一种新型半导体超辐射集成光源

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作者 赵永生 杜国同 +4 位作者 姜秀英 韩伟华 李雪梅 宋俊峰 高鼎三 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第1期5-7,共3页

为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这... 为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率，有望成为新一代大功率超辐射光源。 展开更多

关键词 超辐射发光管 集成光源 半导体光电器件

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腔面反射率对超辐射发光二极管输出特性的影响 被引量：3

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作者 马东阁 石家伟 +1 位作者 刘明大 高鼎三 《激光技术》 EI CAS CSCD 1996年第3期168-173,共6页

本文用耦合速率方程，从理论上分析研究了超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的功率输出特性。主要讨论了腔面反射率对其功率输出特性的影响。研究结果表明，半导体激光器（ＬＤ）存在一最佳输出功率腔面反射率，随腔面反射率的降低，ＳＬＤ的... 本文用耦合速率方程，从理论上分析研究了超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的功率输出特性。主要讨论了腔面反射率对其功率输出特性的影响。研究结果表明，半导体激光器（ＬＤ）存在一最佳输出功率腔面反射率，随腔面反射率的降低，ＳＬＤ的功率曲线斜率减小，输出功率降低，光谱调制深度减小。增大后腔面反射率可以提高ＳＬＤ的输出功率，减小其工作电流。由于腔面反射率的降低，前后传输的光子在有源区内的分布的对称性发生了变化，表现为非均匀性，后向传输波大于前向传输波。最后，把理论计算结果同我们研制的１．３μｍ徐层结构超辐射发光二极管的实验结果作了比较，得到了较好符合。 展开更多

关键词 超辐射发光二极管 腔面反射率 输出特性

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调制掺杂压缩应变多量子阱激光器的增益特性和线宽增强因子的理论研究 被引量：1

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作者 彭宇恒 陈松岩 +2 位作者 陈维友 赵铁民 刘式墉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期33-37,共5页

本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准费米能级的移动以及微分增益谱的变化。然后，计算了线宽增强因子（α）与应变大小和掺杂浓度以及... 本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准费米能级的移动以及微分增益谱的变化。然后，计算了线宽增强因子（α）与应变大小和掺杂浓度以及注入载流子浓度之间的关系，结果发现压缩应变和增大载流子注入虽然能够减小α因子，但很难使它的零点波长对应于增益区，而利用调制掺杂技术能有效地使α因子的零点对应于增益区。在增大压缩应变和载流子注入浓度的情况下可以明显减小为使α因子变为零所需要的调制掺杂浓度。 展开更多

关键词 压缩应变 应变多量子阱 调制掺杂 增益 激光器

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用变分法计算超晶格材料能带过程的一种新的包络函数构造方法 被引量：2

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作者 陈维友 刘式墉 彭宇恒 《高技术通讯》 CAS CSCD 1995年第6期32-36,共5页

在以往用变分法计算超晶格材料能带结构的工作基础上，提出一种新的包络函数构造方法，该方法具有通用性，可方便地用于多种材料构成的任意结构的超晶格，可使复杂的数值运算过程得以简化，尤其对由多种材料构成的超晶格更为明显。与已... 在以往用变分法计算超晶格材料能带结构的工作基础上，提出一种新的包络函数构造方法，该方法具有通用性，可方便地用于多种材料构成的任意结构的超晶格，可使复杂的数值运算过程得以简化，尤其对由多种材料构成的超晶格更为明显。与已报道的理论计算结果的比较表明：对于Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ参数及Ｋａｎｅ矩阵元相同的材料体系结果完全一致；对于不同的体系，也符合得很好。 展开更多

关键词 超晶格 计算 变分法 包络函数

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迅速发展的LCVD技术 被引量：1

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作者 王庆亚 张玉书 《激光技术》 CAS CSCD 1994年第3期161-167,共7页

本文简要回顾了近十年来激光ＣＶＤ（ＬＣＶＤ）技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性，同时也可利用其高精度的膜厚控... 本文简要回顾了近十年来激光ＣＶＤ（ＬＣＶＤ）技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性，同时也可利用其高精度的膜厚控制特性获得新结构的材料和器件。作者还对该技术的广泛的应用前景予以展望和肯定。 展开更多

关键词 LCVD 半导体膜 激光技术

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砷化镓共面波导内部微波信号的电光取样检测

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作者 贾刚 衣茂斌 +5 位作者 孙伟 曹杰 孙建国 王佳生 秦莉 高鼎三 《电子科学学刊》 EI CSCD 1995年第2期197-200,共4页

本文报道了共轴反射式电光取样系统。该系统时间分辨率不低于20ps,空间分辨率不低于3μm。用它检测了砷化镓共面波导内部的微波信号。这套系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部特性的在片检测。

关键词 电光取样 集成电路 共面波导 在线检测

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InGaAs（P）应变多量子阱激光器的理论分析与优化设计

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作者 彭宇恒 王玮 +1 位作者 陈维友 刘式墉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期32-35,共4页

本文从理论上分析计算并给出了ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）应变多量子阱激光器的优化设计参数．考虑到多量子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析和计算方法．对于激射波长为１．５５微米的１．５％压缩应变多量子阱激光器，最佳的阱数为... 本文从理论上分析计算并给出了ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）应变多量子阱激光器的优化设计参数．考虑到多量子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析和计算方法．对于激射波长为１．５５微米的１．５％压缩应变多量子阱激光器，最佳的阱数为四个，最佳腔长为５００微米左右． 展开更多

关键词 多量子阱 模式增益 优化设计 半导体激光器

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用相位模板法制备紫外光写入光纤布拉格光栅的研究

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作者 谢世钟 曾定利 +3 位作者 周炳琨 张玉书 王庆亚 张健 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第7期24-26,共3页

利用相位模板，在２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光器光束的照射下，在国产高掺锗单模光纤中制作出了中心波长为１５４７ｎｍ，峰值反射率约为１０％，带宽为０．６４ｎｍ的折射率调制光纤布拉格光栅。

关键词 光纤 布拉格光栅 相位模板

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超辐射发光二极管的结构特性及其应用

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作者 马东阁 石家纬 《激光技术》 CAS CSCD 1994年第4期214-219,共6页

近几年来，由于超辐射发光二极管在光纤陀螺和光时域反射仪等方面的重要应用，已引起了人们的极大关注，许多国家都在竞相研制和开发。本文综述了目前超辐射发光二极管的主要结构和特性及其应用前景。

关键词 发光二极管 结构 特性 超荧光

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InP/InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析

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作者 陈维友 刘式墉 《光电子技术》 CAS 1993年第4期55-58,共4页

本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用... 本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。 展开更多

关键词 发光二极管 优化设计 CAD 波导区

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InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器

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作者 刘颖 杜国同 +9 位作者 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世呜 高洪海 高俊华 王洪杰 康学军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期218-220,共3页

报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。

关键词 INGAAS 量子阱 面发射 激光器

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