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半导体激光器的电导数测试和可靠性分析: 1; 作者金恩顺石家纬 +2 位作者马靖李正庭高鼎三《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第2期51-54,共4页; 采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.; 关键词半导体激光器器件参数可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的简单计算: 2; 作者彭宇恒陈维友 +1 位作者赵铁民刘式墉《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期18-21,共4页; 本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论，提供了一种既简单又较准确的计算压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的方法。给出影响峰值增益能量的两个主要因素，讨论了在压缩应变的情况下，Ｆｅｉｍｉ－Ｄｉｒａｃ分布函数... 展开更多; 关键词峰值增益波长量子阱激光器压缩应变; 在线阅读下载PDF 职称材料

指数折射率平面光波导的WKB模方程: 3; 作者马春生刘式墉《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第2期47-50,共4页; 文应用WKB法导出了指数折射率平面光波导的模方程。实算结果表明,所给模方程具有很高的精度。; 关键词光波导指数折射率 WKB法模方程; 在线阅读下载PDF 职称材料

CO选择性厚膜气敏元件及其特性: 4; 作者卢革宇孙良彦 +5 位作者吕德安吴家琨刘正绣韩敬魏秀红邱要武《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1992年第2期52-56,共5页; 本文采用丝网印刷技术制作了CO选择性厚膜气敏元件,并对其加热器特性及气敏特性进行了研究。结果表明,元件的电参数具有较好的一致性;在低温下对CO具有较高的灵敏度和选择性。加热器在CO的工作温度下具有一定的稳定性。; 关键词气敏元件厚膜一氧化碳; 在线阅读下载PDF 职称材料

1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长: 5; 作者祝进田李玉东 +3 位作者胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期273-277,共5页; 本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９... 展开更多; 关键词应变量子阱激光器化学汽相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体激光器的电导数测试和可靠性分析: 1; 作者金恩顺石家纬马靖李正庭高鼎三; 机构吉林大学电子科学与技术研究所; 出处《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第2期51-54,共4页; 基金国家自然科学基金; 文摘采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.; 关键词半导体激光器器件参数可靠性; Keywords semiconductor laser, device parameter, reliability; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的简单计算: 2; 作者彭宇恒陈维友赵铁民刘式墉; 机构吉林大学电子科学与技术研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期18-21,共4页; 文摘本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论，提供了一种既简单又较准确的计算压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的方法。给出影响峰值增益能量的两个主要因素，讨论了在压缩应变的情况下，Ｆｅｉｍｉ－Ｄｉｒａｃ分布函数随注入载流子浓度的变化对峰值增益波长的影响，并且，以ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ压缩应变量子阱激光器为例，利用广泛采用的Ｌｏｒｅｎｔｚｉａｎ线形函数，计算了不同的载流子注入浓度时的峰值增益波长。; 关键词峰值增益波长量子阱激光器压缩应变; Keywords Wavelength of gain peak Feimi-Dirac distribution function Lorentzian line shape function; 分类号 TN248.01 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名指数折射率平面光波导的WKB模方程: 3; 作者马春生刘式墉; 机构吉林大学电子科学与技术研究所; 出处《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第2期47-50,共4页; 文摘文应用WKB法导出了指数折射率平面光波导的模方程。实算结果表明,所给模方程具有很高的精度。; 关键词光波导指数折射率 WKB法模方程; Keywords optical waveguide, exponential index profile, mode equation, effective index, WKB method; 分类号 TN814.601 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CO选择性厚膜气敏元件及其特性: 4; 作者卢革宇孙良彦吕德安吴家琨刘正绣韩敬魏秀红邱要武; 机构吉林大学电子科学与技术研究所; 出处《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1992年第2期52-56,共5页; 文摘本文采用丝网印刷技术制作了CO选择性厚膜气敏元件,并对其加热器特性及气敏特性进行了研究。结果表明,元件的电参数具有较好的一致性;在低温下对CO具有较高的灵敏度和选择性。加热器在CO的工作温度下具有一定的稳定性。; 关键词气敏元件厚膜一氧化碳; Keywords gas sensor thick film carbon oxide; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长: 5; 作者祝进田李玉东胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉; 机构集成光电子学国家重点联合实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期273-277,共5页; 文摘本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。; 关键词应变量子阱激光器化学汽相沉积; Keywords Strained-layer QW laser LP-MOCVD TMGa TMIn; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	半导体激光器的电导数测试和可靠性分析	金恩顺石家纬马靖李正庭高鼎三	《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD	1993	在线阅读下载PDF 职称材料
2	压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的简单计算	彭宇恒陈维友赵铁民刘式墉	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	在线阅读下载PDF 职称材料
3	指数折射率平面光波导的WKB模方程	马春生刘式墉	《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD	1990	在线阅读下载PDF 职称材料
4	CO选择性厚膜气敏元件及其特性	卢革宇孙良彦吕德安吴家琨刘正绣韩敬魏秀红邱要武	《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD	1992	在线阅读下载PDF 职称材料
5	1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长	祝进田李玉东胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉	《光子学报》 EI CAS CSCD	1994	在线阅读下载PDF 职称材料