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超音速等离子喷涂NiCrBSi-金刚石复合涂层的微观组织与性能
1
作者 孙浩然 张迪 +3 位作者 贾磊 庞诚宇 董书山 周永欣 《材料保护》 2025年第3期60-69,共10页
为了提高海洋环境下921A钢表面的力学及耐磨耐蚀性能,采用超音速等离子喷涂技术在921A钢表面制备了2种涂层,所采用的粉末分别为NiCrBSi球形粉末以及NiCrBSi与镀铬金刚石(20~40μm)复合粉末,所制备的涂层样品分别标记为涂层N及涂层ND,在... 为了提高海洋环境下921A钢表面的力学及耐磨耐蚀性能,采用超音速等离子喷涂技术在921A钢表面制备了2种涂层,所采用的粉末分别为NiCrBSi球形粉末以及NiCrBSi与镀铬金刚石(20~40μm)复合粉末,所制备的涂层样品分别标记为涂层N及涂层ND,在后续对比测试中将喷涂基体记为样品921A。分析了涂层的物相组成,观测了涂层的截面形貌和元素组成,测试了涂层的显微硬度和抗拉结合强度,测定了涂层在往复摩擦磨损模式下与Si_3N_4球的摩擦系数及体积磨损率,拟合出了涂层的开路电位及自腐蚀电流密度。结果表明:相比于纯NiCrBSi粉末制备的涂层N,金刚石复合涂层ND的显微硬度及结合强度分别为1016 HV,50.156 MPa,较涂层N提升了15.3%及15.3%。在30 N载荷,Si_(3)N_(4)球作为对摩件,往复时间60 min条件下,金刚石复合涂层ND平均磨痕深度17.738μm,相较基体降低75.8%,体积磨损率为1.40×10^(-5)mm^(3)/(N·m),仅为基体的20.7%,摩擦系数为0.229。在室温、3.5%NaCl溶液环境下,金刚石复合涂层ND自腐蚀电位E_(corr)为-864 mV,较921A基体提升61 mV,自腐蚀电流密度J_(corr)为1.332×10^(-5)A/cm^(2),较921A基体降低了77.9%。 展开更多
关键词 等离子喷涂 NICRBSI 金刚石 复合涂层 力学性能 耐磨性能
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纳米复合材料CoFe_2O_4/SiO_2的制备和表征 被引量：6
2
作者 李海波 陈敬艳 +2 位作者 刘梅 冯明 华杰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期614-616,共3页
采用溶胶-凝胶法制备了(CoFe2O4)x/(SiO2)1-x纳米复合材料.利用TG/DTA,XRD和Mssbauer效应研究了热处理过程中干凝胶的变化及样品的结构、晶粒尺寸和磁性.结果表明,随着SiO2含量的增加,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸和内磁场逐渐变小,并从... 采用溶胶-凝胶法制备了(CoFe2O4)x/(SiO2)1-x纳米复合材料.利用TG/DTA,XRD和Mssbauer效应研究了热处理过程中干凝胶的变化及样品的结构、晶粒尺寸和磁性.结果表明,随着SiO2含量的增加,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸和内磁场逐渐变小,并从磁有序状态转变为超顺磁状态. 展开更多
关键词 纳米复合材料 CoFe2O4/SiO2 XRD Mossbauer效应
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高压下DPP-11超分子结构中的π-π相互作用 被引量：3
3
作者 林奥雷 王凯 +1 位作者 赵宇 邹勃 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1181-1184,共4页
通过金刚石对顶砧(DAC)高压装置产生高压,利用原位高压同步辐射能量色散X射线衍射(EDXD)和同步辐射远红外光谱研究了压力对DPP-11[2,5-二-(11-十一醇基)-3,6-二-(2-噻吩基)-1,4-二酮吡咯并[3,4-c]吡咯]固体及其在水溶液中胶束体系的影响... 通过金刚石对顶砧(DAC)高压装置产生高压,利用原位高压同步辐射能量色散X射线衍射(EDXD)和同步辐射远红外光谱研究了压力对DPP-11[2,5-二-(11-十一醇基)-3,6-二-(2-噻吩基)-1,4-二酮吡咯并[3,4-c]吡咯]固体及其在水溶液中胶束体系的影响.实验结果表明,在准静水压条件下,DPP-11固体没有发生相变,但随着压力的增加,分子间的π-π相互作用明显增强.在DPP-11胶束中发现了DPP-11固体中新的远红外吸收峰,此峰随着压力的增加而蓝移,这是由于胶束中π共轭染料基团的π-π相互作用增强所致. 展开更多
关键词 高压 2 5-二-(11-十一醇基)-3 6-二-(2-噻吩基)-1 4-二酮吡咯并[3 4-c]吡咯(DPP-11) Π-Π相互作用 同步辐射 远红外光谱
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超声波-化学沉淀法制备牙科纳米氧化铝陶瓷粉体 被引量：3
4
作者 宋文植 刘晓秋 +2 位作者 孙宏晨 杨海滨 邹广田 《口腔医学研究》 CAS CSCD 2006年第1期15-17,共3页
目的:制备分散性好,粒度均匀的纳米α-A l2O3粉体。方法:应用超声波-化学沉淀法,制备氢氧化铝前驱体,经900℃、1 000℃、1 100℃、1 200℃煅烧后测试粉体性能。结果:1 200℃煅烧得到的A l2O3粉体为α-A l2O3,其晶粒平均粒径为D202=31.44... 目的:制备分散性好,粒度均匀的纳米α-A l2O3粉体。方法:应用超声波-化学沉淀法,制备氢氧化铝前驱体,经900℃、1 000℃、1 100℃、1 200℃煅烧后测试粉体性能。结果:1 200℃煅烧得到的A l2O3粉体为α-A l2O3,其晶粒平均粒径为D202=31.44 nm。结论:以乙醇为反应溶剂,在低频超声波作用下可制备出分散性好、粒度均匀的纳米级α-A l2O3粉体。 展开更多
关键词 牙科铝瓷 纳米材料 超声波-化学沉淀法
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纳米金刚石颗粒的长大实验研究 被引量：2
5
作者 文潮 周刚 +3 位作者 郝兆印 孙德玉 李迅 刘晓新 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期19-21,共3页
本文研究了炸药爆轰合成的纳米金刚石粉的小颗粒在高温 (～ 10 0 0K)和高压(5 2GPa)条件下的长大行为。将纳米金刚石粉放入特制的模具中压制成小圆片 ,将纳米金刚石小园片相互叠加起来放入钼套中 ,压实。然后将钼套置于石墨套中再放到... 本文研究了炸药爆轰合成的纳米金刚石粉的小颗粒在高温 (～ 10 0 0K)和高压(5 2GPa)条件下的长大行为。将纳米金刚石粉放入特制的模具中压制成小圆片 ,将纳米金刚石小园片相互叠加起来放入钼套中 ,压实。然后将钼套置于石墨套中再放到叶蜡石块中 ,于高温高压下进行长大实验。实验结果表明 :在此高温高压条件下 ,纳米金刚石粉没有石墨化 ;纳米金刚石粉的纳米颗粒长大 ,可长成 1微米尺寸的金刚石颗粒 (温度为 10 0 0K左右 )。这一现象表明 。 展开更多
关键词 纳米金刚石 生长 炸药爆轰合成 纳米颗粒
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齐聚苯撑乙烯/MCM-41纳米复合材料的制备 被引量：1
6
作者 赵晓亮 林航 +1 位作者 汤钧 刘钧松 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1680-1682,共3页
制备了一种齐聚苯撑乙烯(OPPV)/MCM-41复合材料.氮气吸附等温线结果证明了OPPV被成功包覆在MCM-41中.紫外-可见光谱结果表明,OPPV以近乎单分散的状态分布在MCM-41孔道中.荧光光谱结果表明,与OPPV相比,OPPV/MCM-41复合材料具有更强的光... 制备了一种齐聚苯撑乙烯(OPPV)/MCM-41复合材料.氮气吸附等温线结果证明了OPPV被成功包覆在MCM-41中.紫外-可见光谱结果表明,OPPV以近乎单分散的状态分布在MCM-41孔道中.荧光光谱结果表明,与OPPV相比,OPPV/MCM-41复合材料具有更强的光稳定性和更高的发光效率. 展开更多
关键词 齐聚苯撑乙烯 介孔MCM-41 复合材料
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热电材料Ag_(0.8)Pb_(18)SbTe_(20-x)Se_x的高压制备与性能
7
作者 宿太超 周佑默 +5 位作者 李小雷 李尚升 胡强 贺春元 马红安 贾晓鹏 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期189-191,201,共4页
采用高压合成技术,制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20-xSex(x=0,5,10,15)。研究了合成压力及Se含量对其结构和热电输运性质的影响。X射线衍射测试发现,Ag0.8Pb18SbTe20-xSex样品具有单相的NaCl结构,晶格常数随Se含量的增大而减小。室温下... 采用高压合成技术,制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20-xSex(x=0,5,10,15)。研究了合成压力及Se含量对其结构和热电输运性质的影响。X射线衍射测试发现,Ag0.8Pb18SbTe20-xSex样品具有单相的NaCl结构,晶格常数随Se含量的增大而减小。室温下的测试结果表明,高压和置换Se对AgPb18SbTe20电学性质的影响作用相似,随合成压力及x的增大,Ag0.8 Pb18 SbTe20-x Sex的电阻率及赛贝克(Seebeck)系数降低。4 GPa高压合成的Ag0.8 Pb18SbTe20-xSex(x=10)样品具有较高的功率因子(18.90μW.cm-1.K-2),同时其热导率较低(1.35 W.m-1.K-1),室温下其最大的品质因子ZT值高达0.40。 展开更多
关键词 压力 热电 X射线衍射 赛贝克系数 热导率
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热电材料CoSb_3的高压制备及电学性质研究
8
作者 朱红玉 宿太超 +5 位作者 常智渊 李小雷 李尚升 胡强 马红安 贾晓鹏 《郑州大学学报（工学版）》 CAS 北大核心 2012年第1期43-45,共3页
利用高压方法制备了二元方钴矿结构热电材料CoSb3,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)研究了CoSb3的物相组成及微观结构,并对其室温下的电学性质进行了研究.通过XRD测试发现高压方法能够快速(约20 min)制备出单相的CoSb3.SEM测试显示高... 利用高压方法制备了二元方钴矿结构热电材料CoSb3,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)研究了CoSb3的物相组成及微观结构,并对其室温下的电学性质进行了研究.通过XRD测试发现高压方法能够快速(约20 min)制备出单相的CoSb3.SEM测试显示高压方法制备的样品晶粒细小且致密较高.室温下电学测试表明:随合成压力的升高,CoSb3的Seebeck系数增大,电导率减小. 展开更多
关键词 高压 热电材料 CoSb3 SEEBECK系数 电导率
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水溶性C_(60)纳米颗粒的超声辅助制备及发光性质研究
9
作者 李冰 姚明光 +2 位作者 李春杰 杜明润 刘冰冰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期949-953,共5页
采用改进的超声方法制备水溶性C60纳米颗粒(C60NPs),研究了超声水浴温度对C60NPs尺寸和分散性的影响及C60NPs的发光特性.结果表明,随着超声水浴温度的升高,C60NPs颗粒尺寸减小,且分散性明显改善.热重分析(TGA)和红外光谱(IR)的测试结果... 采用改进的超声方法制备水溶性C60纳米颗粒(C60NPs),研究了超声水浴温度对C60NPs尺寸和分散性的影响及C60NPs的发光特性.结果表明,随着超声水浴温度的升高,C60NPs颗粒尺寸减小,且分散性明显改善.热重分析(TGA)和红外光谱(IR)的测试结果表明,水和溶剂占C60NPs总质量的57%.经过200℃加热处理后,C60NPs尺寸明显缩减,得到了无溶剂残留的水溶性C60量子点.发光测试结果表明,不含溶剂和水的C60量子点发光明显增强,比C60NPs的发光增强1个数量级. 展开更多
关键词 水溶性C60纳米颗粒 量子点 超声辅助 发光性质
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高温高压合成热电材料AgPb_(18)SbTe_(20)的电学性能(英文)
10
作者 宿太超 马红安 +4 位作者 李小雷 李尚升 于凤荣 田永君 贾晓鹏 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期308-311,共4页
采用高温高压方法制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20,测试发现样品具有微米级晶粒和单相的NaCl结构。高压合成的Ag0.8Pb18SbTe20样品为N型半导体,电阻率和Seebeck系数的绝对值随温度的升高而增大。同其它方法制备的AgPb18SbTe20体系材料相... 采用高温高压方法制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20,测试发现样品具有微米级晶粒和单相的NaCl结构。高压合成的Ag0.8Pb18SbTe20样品为N型半导体,电阻率和Seebeck系数的绝对值随温度的升高而增大。同其它方法制备的AgPb18SbTe20体系材料相比,高温高压方法制备的样品具有较低的电阻率。较低的电阻率导致了较大的功率因子(S2σmax≈17.2μW/cm-1K-2,T≈585K)。 展开更多
关键词 热电材料 高温高压 AgPb18SbTe20
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静压下Znse／Zn_（1－x）Cd_xSe应变超晶格的光致发光研究 被引量：4
11
作者 李文深 池元斌 +4 位作者 李岩梅 范希武 杨宝均 申德振 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期232-237,共6页
本文首次在室温和０—２．５ＧＰａ静压范围内研究了Ｚｎｓｅ／Ｚｎ０．２６Ｃｄ０．２６Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性．经过计算机拟合实验数据得到了一阶... 本文首次在室温和０—２．５ＧＰａ静压范围内研究了Ｚｎｓｅ／Ｚｎ０．２６Ｃｄ０．２６Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性．经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数．理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好。 展开更多
关键词 光致发光 应变超晶格 硒化锌
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金属锇超高压结构的理论研究 被引量：1
12
作者 夏杨 李全 +1 位作者 崔田 马琰铭 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期737-740,共4页
本文采用基于从头算演化理论的晶体结构预测方法,对过渡金属锇(Os)的高压结构进行了系统研究.结果表明,在0～1000 GPa压力范围内,金属Os一直保持六角密堆结构(hcp),没有发生结构相变,排除了前人提出的hcp到ω相变的可能.我们深入利用赝... 本文采用基于从头算演化理论的晶体结构预测方法,对过渡金属锇(Os)的高压结构进行了系统研究.结果表明,在0～1000 GPa压力范围内,金属Os一直保持六角密堆结构(hcp),没有发生结构相变,排除了前人提出的hcp到ω相变的可能.我们深入利用赝势平面波方法和全电子缀加波方法对ω相(P6/mmm)及hcp相进行了优化,并比较了能量随体积(压强)的变化关系,两种方法均证实了我们的结论. 展开更多
关键词 锇 高压 结构预测 第一性原理
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单一板钛矿相TiO_2微晶的制备 被引量：17
13
作者 杨少凤 罗薇 +4 位作者 朱燕超 刘艳华 赵敬哲 王子忱 邹广田 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1933-1936,共4页
以新鲜的无定形 Ti O2 沉淀为前驱体 ,在水热条件下得到了板钛矿型 Ti O2 微晶粉末 ,考察了前驱体制备过程中碱的种类与用量以及水热反应的温度和时间等因素对板钛矿型 Ti O2 的影响 . XRD,TEM和Raman测试表明 ,所合成的样品具有单一的... 以新鲜的无定形 Ti O2 沉淀为前驱体 ,在水热条件下得到了板钛矿型 Ti O2 微晶粉末 ,考察了前驱体制备过程中碱的种类与用量以及水热反应的温度和时间等因素对板钛矿型 Ti O2 的影响 . XRD,TEM和Raman测试表明 ,所合成的样品具有单一的板钛矿型 Ti O2 结构 ,晶相纯度很高 ,晶粒形状相同且具有完美的内部结构 ,粒度分布均匀 .此板钛矿型 Ti O2 样品在 90 0℃时开始向金红石结构转化 ,1 0 0 0℃时完全转变为金红石结构 . 展开更多
关键词 单一相 板钛矿 TiO2微晶 制备 二氧化钛 水热条件 相变
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纳米晶固溶体Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(2-δ)的合成与表征 被引量：11
14
作者 林晓敏 李莉萍 +1 位作者 罗微 苏文辉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期531-534,共4页
利用溶胶 -凝胶法合成纳米晶固溶体 Ce0 .8Nd0 .2 O2 -δ.XRD测试表明 ,胶体经 2 0 0℃烧结处理就可以得到晶粒尺寸为 7.2 nm的纳米晶 ,随烧结温度的升高 ,晶粒尺寸增大 .EPR测试给出固溶体 Ce0 .8Nd0 .2 O2 -δ存在少量的 Ce3 +离子 .... 利用溶胶 -凝胶法合成纳米晶固溶体 Ce0 .8Nd0 .2 O2 -δ.XRD测试表明 ,胶体经 2 0 0℃烧结处理就可以得到晶粒尺寸为 7.2 nm的纳米晶 ,随烧结温度的升高 ,晶粒尺寸增大 .EPR测试给出固溶体 Ce0 .8Nd0 .2 O2 -δ存在少量的 Ce3 +离子 .在纳米晶固溶体 Ce0 .8Nd0 .2 O2 -δ的 Raman光谱上观察到两个峰 ,低频的强峰为特征F2 g振动谱带 ,高频谱带的出现与样品中存在氧缺位有关 .固溶体晶粒尺寸的减小不但使 F2 g振动谱带红移 ,而且谱带明显宽化 .复阻抗谱的测量表明 ,固溶体 Ce0 .8Nd0 .2 O2 -δ具有氧离子导电特性 .4 0 0和 50 0℃时的电导率分别为 4 .55× 1 0 -4 和 2 .65× 1 0 -3 S· cm-1,活化能为 0 .82 e 展开更多
关键词 离子价态 RAMAN光谱 电导率 纳米晶 固溶体 合成 燃料电池 氧化铈 氧化钕 溶胶-凝胶法 电解质材料
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氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究 被引量：12
15
作者 赵永年 邹广田 +3 位作者 王波 何志 朱品文 陶艳春 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期1136-1139,共4页
用射频（ＲＦ）磁控溅射制备了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．ＦＴＩＲ光谱和电子衍射实验表明：该薄膜是纯的，其结晶度很高．ＦＴＩＲ光谱研究指出，基板负偏压是ｃ－ＢＮ相形成的重要因素，但也由此产生了ｃ－ＢＮ薄膜的应力，且负偏... 用射频（ＲＦ）磁控溅射制备了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．ＦＴＩＲ光谱和电子衍射实验表明：该薄膜是纯的，其结晶度很高．ＦＴＩＲ光谱研究指出，基板负偏压是ｃ－ＢＮ相形成的重要因素，但也由此产生了ｃ－ＢＮ薄膜的应力，且负偏压越高，产生的应力越大．比较透射谱和反射谱的结果，ｃ－ＢＮ薄膜表面层的应力小于内部的．按照ｃ－ＢＮ形成的压力模型，表面应力小到一定程度可能影响ｃ－ＢＮ的继续生长．一个特制的分层结构ＢＮ薄膜保留了由于应力造成的ｃ－ＢＮ的裂纹，这个裂纹分布在一些同心圆上，中心是缺陷或杂质，同心圆之间有明显的分界线，把ｃ－ＢＮ表层分割成许多应力区． 展开更多
关键词 立方 内应力 红外光谱 氮化硼薄膜
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钴纳米线的模板制备与磁性 被引量：10
16
作者 温戈辉 任方星 +2 位作者 邓永峰 赵强 邹广田 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1708-1710,共3页
利用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝模板.用直流电化学沉积方法成功地在模板孔道内制备了钴纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品的形貌、晶体结构和磁性进行了研究.结果表明,模板的孔径... 利用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝模板.用直流电化学沉积方法成功地在模板孔道内制备了钴纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品的形貌、晶体结构和磁性进行了研究.结果表明,模板的孔径均匀,孔道平直.钴纳米线为多晶的六方密堆积结构.钴纳米线具有明显的磁各向异性,这主要起源于纳米线的形状各向异性. 展开更多
关键词 阳极氧化铝模板 电化学沉积 纳米线 形状各向异性
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磁控溅射CN_x薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系 被引量：8
17
作者 李俊杰 王欣 +4 位作者 卞海蛟 郑伟涛 吕宪义 金曾孙 孙龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期305-308,共4页
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0～-150V之间变化。利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CN... 对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0～-150V之间变化。利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CNx薄膜的表面粗糙度及对衬底的附着力。AFM和划痕实验的结果显示衬底偏压Vb对CNx薄膜的附着力和表面粗糙程度的影响很大,在-100V偏压下生长的CNx薄膜表面最光滑(粗糙度最小),同时对Si(001)衬底的附着力最好。最后根据实验结果确定了在单晶Si(001)衬底上生长光滑而且附着力好的CNx薄膜的最佳实验条件。 展开更多
关键词 磁控溅射 CNX薄膜 附着力 粗糙度 衬底偏压 碳氮薄膜 薄膜测量
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外延纳米金刚石膜及其场发射特性 被引量：8
18
作者 王维彪 顾长志 +3 位作者 纪红 彭红艳 赵海峰 张传平 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期164-168,共5页
研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性。采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜。用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜... 研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性。采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜。用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了其场发射特性。 展开更多
关键词 纳米金刚石膜 场发射特性 制备方法 薄膜 外延生长 电子发射均匀性 冷阴极材料
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轰击离子能量对CN_x薄膜中sp^3型C—N键含量的影响 被引量：7
19
作者 李俊杰 曹培江 +3 位作者 郑伟涛 吕宪义 卞海蛟 金曾孙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期880-883,共4页
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CN_x薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(V_h)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态。样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CN_x薄膜中N原子分别... 对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CN_x薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(V_h)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态。样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CN_x薄膜中N原子分别与sp,sp^2和sp^3杂化状态的C原子结合,其中sp^3型C—N键含量先随着衬底偏压(V_b)的升高而增加,并在偏压V_b=-50V时达到最大值,但随着V_b继续升高,sp^3型C—N键含量减少,这表明CN_x薄膜中,sp^3型C—N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关。 展开更多
关键词 非晶CNx薄膜 C-N键 磁控溅射 化学键合 结构 氮化碳薄膜 碳氮键
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纳米ZnO光伏特性分析 被引量：9
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作者 李子亨 李根 +2 位作者 杜艳 王德军 邹广田 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期560-563,共4页
利用表面光电压谱(SPS)和瞬态光伏(TRP)技术研究了纳米ZnO的光生电荷行为,发现TRP曲线时域为10-9～10-7和10-6～10-3s时样品的SPS在320～380 nm处出现光伏响应,时域为10-3～10-1s时样品的SPS在380～420 nm处出现光伏响应.这3个时域分别... 利用表面光电压谱(SPS)和瞬态光伏(TRP)技术研究了纳米ZnO的光生电荷行为,发现TRP曲线时域为10-9～10-7和10-6～10-3s时样品的SPS在320～380 nm处出现光伏响应,时域为10-3～10-1s时样品的SPS在380～420 nm处出现光伏响应.这3个时域分别对应着纳米晶本征响应、晶间电荷转移和纳米晶表面态电荷捕获等过程.光生电荷密度足够大或受外部电场影响时在300～320 nm区间也出现光伏响应. 展开更多
关键词 纳米晶 光伏特性 电荷密度 电荷转移 时域
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