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MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管 被引量:1
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作者 郁鑫鑫 沈睿 +11 位作者 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期312-318,共7页
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分... 本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2×10^(18) cm^(-3)和55 cm^(2)/(V·s),相应的沟道方阻为10.3 kΩ/sq。研制的栅漏间距2和16μm的Ga_(2)O_(3)MOSFET器件的比导通电阻分别为2.3和40.0 mΩ·cm^(2),对应的击穿电压分别达到458和2324 V。为了进一步提升器件的击穿电压,采用p型NiO制备栅电极,研制的Ga_(2)O_(3)JFET器件导通电阻显著增大,但击穿电压分别提升至755和3000 V以上。计算了不同栅漏间距器件的功率优值(P-FOM),发现其随栅漏间距的增加先增大后减小,其中栅漏间距为8μm的Ga_(2)O_(3)MOSFET器件获得了最高的P-FOM,达到了192 MW/cm^(2),表明MOCVD外延技术在Ga_(2)O_(3)功率器件上具有重要的应用前景。 展开更多
关键词 氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值
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基于级联多模干涉耦合器的模式选择开关
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作者 王曼卓 姚振涛 +5 位作者 孙朝阳 张越 方记民 孙小强 吴远大 张大明 《光子学报》 北大核心 2025年第3期147-159,共13页
提出并制备了一种由1×3多模干涉(Multimode Interference,MMI)耦合器和3×3 MMI耦合器级联构建的二氧化硅波导模式选择开关,通过热光调制改变输入至3×3 MMI耦合器光信号的相位,可实现一阶模(E_(10))输入转换为基模(E_(00... 提出并制备了一种由1×3多模干涉(Multimode Interference,MMI)耦合器和3×3 MMI耦合器级联构建的二氧化硅波导模式选择开关,通过热光调制改变输入至3×3 MMI耦合器光信号的相位,可实现一阶模(E_(10))输入转换为基模(E_(00)),并有选择地从目标端口输出;当输入为基模(E_(00))时,E_(00)可直接由选定端口输出。开关采用光束传播方法(Beam Propagation Method,BPM)进行设计和优化,并且通过标准CMOS技术制备。测试结果表明,一阶模(E_(10))在两个输出端口间切换时,驱动功耗分别为170 mW和395.3 mW。在1523~1556 nm波长范围内,三个输出端口的插入损耗、串扰和消光比分别≤10 dB、≤-15 dB和≥15 dB。开关的上升时间为0.9418 ms,下降时间为1.042 ms。所提出的模式选择开关在片上信号路由应用中具有良好的潜力。 展开更多
关键词 光通信 多模干涉 模分复用 模式开关 二氧化硅波导
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氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究
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作者 沈睿 郁鑫鑫 +7 位作者 李忠辉 陈端阳 赛青林 谯兵 周立坤 董鑫 齐红基 陈堂胜 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期524-529,共6页
β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,... β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,影响其耐压特性。因此,本文提出通过对器件肖特基金属边缘进行硼(B)离子选区注入来构建埋层高阻终端,从而调控电极边缘的电场分布,以达到提升击穿电压的效果。B离子注入的能量和剂量分别为60 keV和7×1014 cm^(-2),通过仿真估算注入深度约为200 nm。采用B离子注入终端后,Ga_(2)O_(3)SBD器件的导通特性未发生明显变化,比导通电阻仍为2.5 mΩ·cm^(2)左右,而击穿电压则从429 V大幅度提升至1402 V,增幅达226%,对应的功率优值从74 MW/cm^(2)提升至767 MW/cm^(2)。通过仿真研究了器件电场分布,发现采用B注入终端后,肖特金属电极边缘的电场峰值得到显著抑制,且随着注入深度的增大而逐步下降。本工作为高性能Ga_(2)O_(3)功率器件终端结构的设计提供了新的研究思路。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基二极管 硼离子注入 边缘终端 击穿电压
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Preparation and sensing characteristics of long-period fiber gratings based on periodic microchannels
4
作者 SUN Cai LI Yuan-jun +6 位作者 YANG He-er PAN Xue-peng LIU Shan-ren WANG Bo GAO Meng-meng GUO Qi YU Yong-sen 《中国光学(中英文)》 北大核心 2025年第1期198-205,共8页
Long-period fiber gratings have the advantages of small size,corrosion resistance,anti-electro-magnetic interference,and high sensitivity,making them widely used in biomedicine,the power industry,and aerospace.This pa... Long-period fiber gratings have the advantages of small size,corrosion resistance,anti-electro-magnetic interference,and high sensitivity,making them widely used in biomedicine,the power industry,and aerospace.This paper develops a long-period fiber grating sensor based on periodic microchannels.First,a series of linear structures were etched in the cladding of a single-mode fiber by femtosecond laser microma-chining.Then,the laser-modified region was selectively eroded by selective chemical etching to obtain the periodic microchannel structure.Finally,the channels were filled with polydimethylsiloxane(PDMS)to im-prove the spectral quality.The experimental results show that the sensor has good sensitivity in the measure-ment of various parameters such as temperature,stress,refractive index(RI),and bending.It has a temperat-ure sensitivity of−55.19 pm/℃,a strain sensitivity of−3.19 pm/με,a maximum refractive index sensitivity of 540.28 nm/RIU,and a bending sensitivity of 2.65 dB/m^(-1).All of the measurement parameters show good lin-ear responses.The sensor has strong application prospects in the field of precision measurement and sensing. 展开更多
关键词 long-period fiber gratings femtosecond laser micromachining fiber sensors
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基于光纤布拉格光栅与长周期光栅并联的集成光学传感器(英文) 被引量:16
5
作者 梁居发 敬世美 +3 位作者 孟爱华 陈超 刘云 于永森 《中国光学》 EI CAS CSCD 2016年第3期329-334,共6页
为了提高光纤传感器的性能和进一步缩小传感器的尺寸,通过实验制备出一种基于光纤布拉格光栅(FBG)与长周期光栅(LPG)并联的新型集成光学传感器。该传感器中的FBG和LPG是利用飞秒激光直写技术直接在普通单模光纤中刻写的。FBG和LPG是并... 为了提高光纤传感器的性能和进一步缩小传感器的尺寸,通过实验制备出一种基于光纤布拉格光栅(FBG)与长周期光栅(LPG)并联的新型集成光学传感器。该传感器中的FBG和LPG是利用飞秒激光直写技术直接在普通单模光纤中刻写的。FBG和LPG是并联关系,因此很大程度地缩小了传感器的长度。外界的温度和折射率的变化会引起FBG和LPG的谐振峰波长位置发生变化,据此对该集成传感器进行温度和折射率测量。实验结果表明:FBG谐振峰对折射率和温度的灵敏度分别为0 nm/RIU和12.98 pm/℃,而LPG在1 555 nm附近谐振峰对折射率和温度的灵敏度为196.46 nm/RIU和10.93 pm/℃。因此,根据双参数传感矩阵,该传感器可以对温度和外界折射率进行同时传感。 展开更多
关键词 集成光学传感器 光学布拉格光栅(FBG) 长周期光栅(LPG) 飞秒激光
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表面改性硅的超快激光脉冲制备及光电特性研究 被引量:1
6
作者 杨洋 李超 赵纪红 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期28-36,共9页
为将单晶硅的吸收限拓展至近红外波段以满足光通讯之需求,利用纳秒激光脉冲辐照单晶硅表面制得了表面结构化的硅.研究了能量密度从0.39 J/cm^2到24 J/cm^2的激光脉冲辐照后结构化硅表面的形貌差异.测试并分析了不同能量密度的激光脉冲... 为将单晶硅的吸收限拓展至近红外波段以满足光通讯之需求,利用纳秒激光脉冲辐照单晶硅表面制得了表面结构化的硅.研究了能量密度从0.39 J/cm^2到24 J/cm^2的激光脉冲辐照后结构化硅表面的形貌差异.测试并分析了不同能量密度的激光脉冲辐照后结构化硅的反射率、透过率和吸收率等光学性质.研究发现,相比于单晶硅衬底,所有结构化硅样品都表现出近红外吸收增强特性,对1500 nm的近红外光的吸收率高达55%.进而对改性硅样品的红外吸收的热稳定性进行了研究.在473~1073 K的温度范围内对改性硅样品进行退火,通过分析改性硅的反射率、透过率和吸收率随退火温度的变化规律,发现热退火处理会轻微降低改性硅样品的红外区吸收率,吸收率降低幅度低于10%.最后,通过分析脉冲激光改性硅的拉曼光谱,获得了改性硅的晶体结构信息.经过纳秒激光脉冲辐照后,硅表面处于无序化状态,形成非晶或多晶相,但是后热退火工艺可以有效改善结构化硅表面的晶体质量. 展开更多
关键词 结构化 红外吸收 热退火 脉冲激光
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射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性 被引量:11
7
作者 张源涛 李万程 +4 位作者 王金忠 杨晓天 马艳 殷宗友 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期73-75,共3页
采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。
关键词 射频磁控溅射 结构 光学特性 ZNO薄膜 光荧光谱 氧化锌薄膜 外延生长
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均匀沉淀法制备高性能催化燃烧式甲烷传感器 被引量:13
8
作者 马金鸣 王魏男 +4 位作者 李小伟 刘银萍 赵靖 杜宇 卢革宇 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1522-1525,共4页
为了提高催化燃烧式甲烷传感器的性能,以介孔SBA-15作为载体,采用均匀沉淀法制备具有不同Pd担载量的敏感材料。通过XRD和氮气吸脱附表征材料的组成及结构,并以该材料构筑敏感元件,研究其气敏特性。与传统浸渍法合成的Pd/γ-Al2O3相比,Pd... 为了提高催化燃烧式甲烷传感器的性能,以介孔SBA-15作为载体,采用均匀沉淀法制备具有不同Pd担载量的敏感材料。通过XRD和氮气吸脱附表征材料的组成及结构,并以该材料构筑敏感元件,研究其气敏特性。与传统浸渍法合成的Pd/γ-Al2O3相比,Pd/SBA-15对于甲烷具有更加出色的敏感特性,这主要源于其高比表面积、小而均一的Pd颗粒以及多孔结构使Pd/SBA-15上的活性位点与甲烷气体之间产生高效的界面反应。 展开更多
关键词 甲烷传感器 介孔 均匀沉淀法 高灵敏度
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酞菁及类酞菁的结构与紫外可见光谱研究 被引量:13
9
作者 白青龙 张春花 +3 位作者 夏道成 程传辉 范昭奇 杜国同 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期61-65,共5页
介绍了酞菁、亚酞菁和超酞菁的典型结构及其吸收光谱,分别介绍了酞菁和亚酞菁的衍生物、缩合物的结构与最大吸收波长之间的关系以及它们潜在的应用前景,同时分析讨论了几种扩展的酞菁类似物的结构特点和它们吸收性能差的原因。
关键词 酞菁 类酞菁 结构 紫外光谱
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RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响 被引量:4
10
作者 张源涛 殷宗友 +2 位作者 杨树人 马艳 杜国同 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期327-331,共5页
采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧... 采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽变小。而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小。此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好。 展开更多
关键词 RF磁控溅射条件 ZNO薄膜 氧化锌薄膜 结构分析 溅射频率 氧气流量 氩气流量 XRD分析
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激发功率、退火温度及Tm^(3+)浓度对Tm^(3+)/Er^(3+)/Yb^(3+)三掺YF_3粉末上转换发光性质的影响 被引量:11
11
作者 曹春燕 秦伟平 +7 位作者 张继森 张继双 王艳 金叶 尉国栋 王国凤 王丽丽 朱培芬 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期705-709,共5页
用水热法合成了Tm^(3+)/Er^(3+)/Yb^(3+)三掺杂YF_3上转换发光粉末,并对其进行了结构和形貌表征。对上转换发射谱的研究表明,在相对低激发功率下,可以观察到比较明亮的近白色发光,且随着激发功率的增大,上转换发射强度迅速增大并达到饱... 用水热法合成了Tm^(3+)/Er^(3+)/Yb^(3+)三掺杂YF_3上转换发光粉末,并对其进行了结构和形貌表征。对上转换发射谱的研究表明,在相对低激发功率下,可以观察到比较明亮的近白色发光,且随着激发功率的增大,上转换发射强度迅速增大并达到饱和状态,继续增大激发功率,出现发光猝灭现象。退火温度对上转换发射强度的影响表明,随着退火温度的升高,Tm^(3+),Er^(3+)的所有特征发射峰均相对增强。上转换发射谱随Tm^(3+)浓度变化关系表明,在相对低Tm^(3+)掺杂浓度下,Tm^(3+)-Er^(3+)相互作用占优势,Tm^(3+)把能量传递给Er^(3+),Er^(3+)发射相对增强;在相对高掺杂浓度下,Tm^(3+)-Tm^(3+)之间交叉弛豫过程占优势,Er^(3+)发射相对减弱。从实验结果看出,该粉末的上转换发光非常丰富,从紫外到红外均有发射,是一种潜在的白色上转换发光及三维固体显示材料。 展开更多
关键词 YF3粉末 上转换 发射光谱 退火温度
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光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响 被引量:7
12
作者 李香萍 张宝林 +6 位作者 董鑫 张源涛 夏晓川 赵磊 赵旺 马艳 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期139-143,共5页
采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到... 采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到改善。分析认为,这主要是由于光辅助有助于提高锌有机源的分解效率,并且高能量的光子可为反应吸附的原子提供足够高的激活能,从而易于其迁移到合适的晶格位置所致。同时我们还发现,有光照和无光照条件下制备的ZnO薄膜均呈n型导电,但有光照条件下制备的ZnO薄膜具有更低的本底载流子浓度,这将为日后通过降低自补偿实现p型掺杂提供一个很好的解决办法。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 光辅助金属有机化学气相沉积 光学特性
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MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长 被引量:5
13
作者 刘博阳 杜国同 +5 位作者 杨小天 赵佰军 张源涛 高锦岳 刘大力 杨树人 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期99-102,共4页
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射... 介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射谱图显示仅在2θ =34.72°处有一个很陡峭的ZnO (0 0 2 )晶面衍射峰 ,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致。此衍射峰的半高宽为 0 .2 82° ,显示出较好的晶体质量。在室温光致发光谱中 ,薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过 10∶1。 展开更多
关键词 氧化锌 金属有机化学气相沉积法 单晶薄膜 薄膜生长 X射线衍射分析 光致发光光谱
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光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器研究进展 被引量:11
14
作者 李爱武 单天奇 +4 位作者 国旗 潘学鹏 刘善仁 陈超 于永森 《中国光学(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期609-624,共16页
光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器具有体积小、制作简单、灵敏度高、耐高温和抗电磁干扰等优点,广泛应用于航空航天、能源工业及环境监测等领域。本文首先介绍了光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器的传感原理、传感性能、传感特性和制备... 光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器具有体积小、制作简单、灵敏度高、耐高温和抗电磁干扰等优点,广泛应用于航空航天、能源工业及环境监测等领域。本文首先介绍了光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器的传感原理、传感性能、传感特性和制备方法。然后对其温度、压力和应变的灵敏度和测量范围等特征参数进行了归纳。总结了光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器的国内外研究进展及性能参数。介绍了光纤法布里-珀罗干涉仪传感器温度和压力的交叉敏感问题及解决方法和基于不同种类光纤的法布里-珀罗干涉仪高温传感特性。针对近几年光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器的研究进展,介绍了多种用于双参数测量的光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器。最后对光纤法布里-珀罗干涉仪高温传感器的未来发展趋势和前景进行了展望。 展开更多
关键词 光纤法布里-珀罗干涉仪 高温传感器 高温压力测量
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KOH溶液中(110)硅片腐蚀特性的研究 被引量:3
15
作者 贾翠萍 董玮 +3 位作者 徐宝琨 潘建旋 周敬然 陈维友 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期52-55,共4页
研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(110)面的平整和{111}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(110)面和{111}面腐蚀选择比大,采用湿法腐蚀技术可以制作高深宽比结构的方式,在(110)硅片上设计制作出光开关用微反射镜。在腐蚀... 研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(110)面的平整和{111}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(110)面和{111}面腐蚀选择比大,采用湿法腐蚀技术可以制作高深宽比结构的方式,在(110)硅片上设计制作出光开关用微反射镜。在腐蚀过程中光开关悬臂的凸角处产生了削角现象,利用表面硅原子悬挂键的分布特征对产生削角的原因作了合理解释,这为以后研究凸角补偿提供了理论依据。 展开更多
关键词 KOH溶液 (110)硅片 凸角 悬挂键
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棒束花状α-Fe2O3的制备及其气敏特性 被引量:3
16
作者 马健 寇雪莹 +2 位作者 丁梦迪 张红 孙彦峰 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期116-120,共5页
以FeCl_3·6H_2O为前驱体,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP,分子量为8 000)为表面活性剂,先通过水热反应,再经高温煅烧制备具有棒束花状多级结构的α-Fe_2O_3,并用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)表征样品结构.结果表明:样... 以FeCl_3·6H_2O为前驱体,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP,分子量为8 000)为表面活性剂,先通过水热反应,再经高温煅烧制备具有棒束花状多级结构的α-Fe_2O_3,并用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)表征样品结构.结果表明:样品结构由棒束以自组装的方式形成,每个棒束由多个单晶纳米棒构成;由该结构制成的传感器件在200℃对丙酮具有良好的选择性及较高的灵敏度. 展开更多
关键词 水热法 半导体 棒束花状纳米结构 气体传感器
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RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究 被引量:2
17
作者 李万程 张源涛 +2 位作者 杜国同 杨树人 王涛 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期493-496,共4页
采用 RF磁控溅射方法在 Si衬底上生长 Zn O薄膜 . XRD测量结果表明 ,Zn O薄膜为 c轴择优取向生长的 .对 Zn O薄膜进行了 XPS深度剖析及测试 .测试结果表明 ,在未达到界面时 Zn O均符合正化学计量比 ,是均匀的单相膜 ,表明该方法具有较... 采用 RF磁控溅射方法在 Si衬底上生长 Zn O薄膜 . XRD测量结果表明 ,Zn O薄膜为 c轴择优取向生长的 .对 Zn O薄膜进行了 XPS深度剖析及测试 .测试结果表明 ,在未达到界面时 Zn O均符合正化学计量比 ,是均匀的单相膜 ,表明该方法具有较好的成膜特性 .在界面处 ,Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、 Zn2 p3/2 与 Zn LMM峰积分面积比值的变化、 Si2 p峰的非对称性 ,均表明 Si与 Zn O的界面处有明显的成键作用 .在界面处 ,n型 Si反型为 p型 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 SI衬底 RF磁控溅射法 XPS 半导体薄膜 成膜特性 化学位移 俄歇峰
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p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性 被引量:4
18
作者 董鑫 赵旺 +2 位作者 张宝林 李香萍 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期129-132,共4页
通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在A... 通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在As。电学测试结果表明:退火对样品的电阻率和载流子浓度的影响很大。这是长时间的氧气退火使得氧空位数目明显减少,从而使Zn—O键数量显著增加造成的。在样品的X射线衍射(XRD)谱中,p型样品的(002)衍射峰明显弱于n型样品。而在二者的光致发光(PL)谱中,都存在着很强的近带边发射(NBE)峰和较弱的深能级发射(DLE)峰,p型样品的NBE峰明显较弱而DLE峰却很强。这些现象是由于As原子的扩散,使薄膜中产生了新的缺陷能级,导致能级间的激子复合更加复杂。稳定的p型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础。 展开更多
关键词 p型MgxZn1-xO薄膜 光致发光
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镱铥共掺杂的氟化镧纳米粒子的亮蓝色上转换发光(英文) 被引量:2
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作者 张继双 秦伟平 +7 位作者 张继森 王艳 曹春燕 金叶 尉国栋 王国凤 王丽丽 朱培芬 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期660-664,共5页
采用反胶束法合成镱铥共掺杂的氟化镧纳米粒子。这种反胶束是由微乳液作为合成媒介,这些分散的纳米粒子在化学成分、尺寸分布上是可控的。产物形貌经场发射扫描电镜和透射电镜表征。固态样品分散在乙醇中,在未经超声处理时,样品表现为... 采用反胶束法合成镱铥共掺杂的氟化镧纳米粒子。这种反胶束是由微乳液作为合成媒介,这些分散的纳米粒子在化学成分、尺寸分布上是可控的。产物形貌经场发射扫描电镜和透射电镜表征。固态样品分散在乙醇中,在未经超声处理时,样品表现为玉米棒样的聚集。棒的平均直径和长度分别为110,575 nm。我们认为这种大量纳米粒子聚集成良好超结构是由于溶剂挥发,分子交叉链接或者表面活性剂分子附着于纳米粒子特殊晶面造成的。当样品经过超声处理后,由于超声振动破坏了上述因素,玉米棒形貌的聚集体转为大量纳米粒子。单个粒子的高分辨电镜显示出该纳米粒子的单晶结构。并且晶面间距约为0.366 nm,与纯氟化镧六角相[002]晶面相一致。样品在300℃退火30 min后的透射电镜照片显示纳米粒子的平均直径大约为35 nm,这与XRD结果相吻合。并且,这些纳米粒子表现出了良好的单分散性,并且在978 nm二极管激发下,纳米粒子呈现出亮蓝色上转换发光,这种上转换荧光粉在光电子或生物检测中有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 纳米粒子 形貌 发光 上转换
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PbSe胶质纳米晶温度依赖的光谱特性研究 被引量:2
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作者 王芳荣 范文勇 +3 位作者 翟微微 张铁强 王一丁 张宇 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1153-1156,共4页
在研究中,制备了3.8和5.8nm两种尺寸的PbSe胶质纳米晶,并对PbSe胶质纳米晶温度依赖的光学特性进行了研究。实验数据表明:在室温情况下,随着温度和尺寸的变化,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度、发光峰值波长、发光强度及全波半宽度等都会发生... 在研究中,制备了3.8和5.8nm两种尺寸的PbSe胶质纳米晶,并对PbSe胶质纳米晶温度依赖的光学特性进行了研究。实验数据表明:在室温情况下,随着温度和尺寸的变化,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度、发光峰值波长、发光强度及全波半宽度等都会发生改变。在纳米晶尺寸是3.8nm时,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度随温度升高产生红移;但是当尺寸是5.8nm时,禁带宽度随温度升高产生蓝移。随温度的升高,PbSe胶质纳米晶的发光强度将下降、全波半宽度会增加。 展开更多
关键词 纳米晶 PBSE 禁带宽度 发光强度 全波半宽度(FWHM)
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