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纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性
被引量：
2
1
作者
顾广瑞
李英爱
+4 位作者
陶艳春
何志
殷红
李卫青
赵永年
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003年第1期10-13,共4页
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发...
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大。由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空。
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关键词
纳米氮化硼薄膜
场发射特性
薄膜厚度
功函数
场发射平板显示器
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职称材料
磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜导电性的研究
被引量：
2
2
作者
顾广瑞
李英爱
+2 位作者
陶艳春
何志
赵永年
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期1381-1384,共4页
研究了在纳米厚度范围内,TiO_2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99％)靶,通入Ar和O_2的混合气体,制备了TiO_2薄膜,薄膜膜厚15～225nm.在室温下测量了不同厚度TiO_2薄膜的电阻率,发现TiO_2...
研究了在纳米厚度范围内,TiO_2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99％)靶,通入Ar和O_2的混合气体,制备了TiO_2薄膜,薄膜膜厚15～225nm.在室温下测量了不同厚度TiO_2薄膜的电阻率,发现TiO_2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO_2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
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关键词
TIO2薄膜
导电性
电阻率
界面电子转移
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职称材料
氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响
被引量：
1
3
作者
顾广瑞
李英爱
+8 位作者
刘艳梅
陶艳春
何志
殷红
李卫青
冯伟
白玉白
田野
赵永年
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期352-355,共4页
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度...
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度的增加而增大.厚度为54nm的BN薄膜样品阈值电场为10V/μm,当外加电场为23V/μm时,最高发射电流为240μA/cm2.BN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.
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关键词
氮化硼薄膜
薄膜厚度
场发射特性
薄膜结构
阈值电压
表面粗糙度
场发射显示器
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职称材料
题名
纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性
被引量：
2
1
作者
顾广瑞
李英爱
陶艳春
何志
殷红
李卫青
赵永年
机构
吉林大学
超
硬材料国家重点
实验室
吉林大学超分子结构和谱学开放实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003年第1期10-13,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(59831040)
文摘
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大。由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空。
关键词
纳米氮化硼薄膜
场发射特性
薄膜厚度
功函数
场发射平板显示器
Keywords
thin BN films
field emission
thickness
work function
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜导电性的研究
被引量：
2
2
作者
顾广瑞
李英爱
陶艳春
何志
赵永年
机构
吉林大学
超
硬材料国家重点
实验室
延边
大学
理工
学
院
吉林大学超分子结构和谱学开放实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期1381-1384,共4页
基金
国家自然科学基金(59831040)
文摘
研究了在纳米厚度范围内,TiO_2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99％)靶,通入Ar和O_2的混合气体,制备了TiO_2薄膜,薄膜膜厚15～225nm.在室温下测量了不同厚度TiO_2薄膜的电阻率,发现TiO_2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO_2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
关键词
TIO2薄膜
导电性
电阻率
界面电子转移
Keywords
TiO2 thin films
conductivity
resistivity
transfer of electrons
分类号
O647 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响
被引量：
1
3
作者
顾广瑞
李英爱
刘艳梅
陶艳春
何志
殷红
李卫青
冯伟
白玉白
田野
赵永年
机构
吉林大学
超
硬材料国家重点
实验室
吉林大学
化
学
学
院
吉林大学超分子结构和谱学开放实验室
吉林
省科
学
技术厅
出处
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期352-355,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号:59831040).
文摘
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度的增加而增大.厚度为54nm的BN薄膜样品阈值电场为10V/μm,当外加电场为23V/μm时,最高发射电流为240μA/cm2.BN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.
关键词
氮化硼薄膜
薄膜厚度
场发射特性
薄膜结构
阈值电压
表面粗糙度
场发射显示器
Keywords
BN thin film
field emission
thickness
分类号
TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性
顾广瑞
李英爱
陶艳春
何志
殷红
李卫青
赵永年
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜导电性的研究
顾广瑞
李英爱
陶艳春
何志
赵永年
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响
顾广瑞
李英爱
刘艳梅
陶艳春
何志
殷红
李卫青
冯伟
白玉白
田野
赵永年
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
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