧是酞菁科技工作者的目标。为此,改变合成路线,合成了新型的酞菁材料:4,8,15,22-四[3,3-4(羟苯基)-3H-异苯并呋喃酮]酞菁镍(铜),3-[3,3-二(4-羟苯基)-3H-异苯并呋喃酮]邻苯二腈分别与铜和镍盐反应,以正戊醇为溶剂,用1,8-二氮杂二环(5,4,0)十一碳-7-烯(DBU)为催化剂,在一定温度下合成4,8,15,22-四[3,3-二(4-羟苯基)-3H-异苯并呋喃酮]酞菁。通过对合成产物进行测定,证明合成物质是目标产物,并研究其相关紫外光谱,荧光光谱和光致发光光谱的谱学性质。 展开更多
关键词 金属 酞菁 光谱 性质
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1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜的合成及性质研究 被引量:2
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作者 夏道成 李万程 +7 位作者 李洁筠 王改萍 段宏伟 任旭文 冯凯 李佩陶 王慧芳 蒲改琴 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2292-2296,共5页
对新型取代基酞菁和酞菁晶体合成和性质进行了研究。因为酞菁在信息、医疗、化工等众多领域有很广泛的应用,所以近百年来一直是科学家研究的热点课题。酞菁经过近百年的研究,科学家已经合成了上万种酞菁衍生物,但是,随着科技的不断进步... 对新型取代基酞菁和酞菁晶体合成和性质进行了研究。因为酞菁在信息、医疗、化工等众多领域有很广泛的应用,所以近百年来一直是科学家研究的热点课题。酞菁经过近百年的研究,科学家已经合成了上万种酞菁衍生物,但是,随着科技的不断进步,人类社会不断发展的需求,具有新特性的新型酞菁的获得仍是相关科技工作者孜孜以求的目标。为此,在本论文中,我们改进了合成方法,合成了新型的桥联酞菁材料:1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜,表征其结构。并研究电化学性质。首先以丙二酸和3,6-二羟基邻苯二腈为起始原料,以水为溶剂,加入浓硫酸作为催化剂,先合成前体,即丙二酸3,3′-二(6–羟基邻苯二腈)脂。然后再用丙二酸3,3′-二(6-羟基邻苯二腈)脂与一水合乙酸铜,以正戊醇为溶剂,以DBU为催化剂,合成了1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜,其分子式是C38H16N8O12Cu。对1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22–二(桥联二丙羧基)酞菁铜进行紫外吸收及荧光光谱测定,证明合成产物是目标产物,并研究了1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜的电化学性质。 展开更多
关键词 3 6-二羟基邻苯二腈 丙二酸 金属酞菁配合物 合成
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新型不对称酞菁的制备与表征 被引量:3
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作者 夏道成 姚继欢 +2 位作者 李万程 白青龙 杜国同 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期137-139,共3页
以4-(对叔丁基苯氧基)邻苯二腈、1,3-二亚胺基异吲哚啉和二水乙酸合铜为原料合成了2(3)-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜,并通过元素分析、红外、紫外-可见光谱和质谱的表征证实产物即为目标化合物.
关键词 不对称酞菁 制备 表征
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Tb(Asprin)3Phen/SiO2壳/核型纳米材料的合成和光学性质 被引量:2
10
作者 王艳 秦伟平 +7 位作者 张继森 曹春燕 张继双 金叶 朱培芬 尉国栋 王丽丽 王国凤 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1081-1085,共5页
利用W/O微乳液方法合成了直径为40nm的具有类壳/核结构的Tb(Asprin)3Phen/SiO2纳米球。透射电子显微镜(TEM)证实了该纳米球具有尺寸均一,分散性好的特点。另外,通过TEOS与APS在微乳液中同时水解,在材料的表面引入了大量的氨基,为材料的... 利用W/O微乳液方法合成了直径为40nm的具有类壳/核结构的Tb(Asprin)3Phen/SiO2纳米球。透射电子显微镜(TEM)证实了该纳米球具有尺寸均一,分散性好的特点。另外,通过TEOS与APS在微乳液中同时水解,在材料的表面引入了大量的氨基,为材料的生物应用提供了有利的条件。红外光谱(FT-IR)和光致发光光谱分析也显示了这种材料在生物领域中有着潜在的应用前景。 展开更多
关键词 稀土 微乳液 壳/核结构 乙酰水杨酸
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自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性 被引量:2
11
作者 孙剑 白亦真 +2 位作者 杨天鹏 孙景昌 杜国同 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期822-826,共5页
采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜,并研究了薄膜的生长特性和电学特性.结果表明,在基片温度为600℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀,取向较一致,为c轴取向生长.其载流... 采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜,并研究了薄膜的生长特性和电学特性.结果表明,在基片温度为600℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀,取向较一致,为c轴取向生长.其载流子迁移率为3.79 cm2/(V.s). 展开更多
关键词 声表面波滤波器 金刚石 ZNO薄膜 金属有机化合物气相沉积
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聚合物阵列波导光栅的制作技术 被引量:2
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作者 张国伟 鄂书林 +3 位作者 邓文渊 许英朝 唐晓辉 张大明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期413-416,共4页
研究了聚合物阵列波导光栅AWG制作的几个关键技术。首先,为了克服反应离子刻蚀过程中单独使用光刻胶作掩膜而导致的光波导形状和尺寸偏离设计的缺点,采用了光刻胶与金属掩膜相结合的双掩膜技术进行器件制作。详细介绍了双掩膜技术制备... 研究了聚合物阵列波导光栅AWG制作的几个关键技术。首先,为了克服反应离子刻蚀过程中单独使用光刻胶作掩膜而导致的光波导形状和尺寸偏离设计的缺点,采用了光刻胶与金属掩膜相结合的双掩膜技术进行器件制作。详细介绍了双掩膜技术制备聚合物AWG的过程,并得出铝膜作为掩膜的最佳厚度为100nm左右。测试给出了使用和没有使用双掩膜的对比结果,该结果表明使用双掩膜技术制作的波导质量明显好于单独使用光刻胶作掩膜制作的结果。其次,采用蒸气回溶技术来减小反应离子刻蚀产生的波导表面和侧壁的起伏,从而降低了波导的散射损耗。结果表明,蒸气回溶技术使所制作的波导表面的均方根粗糙度从41.307 nm降低到24.564 nm。 展开更多
关键词 聚合物阵列波导光栅 双掩膜 蒸气回溶
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甲氧基苯氧基取代1:3和3:1不对称酞菁锌的合成及光谱性质 被引量:2
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作者 白青龙 张春花 +4 位作者 程传辉 李万程 申仁升 杜国同 赵龙 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期42-44,共3页
以4-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料合成了4-甲氧基苯氧基邻苯二腈,在醋酸锌存在条件下,再将4-甲氧基苯氧基邻苯二腈和邻苯二腈按1∶9和9∶1比例混合,反应后分别得到了β-一(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌和β-三(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通... 以4-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料合成了4-甲氧基苯氧基邻苯二腈,在醋酸锌存在条件下,再将4-甲氧基苯氧基邻苯二腈和邻苯二腈按1∶9和9∶1比例混合,反应后分别得到了β-一(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌和β-三(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过IR光谱,紫外-可见光谱和质谱表征了其结构,并讨论了取代基数目对酞菁Q带最大吸收波长的影响,结果表明,取代基数目增多,其Q带最大吸收波长红移。 展开更多
关键词 不对称酞菁 合成 紫外可见光谱 红移
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用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析 被引量:1
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作者 张彤 王丽杰 +3 位作者 许武 郭小军 赵毅 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第4期286-292,共7页
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于O... 在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。 展开更多
关键词 OLED A-SI TFT 有源驱动 穿通效应 布图设计 仿真模拟
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MEH-PPV薄膜及其与金属喹啉配合物共混薄膜光伏特性的研究 被引量:1
15
作者 黄宗浩 康博南 +3 位作者 张文 陈莉 阎尔云 辛毅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期572-574,共3页
研究了电子聚合物MEH PPV及其与金属喹啉配合物BAlq共混薄膜的光伏特性。测试结果表明:(1)共混膜中MEH PPV与BAlq发生了纳米级的相分离并形成互相渗透的结构,十分有利于光生激子离解为空穴和电子的过程及载流子在薄膜内的输运;(2)共混... 研究了电子聚合物MEH PPV及其与金属喹啉配合物BAlq共混薄膜的光伏特性。测试结果表明:(1)共混膜中MEH PPV与BAlq发生了纳米级的相分离并形成互相渗透的结构,十分有利于光生激子离解为空穴和电子的过程及载流子在薄膜内的输运;(2)共混后的聚合物光伏器件的短路电流比共混前提高了200余倍。 展开更多
关键词 MEH—PPV 金属喹啉配合物 共混膜 光伏特性
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新型八取代酞菁谱学性质研究 被引量:1
16
作者 夏道成 李万程 +3 位作者 王洪富 郑新星 郭艳杰 杨旭青 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2171-2175,共5页
对1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁基酞菁铜、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代丁酸甲酯基酞菁锰、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁铜、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁锌这四种新型八取代酞菁的红外光谱、紫外... 对1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁基酞菁铜、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代丁酸甲酯基酞菁锰、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁铜、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁锌这四种新型八取代酞菁的红外光谱、紫外光谱和荧光光谱的性质进行了研究与比较。这四种酞菁在红外光谱中没有规律可循;在紫外光谱中这四种酞菁的特征吸收带的大小顺序为:酞菁铜(1)>酞菁锌(4)>于酞菁铜(3)>于酞菁锰(2);在荧光光谱中酞菁铜(1)>酞菁锰(2)>酞菁铜(3)>酞菁锌(4)荧光光谱发射光谱峰。原因主要是和配体的不同和中心配位为金属原子不同引起的。 展开更多
关键词 酞菁 新型 八取代 性质
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氮杂酞菁铜aza-CuPc的合成与晶体结构 被引量:1
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作者 姜文海 王旭 +4 位作者 马春雨 于书坤 叶开其 常玉春 杜国同 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2263-2265,共3页
The azaanalog of copper phthalocyanine(azaCuPc) complex C 24H 8CuN 16 was prepared by the so- lid phase synthesis technology and its single crystals was characterized by high power Xray from the synchrotron radi... The azaanalog of copper phthalocyanine(azaCuPc) complex C 24H 8CuN 16 was prepared by the so- lid phase synthesis technology and its single crystals was characterized by high power Xray from the synchrotron radiation. The crystal belongs to monoclinic system, space group P21/n with a=1.612 3(3) nm, b= 0.529 40(11) nm, c=1.906 4(4) nm, β=105.25(3)°, V=1.569 9(5) nm, Z=2, Mr=584.00, Dc=1.235 g/cm3, F(000)=586, the final R=0.063 1 and wR=0.153 9 for 757 observed reflections with I>2σ(I), GOF=1.340. 展开更多
关键词 固相法合成 氮杂酞菁铜 同步辐射 晶体结构
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聚合物微型谐振环波分复用器 被引量:1
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作者 鄂书林 邓文渊 +5 位作者 王鹏飞 李晓强 马春生 张大明 崔占臣 孙德贵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期538-541,共4页
研制出用于现代光通信密集波分复用(DWDM)系统的微型谐振环波分复用器(MRRWM)。微环与信道波导采用垂直耦合的方式,利用耦合模理论对器件参数进行了优化设计,设计出模板,并研制出符合器件光学性能要求的聚合物材料。利用反应离子刻蚀技... 研制出用于现代光通信密集波分复用(DWDM)系统的微型谐振环波分复用器(MRRWM)。微环与信道波导采用垂直耦合的方式,利用耦合模理论对器件参数进行了优化设计,设计出模板,并研制出符合器件光学性能要求的聚合物材料。利用反应离子刻蚀技术完成了硅基板上单级和八级的器件制作,波分复用器的中心波长为1.55μm,输出波长间隔Δλ=1.6 nm,中心微环半径R=131.95μm,相邻微环半径差ΔR=500.0 nm,器件测试结果表明实现了微环谐振输出。 展开更多
关键词 密集波分复用(DWDM) 微型谐振环 波分复用器 聚合物
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新型酞菁的光致发光性质研究 被引量:1
19
作者 夏道成 高福斌 +4 位作者 马春雨 于书坤 纪冬梅 杜锡光 杜国同 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1745-1748,共4页
研究了2,3-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200nm厚)在300K下光致发光光谱。氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300K下出现... 研究了2,3-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200nm厚)在300K下光致发光光谱。氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300K下出现了1 673nm激基缔合物峰。该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300K激基缔合物峰比在177K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因。随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强。由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1140nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大。浇铸膜的发光峰的半高宽为300nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100nm左右。 展开更多
关键词 激基缔合物峰 真空镀膜 浇铸膜
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自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究 被引量:1
20
作者 孙剑 杨天鹏 +3 位作者 白亦真 徐艺滨 王新胜 杜国同 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期140-142,共3页
ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉积金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,扫描电子显微镜和室温光荧光谱对薄膜质量进行了... ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉积金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,扫描电子显微镜和室温光荧光谱对薄膜质量进行了表征.结果表明得到的ZnO薄膜取向一致,表面较均匀,光学质量良好. 展开更多
关键词 声表面波滤波器 金刚石 ZNO薄膜 金属有机化合物气相沉积
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