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As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
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作者 管和松 李万成 +3 位作者 高福斌 吴国光 夏小川 杜国同 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期308-310,共3页
利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的Zn... 利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。 展开更多
关键词 ZNO GAAS XPS 受主
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阵列光电池及其在增量式光电编码器的应用
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作者 毕克 侯景富 +2 位作者 许添越 张宇 张铁强 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2014年第3期254-257,共4页
为解决航空航天仪器小型化问题,以光电池阵列结构代替狭缝功能,将狭缝与光电池合二为一,使光的二次衍射变为一次衍射,以提高信号质量。由于光电池采用了阵列结构,缩小了面积,降低光源不均匀等影响,安装调试方便,有利于产业化生产和航空... 为解决航空航天仪器小型化问题,以光电池阵列结构代替狭缝功能,将狭缝与光电池合二为一,使光的二次衍射变为一次衍射,以提高信号质量。由于光电池采用了阵列结构,缩小了面积,降低光源不均匀等影响,安装调试方便,有利于产业化生产和航空航天仪器的小型化。实践证明,取消狭缝,采用阵列光电池既提高了信号质量,又降低了加工成本,是增量式光电编码器的重要改进。 展开更多
关键词 光电编码器 阵列光电池 码盘 狭缝
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a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计 被引量:14
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作者 张彤 郭小军 +4 位作者 赵毅 李春星 许武 王丽杰 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期332-337,共6页
主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了... 主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。 展开更多
关键词 有机发光二极管 薄膜晶体管 有源驱动 参数优化 布图设计 仿真 OLED 显示屏 非晶硅薄膜晶体管阵列
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新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质 被引量:7
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作者 白青龙 张春花 +3 位作者 程传辉 李万程 申人升 杜国同 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1195-1200,共6页
以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发... 以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件,研究其电致发光性质.结果表明,固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145nm以上,而且都有不同程度的宽展.在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大.电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致,大约在856和862nm左右.在固态下酞菁分子排列紧密,分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移. 展开更多
关键词 可溶性酞菁 合成 光致发光 电致发光 红移
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彩色有源OLED显示屏上像素仿真及外围驱动电路设计 被引量:7
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作者 才华 司玉娟 +1 位作者 郎六琪 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期618-623,共6页
有机发光二极管(O rgan ic L ight Em itting D iode,OLED)由于高对比度、高亮度、超薄、低功耗、宽视野、快响应速度等特性,日益引起人们的兴趣。通过对部分周边驱动电路集成于衬底的2英寸(5.08 cm,64×3×80)有源矩阵显示屏(A... 有机发光二极管(O rgan ic L ight Em itting D iode,OLED)由于高对比度、高亮度、超薄、低功耗、宽视野、快响应速度等特性,日益引起人们的兴趣。通过对部分周边驱动电路集成于衬底的2英寸(5.08 cm,64×3×80)有源矩阵显示屏(Active M atrix OLED,AMOLED)上像素驱动电路的仿真,确定彩色OLED显示屏维持白平衡时R、G、B三种OLED所需的驱动电压、电流等工作参数。OLED的发光亮度和电压并不是线性关系,为了维持显示屏的色彩均衡性,对图像数据编码进行校正,保证了灰阶电压与发光亮度呈线性变化。从BMP格式的文件中提取出图像数据部分,进行数据变换,生成符合INTEL HEX文件格式并且满足D/A输出要求的数据文件,刻录到E2PROM中,完成外围驱动电路所需要的图像数据准备。AMOLED显示屏采用逐行扫描的显示方式,因此外围驱动电路的目的是要在行、列扫描有效的同时,为每个像素送入相应的灰阶数据。现在,OLED专用驱动芯片比较少见,而液晶驱动芯片具有集成度高,电压输出范围大等优点,尤其是其内部集成了数据移位寄存器、数据锁存器、D/A转换器等电路,所以设计了基于FPGA和TFT-LCD液晶驱动芯片的外围驱动电路,实现了AMOLED显示屏的彩色图像显示。 展开更多
关键词 有源OLED 像素驱动电路 仿真 灰阶 外围驱动电路
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溶剂热法直接合成酞菁铜晶体 被引量:5
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作者 夏道成 于书坤 +7 位作者 马春雨 程传辉 郭振强 纪冬梅 范昭奇 杜锡光 王旭 杜国同 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期244-246,共3页
以喹啉为溶剂,在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应,降至室温后得到长10.5mm针状的酞菁铜单晶,最佳的反应条件:以10mL喹啉为溶剂,于270℃反应8h,产率为51.3%.
关键词 溶剂热合成 酞菁铜 单晶 喹啉
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Tb(Asprin)3Phen/SiO2壳/核型纳米材料的合成和光学性质 被引量:2
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作者 王艳 秦伟平 +7 位作者 张继森 曹春燕 张继双 金叶 朱培芬 尉国栋 王丽丽 王国凤 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1081-1085,共5页
利用W/O微乳液方法合成了直径为40nm的具有类壳/核结构的Tb(Asprin)3Phen/SiO2纳米球。透射电子显微镜(TEM)证实了该纳米球具有尺寸均一,分散性好的特点。另外,通过TEOS与APS在微乳液中同时水解,在材料的表面引入了大量的氨基,为材料的... 利用W/O微乳液方法合成了直径为40nm的具有类壳/核结构的Tb(Asprin)3Phen/SiO2纳米球。透射电子显微镜(TEM)证实了该纳米球具有尺寸均一,分散性好的特点。另外,通过TEOS与APS在微乳液中同时水解,在材料的表面引入了大量的氨基,为材料的生物应用提供了有利的条件。红外光谱(FT-IR)和光致发光光谱分析也显示了这种材料在生物领域中有着潜在的应用前景。 展开更多
关键词 稀土 微乳液 壳/核结构 乙酰水杨酸
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聚合物阵列波导光栅的制作技术 被引量:2
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作者 张国伟 鄂书林 +3 位作者 邓文渊 许英朝 唐晓辉 张大明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期413-416,共4页
研究了聚合物阵列波导光栅AWG制作的几个关键技术。首先,为了克服反应离子刻蚀过程中单独使用光刻胶作掩膜而导致的光波导形状和尺寸偏离设计的缺点,采用了光刻胶与金属掩膜相结合的双掩膜技术进行器件制作。详细介绍了双掩膜技术制备... 研究了聚合物阵列波导光栅AWG制作的几个关键技术。首先,为了克服反应离子刻蚀过程中单独使用光刻胶作掩膜而导致的光波导形状和尺寸偏离设计的缺点,采用了光刻胶与金属掩膜相结合的双掩膜技术进行器件制作。详细介绍了双掩膜技术制备聚合物AWG的过程,并得出铝膜作为掩膜的最佳厚度为100nm左右。测试给出了使用和没有使用双掩膜的对比结果,该结果表明使用双掩膜技术制作的波导质量明显好于单独使用光刻胶作掩膜制作的结果。其次,采用蒸气回溶技术来减小反应离子刻蚀产生的波导表面和侧壁的起伏,从而降低了波导的散射损耗。结果表明,蒸气回溶技术使所制作的波导表面的均方根粗糙度从41.307 nm降低到24.564 nm。 展开更多
关键词 聚合物阵列波导光栅 双掩膜 蒸气回溶
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甲氧基苯氧基取代1:3和3:1不对称酞菁锌的合成及光谱性质 被引量:2
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作者 白青龙 张春花 +4 位作者 程传辉 李万程 申仁升 杜国同 赵龙 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期42-44,共3页
以4-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料合成了4-甲氧基苯氧基邻苯二腈,在醋酸锌存在条件下,再将4-甲氧基苯氧基邻苯二腈和邻苯二腈按1∶9和9∶1比例混合,反应后分别得到了β-一(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌和β-三(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通... 以4-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料合成了4-甲氧基苯氧基邻苯二腈,在醋酸锌存在条件下,再将4-甲氧基苯氧基邻苯二腈和邻苯二腈按1∶9和9∶1比例混合,反应后分别得到了β-一(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌和β-三(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过IR光谱,紫外-可见光谱和质谱表征了其结构,并讨论了取代基数目对酞菁Q带最大吸收波长的影响,结果表明,取代基数目增多,其Q带最大吸收波长红移。 展开更多
关键词 不对称酞菁 合成 紫外可见光谱 红移
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用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析 被引量:1
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作者 张彤 王丽杰 +3 位作者 许武 郭小军 赵毅 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第4期286-292,共7页
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于O... 在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。 展开更多
关键词 OLED A-SI TFT 有源驱动 穿通效应 布图设计 仿真模拟
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氮杂酞菁铜aza-CuPc的合成与晶体结构 被引量:1
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作者 姜文海 王旭 +4 位作者 马春雨 于书坤 叶开其 常玉春 杜国同 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2263-2265,共3页
The azaanalog of copper phthalocyanine(azaCuPc) complex C 24H 8CuN 16 was prepared by the so- lid phase synthesis technology and its single crystals was characterized by high power Xray from the synchrotron radi... The azaanalog of copper phthalocyanine(azaCuPc) complex C 24H 8CuN 16 was prepared by the so- lid phase synthesis technology and its single crystals was characterized by high power Xray from the synchrotron radiation. The crystal belongs to monoclinic system, space group P21/n with a=1.612 3(3) nm, b= 0.529 40(11) nm, c=1.906 4(4) nm, β=105.25(3)°, V=1.569 9(5) nm, Z=2, Mr=584.00, Dc=1.235 g/cm3, F(000)=586, the final R=0.063 1 and wR=0.153 9 for 757 observed reflections with I>2σ(I), GOF=1.340. 展开更多
关键词 固相法合成 氮杂酞菁铜 同步辐射 晶体结构
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聚合物微型谐振环波分复用器 被引量:1
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作者 鄂书林 邓文渊 +5 位作者 王鹏飞 李晓强 马春生 张大明 崔占臣 孙德贵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期538-541,共4页
研制出用于现代光通信密集波分复用(DWDM)系统的微型谐振环波分复用器(MRRWM)。微环与信道波导采用垂直耦合的方式,利用耦合模理论对器件参数进行了优化设计,设计出模板,并研制出符合器件光学性能要求的聚合物材料。利用反应离子刻蚀技... 研制出用于现代光通信密集波分复用(DWDM)系统的微型谐振环波分复用器(MRRWM)。微环与信道波导采用垂直耦合的方式,利用耦合模理论对器件参数进行了优化设计,设计出模板,并研制出符合器件光学性能要求的聚合物材料。利用反应离子刻蚀技术完成了硅基板上单级和八级的器件制作,波分复用器的中心波长为1.55μm,输出波长间隔Δλ=1.6 nm,中心微环半径R=131.95μm,相邻微环半径差ΔR=500.0 nm,器件测试结果表明实现了微环谐振输出。 展开更多
关键词 密集波分复用(DWDM) 微型谐振环 波分复用器 聚合物
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MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究 被引量:1
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作者 陈龙海 刘宝林 +5 位作者 陈松岩 陈朝 黄美纯 王本忠 赵方海 刘式墉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期262-267,共6页
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件,而后分别给出了InP/InP的生长特性,InGaAs/InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。
关键词 MOCVD 化合物半导体 外延生长 Ⅲ-Ⅴ族
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用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长
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作者 汪韬 杨瑾 +4 位作者 尹飞 王警卫 胡雅楠 张立臣 殷景致 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期511-513,550,555,共5页
用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材... 用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材料可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌和外延层质量. 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 禁带宽度 金属有机物化学气相淀积法(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 光致发光(PL)谱
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α(β)-四-(4-甲氧基苯氧基)酞菁的合成、表征和光谱性质
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作者 白青龙 张春花 +2 位作者 程传辉 李万程 杜国同 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期94-96,共3页
以3-(4-甲氧基苯氧基)邻苯二腈和4-(4-甲氧基苯氧基)邻苯二腈为起始原料分别合成了α-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁和β-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁,通过红外光谱和紫外可见光谱表征了其结构,并讨论了取代基引入的位置对酞菁紫外可见光谱和荧光... 以3-(4-甲氧基苯氧基)邻苯二腈和4-(4-甲氧基苯氧基)邻苯二腈为起始原料分别合成了α-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁和β-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁,通过红外光谱和紫外可见光谱表征了其结构,并讨论了取代基引入的位置对酞菁紫外可见光谱和荧光光谱的影响。 展开更多
关键词 甲氧基苯氧基酞菁 合成 吸收光谱 荧光光谱
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32信道聚合物阵列波导光栅的制作与测试
16
作者 许英朝 张国伟 +2 位作者 鄂书林 唐晓辉 张大明 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2006年第6期22-23,共2页
对一个32通道的聚合物阵列波导光栅进行了研究和制作。经过旋涂、光刻、反应离子刻蚀等工艺过程,利用Al掩膜技术和回融技术进行了器件的制作。实验结果表明,回融技术使样本的波导表面的均方根粗糙度降低了约0.02μm。测试结果表明,器件... 对一个32通道的聚合物阵列波导光栅进行了研究和制作。经过旋涂、光刻、反应离子刻蚀等工艺过程,利用Al掩膜技术和回融技术进行了器件的制作。实验结果表明,回融技术使样本的波导表面的均方根粗糙度降低了约0.02μm。测试结果表明,器件的结构指标与理论设计值基本相符,并且波导在C波段上实现了单模传输。器件的插入损耗约为35dB,相邻通道串扰小于-20dB,很好地实现了波分复用功能。 展开更多
关键词 阵列波导光栅 聚合物 回融技术
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一种阵列波导光栅波分复用器的版图设计方法
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作者 郭文滨 马春生 +7 位作者 陈维友 孙东明 张大明 刘彩霞 董纬 张歆东 王国东 刘式墉 《光电子技术》 CAS 2003年第2期98-101,共4页
本文提出了一种阵列波导光栅 ( AWG)波分复用器的版图设计方法 ,并用该种方法对一种中心波长为 1 .5 5 μm,波长间隔为 1 .6nm的 1 1× 1 1通道阵列波导光栅波分复用器的版图进行了设计并优化了结构参数 ,优化参数包括 :输入 /输出... 本文提出了一种阵列波导光栅 ( AWG)波分复用器的版图设计方法 ,并用该种方法对一种中心波长为 1 .5 5 μm,波长间隔为 1 .6nm的 1 1× 1 1通道阵列波导光栅波分复用器的版图进行了设计并优化了结构参数 ,优化参数包括 :输入 /输出波导和阵列波导的弧度 ,弯曲半径和长度 ,以及每条波导在版图中的坐标 ,最后给出了用该种方法设计的 展开更多
关键词 阵列波导光栅 波分复用器 版图设计 AWG 结构参数 光通讯
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背入射Au/TiO2/Au肖特基结紫外探测器 被引量:1
18
作者 刘国华 谷学汇 +2 位作者 李海龙 郭文滨 张歆东 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2034-2036,共3页
TiO2作为一种宽禁带(3.0~3.2eV)半导体材料,由于具有优异的物理化学特性和独特的光电特性,在许多领域都展现出广泛的应用前景.
关键词 紫外探测器 TiO2纳米线阵列 水热法 肖特基结
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长周期光纤光栅在色散补偿中的应用 被引量:1
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作者 刘佳秋 卓仲畅 +2 位作者 于永森 赵志勇 张玉书 《光电子技术》 CAS 2004年第3期196-198,共3页
通过与以往色散补偿器件的对比说明长周期光栅色散补偿的优点 ,较详细地介绍了目前所研制出的两种长周期光栅 (啁啾长周期光栅和高Δ的均匀长周期光栅 )用于色散补偿的原理方法和在实际应用中需要解决的问题。
关键词 色散补偿 啁啾长周期 长周期光纤光栅
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GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
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作者 王国全 马振昌 +2 位作者 王竞 衣茂斌 田小建 《半导体情报》 1999年第5期50-52,共3页
介绍了GaAs高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分GaAs高速电路进行的测试结果表明,
关键词 集成电路 在片瞬态测试 微波探针 GAAS集成电路
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