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题名PIN光电二极管电路模型的研究
被引量：6
- 1
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作者
陈维友
刘宝林
刘式墉
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机构
吉林大学电子科学系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第11期95-97,共3页
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文摘
本文给出一个完整的ＰＩＮ光电二极管（ＰＤ）电路模型。该模型适于在开发ＯＥＩＣ电路模拟软件中采用．它可用于直流、交流、瞬态分析．该模型的有效性通过与已报道的实验结果进行比较得到证实。
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关键词
PIN
光电二极管
电路模型
计算机
CAA
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Keywords
PIN-PD,Model,CAA
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分类号
TN151
[电子电信—物理电子学]
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题名金属半导体金属光探测器电路模型的研究
被引量：2
- 2
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作者
陈维友
刘式墉
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机构
吉林大学电子科学系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
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出处
《电子科学学刊》
EI
CSCD
1994年第3期327-331,共5页
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文摘
本文给出一个可为开发计算机辅助分析软件采用的完整的MSM-PD电路模型,采用该模型对一个GaAs MSM-PD的直流光电特性模拟分析结果与已报道的实验结果符合很好。
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关键词
光探测器
电路模型
金属
半导体
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Keywords
MSM-PD, Modeling, CAA
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分类号
TN247
[电子电信—物理电子学]
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题名GaAs/InP材料的外延技术研究
- 3
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作者
李玉东
王本忠
王如峰
刘式墉
苏士昌
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机构
吉林大学电子科学系 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
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出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1993年第5期29-32,共4页
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基金
国家自然科学基金
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关键词
砷化镓
衬底
材料
外延生长
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Keywords
Hybrid epitaxy
Heteroepitaxy
GaAs
InP
Double crystal X-ray diffraction
Photoluminescence
Exciton
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名高铝GaAlAs及其多层结构MOVPE生长特性
- 4
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作者
张晓波
杨树人
陈伯军
赵方海
秦福文
杜国同
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机构
吉林大学电子科学系
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出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1993年第3期73-76,共4页
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基金
国家自然科学基金委员会
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文摘
本文报导了高铝GaAlAs及其多层结构的生长特性.X光双晶衍射结果表明,多层GaAlAs叠层材料的X光双晶衍射峰呈现多级卫星峰,这表明材料具有良好的晶体完整性和结构周期性.
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关键词
多层结构
镓铝砷化合物
MOVPE
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Keywords
GaAlAs, X-ray double crystal diffraction, doping, multiple layer structure
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分类号
TN304.26
[电子电信—物理电子学]
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