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基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型
被引量：
1
1
作者
徐建生
周求湛
张新发
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1192-1195,共4页
统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加...
统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加时 ,该模型低估了噪声功率的增加 .据此 ,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF) 1/f噪声模型 ,并给出了新MF模型与统一的 1/f噪声模型在线性区的仿真结果 .从仿真结果可以看出 ,新噪声模型更接近于测试的结果 .
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关键词
线性区域
1/f噪声模型
金属氧化物半导体场效应管
迁移率波动
载流子数量波动
MOSFETS
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职称材料
题名
基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型
被引量：
1
1
作者
徐建生
周求湛
张新发
机构
吉林大学通信工程学院测控及通信仪器系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1192-1195,共4页
基金
吉林省科委基金 (No 1 9990 530 )
文摘
统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加时 ,该模型低估了噪声功率的增加 .据此 ,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF) 1/f噪声模型 ,并给出了新MF模型与统一的 1/f噪声模型在线性区的仿真结果 .从仿真结果可以看出 ,新噪声模型更接近于测试的结果 .
关键词
线性区域
1/f噪声模型
金属氧化物半导体场效应管
迁移率波动
载流子数量波动
MOSFETS
Keywords
1/f noise
mobility fluctuation
number fluctuation
unified 1/ f noise model
MOSFETs
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型
徐建生
周求湛
张新发
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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