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适于测量波长1.3μm的超短光脉冲的强度自相关系统 被引量:2
1
作者 贾刚 孙伟 +1 位作者 衣茂斌 高鼎三 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第3期42-46,共5页
本文介绍了一种适于测量半导体激光器产生的波长1.3μm的超短光脉冲的强度自相关系统的原理和装置。对波长1.3μm的InGaAsP/InP激光器产生的超短光脉冲的测量结果表明,该装置具有很高的分辨率和较高的灵敏度。
关键词 半导体激光器 超短光脉冲 测量装置
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Sn^(4+)掺杂对TiO_2纳米颗粒膜光催化降解苯酚活性的影响 被引量:33
2
作者 曹亚安 沈东方 +6 位作者 张昕彤 孟庆巨 马颖 吴志芸 白玉白 李铁津 姚建年 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1910-1912,共3页
We prepared TiO 2(anatase) and Sn doped TiO 2 nanoparticlate film by Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) method. XRD and XPS experiments showed that Sn was doped into the lattice of TiO 2 with a ratio of ... We prepared TiO 2(anatase) and Sn doped TiO 2 nanoparticlate film by Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) method. XRD and XPS experiments showed that Sn was doped into the lattice of TiO 2 with a ratio of n (Sn)∶ n (Ti)=1∶10 . Sn doping largely enhanced the photocatalytic activity of TiO 2 film for phenol degradation. The enhancement in photoactivity by doping was discussed, based on the characterization with AFM, FTIR and EFISPS. Sn doping produced localized level of Sn 4+ in the band gap of TiO 2, about 0.4 eV below the conduction band, which could capture photogenerated electrons and reduce O 2 adsorbed on the surface of TiO 2 film, thus accelerated the photocatalytic reaction. 展开更多
关键词 PECVD TiO2纳米颗粒膜 掺杂 光催化 降解 苯酚 催化活性 二氧化钛 催化剂
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8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究 被引量:12
3
作者 彭俊彪 孙润光 +1 位作者 马於光 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期263-266,共4页
8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究彭俊彪,孙润光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)马於光,刘式墉(吉林大学电子科学系,长春130023)自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Elect... 8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究彭俊彪,孙润光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)马於光,刘式墉(吉林大学电子科学系,长春130023)自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Electro-luminescence,即... 展开更多
关键词 8-羟基喹啉 螯合物 电致发光
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柠檬酸盐法合成钙钛矿型复合氧化物纳米固体材料LaFeO_3 被引量:6
4
作者 李熙 赵慕愚 +1 位作者 王子忱 徐宝琨 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第11期1542-1544,共3页
纳米固体材料(或称毫微晶材料)是近几年发展起来的新兴材料,这是由尺寸为纳米数量级(通常粒径<10~15 nm)的微晶颗粒聚集而成的块状或者薄膜人工固体,其原子排列状态既不同于传统的晶态、非晶态,又不同于尺寸为纳米数量级的超微粒,... 纳米固体材料(或称毫微晶材料)是近几年发展起来的新兴材料,这是由尺寸为纳米数量级(通常粒径<10~15 nm)的微晶颗粒聚集而成的块状或者薄膜人工固体,其原子排列状态既不同于传统的晶态、非晶态,又不同于尺寸为纳米数量级的超微粒,其结构特点使该材料具有与传统材料极不相同的特殊性能,已引起世界各国科学家的高度重视。 展开更多
关键词 铁酸镧 纳米晶体 合成 柠檬酸盐法
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LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究 被引量:3
5
作者 刘宝林 杨树人 +2 位作者 陈佰军 王本忠 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第4期313-318,共6页
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm... 本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev。 展开更多
关键词 应变 量子阱 化学汽相沉积 砷铟镓
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稀土钙钛矿型乙醇敏感材料的特性 被引量:5
6
作者 阎卫平 孙良彦 +1 位作者 刘明登 李万成 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第2期52-56,共5页
本文用共沉淀法制备出LnMO_3(Ln=La,Sm,Nd;M=Fe,Co,Ni)系列材料,分析了材料的结构,并制成相应的元件,对乙醇、汽油等气体进行了检测。结果表明,掺入不同的稀土元素将影响Fe—O问的相互作用;在与还原性气体接触时,表面吸附氧起着十分重... 本文用共沉淀法制备出LnMO_3(Ln=La,Sm,Nd;M=Fe,Co,Ni)系列材料,分析了材料的结构,并制成相应的元件,对乙醇、汽油等气体进行了检测。结果表明,掺入不同的稀土元素将影响Fe—O问的相互作用;在与还原性气体接触时,表面吸附氧起着十分重要的作用。 展开更多
关键词 稀土元素 钙钛矿型 气敏元件 乙醇
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长碳链季铵类卟啉钴配合物的合成及其LB膜和气敏性质 被引量:4
7
作者 文珂 李朝辉 +3 位作者 曹锡章 顾长志 张彤 孙良彦 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期147-149,共3页
四-(4-N,N-二甲基氨基苯基)卟啉(TDMAPP)与溴代正十六烷反应得到溴化四-(4-N,N,N-二甲基,十六烷基氨基苯基)卟啉(TDMHAPPBr),并制得其钴的配合物,两者均具有良好的成膜性。电子吸收光谱表明LB膜与成膜前固体物分子排列规整性不同。钴配... 四-(4-N,N-二甲基氨基苯基)卟啉(TDMAPP)与溴代正十六烷反应得到溴化四-(4-N,N,N-二甲基,十六烷基氨基苯基)卟啉(TDMHAPPBr),并制得其钴的配合物,两者均具有良好的成膜性。电子吸收光谱表明LB膜与成膜前固体物分子排列规整性不同。钴配合物对氨气有较好的敏感性和良好的选择性,其响应和恢复时间都较短。 展开更多
关键词 卟啉 LB膜 气敏性 溴化四-(4-N N N-二甲基 十六烷基氨基苯)卟啉 钴配合物 合成
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PIN光电二极管电路模型的研究 被引量:6
8
作者 陈维友 刘宝林 刘式墉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期95-97,共3页
本文给出一个完整的PIN光电二极管(PD)电路模型。该模型适于在开发OEIC电路模拟软件中采用.它可用于直流、交流、瞬态分析.该模型的有效性通过与已报道的实验结果进行比较得到证实。
关键词 PIN 光电二极管 电路模型 计算机 CAA
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LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响 被引量:3
9
作者 刘宝林 杨树人 +2 位作者 陈佰军 王本忠 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期387-390,共4页
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/In... 众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm~1.65μm,因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。虽然利用液相外延巳生长出高质量的InGaAs/InP材料,但是, 展开更多
关键词 化学汽相沉积 砷钼镓 温度
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用1.3μm半导体激光器直接调制产生2.1GHz超短光脉冲 被引量:3
10
作者 贾刚 孙伟 +1 位作者 衣茂斌 高鼎三 《红外研究》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期389-392,共4页
报道了直接调制InGaAsP半导体激光器获得重复率为2.1GHz、脉宽为25~60ps的超短光脉冲。
关键词 半导体 激光器 超短光 脉冲
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晶闸管的关断过程及关断时间公式的修正 被引量:5
11
作者 赵善麒 高鼎三 +1 位作者 潘福泉 韩杰 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期45-50,共6页
本文进一步闸明了晶闸管关断的物理过程,根据莫尔理论和电荷控制模型推导出一个包含晶闸管两个共基极直流电流放大系数的新的关断时间表达式。该公式充分体现了器件的导通过程与关断过程之间的联系,并用实验对公式进行了验证。
关键词 晶闸管 关断过程 关断时间
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用半导体激光器超高速电光采样技术测量微波信号 被引量:2
12
作者 孙伟 衣茂斌 +3 位作者 王艳辉 刘宗顺 贾刚 高鼎三 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期81-84,共4页
利用半导体激光器作为采样光源的超高速电光采样测试系统(时间分辨率最高可达16.7ps,电压灵敏度为0.26mVHz^(-1/2)).测量了1~5GHz的微波信号和同轴电缆传输线的色散展宽.
关键词 电光采样 半导体 激光器 微波信号
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非放射性红色荧光粉的合成和发光 被引量:14
13
作者 戴国瑞 郑雁 张英兰 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第1期97-100,共4页
本文采用特殊的灼烧工艺,在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉.用365nm紫外光激发,测试了样品的发光特性,其实验结果表明,SrS:Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x=0.620,y=0.375,余辉时间为3h.采用半导... 本文采用特殊的灼烧工艺,在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉.用365nm紫外光激发,测试了样品的发光特性,其实验结果表明,SrS:Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x=0.620,y=0.375,余辉时间为3h.采用半导体平面工艺技术进行SiO_2包膜,改善了荧光粉的稳定性. 展开更多
关键词 红色 荧光粉 光致发光 氧化硅
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1.3μm InGaAsP激光器电光采样技术测量超快速电信号 被引量:2
14
作者 孙伟 王艳辉 +3 位作者 刘宗顺 贾刚 衣茂斌 高鼎三 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期59-60,共2页
研究超高速器件和微波集成电路瞬态特性需要在时间畴测量非常快的电信号,这对测量手段的时间分辨率提出了更高的要求。以实用的高速采样示波器(Tck7104,带S4采样头,上升时间为25ps)已经不能完全满足测量的需要。我们建造了1.3 μm InGa... 研究超高速器件和微波集成电路瞬态特性需要在时间畴测量非常快的电信号,这对测量手段的时间分辨率提出了更高的要求。以实用的高速采样示波器(Tck7104,带S4采样头,上升时间为25ps)已经不能完全满足测量的需要。我们建造了1.3 μm InGaAsP激光器超高速电光采样测试装置,采样光源是1.3 μm增益开关InGaAsP/IaP激光器。如果用以Ⅲ-V族材料为衬底的高速集成电路芯片代替微带采样器。 展开更多
关键词 超高速 激光器 电光采样 电信号
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金刚石薄膜热沉的制备研究 被引量:3
15
作者 于三 赵方海 +3 位作者 金曾孙 吕宪义 庄荣书 邹广田 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期151-155,共5页
利用灯丝热解CVD方法合成了厚度为100μm以上的金刚石多晶薄膜。气相合成的金刚石膜按照2mm×2mm×0.1mm尺寸切割后,通过表面真空蒸镀Ti、Pt、Au包层,在一定的温度下通过烧结等方法使金刚石膜表面金属化,实现了金刚石膜热沉的... 利用灯丝热解CVD方法合成了厚度为100μm以上的金刚石多晶薄膜。气相合成的金刚石膜按照2mm×2mm×0.1mm尺寸切割后,通过表面真空蒸镀Ti、Pt、Au包层,在一定的温度下通过烧结等方法使金刚石膜表面金属化,实现了金刚石膜热沉的制备。在GaAs/AlGaAs激光列阵二极管的散热中使用了金刚石膜热沉,结果表明该激光器的散热特性得到了初步的改善,激光器的最大光输出功率较铜热沉散热时提高了10%左右。 展开更多
关键词 金刚石 薄膜 热解CVD 热沉
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高速Ge光电探测器脉冲和频率响应的特性测量 被引量:2
16
作者 孙伟 衣茂斌 +3 位作者 王艳辉 贾刚 刘宗顺 高鼎三 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第4期59-61,共3页
本文用电光采样技术测量了高速Ge雪崩光电二极管的脉冲响应特性,利用计算机进行快速傅里叶变换(FFT)运算,得到了探测器的频率响应曲线。
关键词 光电探测器 脉冲响应 频率响应
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SnO_2/Fe_2O_3多层结构薄膜型气敏元件的研究 被引量:3
17
作者 马晓翠 阎大卫 +1 位作者 戴国瑞 邹慧珠 《仪表材料》 EI CAS CSCD 1990年第3期159-163,共5页
本文报导了采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备 SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜气体敏感材料及敏感元件的性质。所研制的多层薄膜在保持对乙醇有较高的灵敏度及较好的响应恢复时间的同时,其稳定件较单层膜有明显地改善。乙醇和汽油的... 本文报导了采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备 SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜气体敏感材料及敏感元件的性质。所研制的多层薄膜在保持对乙醇有较高的灵敏度及较好的响应恢复时间的同时,其稳定件较单层膜有明显地改善。乙醇和汽油的分离倍数达10左右,对其它气体分离倍数更高。研究表明所制备的 SnO_2/Fe_2O_3薄膜材料可用于开发新型气敏元件。 展开更多
关键词 多层薄膜 SnO_2 Fe_2O_3 气敏元件
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室温下ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的子带跃迁 被引量:2
18
作者 于广辉 范希武 +4 位作者 关郑平 张吉英 申德振 郑著宏 胡德宝 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期207-211,共5页
通过在室温下对ZnCdSe-ZnSe组合超晶格结构的电调制反射谱的测量,观测到分别来自两组超晶格的激子跃迁,由曲线拟合出的跃迁能量与由包络函数近似计算得到的能量相符合.
关键词 组合超晶格 子带跃迁 锌镉硒 半导体 硒化锌
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高选择性H_2S气敏元件及其特性 被引量:4
19
作者 全宝富 孙良彦 张清 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1989年第4期75-78,共4页
本文报导了利用超微粒ZnO材料制作的气敏元件,对H_2S气体具有很高的灵敏度和良好的选择特性;在相同的测试条件下,元件对H_2、CH_4、C_2H_2、C_2H_4、CO、煤气、液化汽等无明显的气敏性。在较高的环境温度和湿度下,元件的气敏特性仍较稳定。
关键词 硫化氢 气敏元件 灵敏度 氧化锌
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掺杂剂与ZnO材料的气敏特性 被引量:2
20
作者 全宝富 沈艳宾 +1 位作者 卢革宇 孙良彦 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期77-80,共4页
本文报导了金属氢化物BeO,Tl_2O_3,Y_2O_3,ZrO_2在ZnO材料中的掺杂行为及其对ZnO材料气敏性能的影响.
关键词 掺杂剂 灵敏度 氧化锌 传感器
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