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液相沉淀法制备碳纤维/二氧化锡复合材料及其相关性质 被引量:1
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作者 魏荣慧 杜凯 +2 位作者 巩晓阳 陈庆东 杨海滨 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第4期1-4,共4页
对碳纤维表面进行修饰,通过低温液相沉淀法制备碳纤维/二氧化锡复合材料。针对这种核壳结构提出成核以及生长模型。研究退火温度以及反应物SnCl2浓度对复合物的结构、形貌以及光学性质的影响。结果显示:随着反应物SnCl2浓度的提高,包... 对碳纤维表面进行修饰,通过低温液相沉淀法制备碳纤维/二氧化锡复合材料。针对这种核壳结构提出成核以及生长模型。研究退火温度以及反应物SnCl2浓度对复合物的结构、形貌以及光学性质的影响。结果显示:随着反应物SnCl2浓度的提高,包覆得到改善。当SnCl2浓度为0.05 mol/L时得到的包覆最好,相应的二氧化锡壳层厚度约为250 nm。样品的荧光光谱表明:具有位于450~700 nm之间,峰值为583 nm的黄光。结合对退火样品的荧光光谱的研究得出宽的黄光发射峰可能归于氧空位。 展开更多
关键词 碳纤维 二氧化锡 核壳结构 光学性质
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Mn掺杂ZnO纳米棒阵列的制备及其磁学性质研究
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作者 李明辉 付乌有 +1 位作者 李伊荇 杨海滨 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期625-629,共5页
在95℃条件下通过水热方法制备出垂直于ITO基底高密度均匀生长的Mn掺杂ZnO(ZnO:Mn)纳米棒阵列.纳米棒的直径约为100纳米,长约1微米,且沿[001]方向生长.XRD和XPS结果证实了Mn以替位方式掺杂到纳米棒中,并且掺杂浓度与反应物中的Mn离子浓... 在95℃条件下通过水热方法制备出垂直于ITO基底高密度均匀生长的Mn掺杂ZnO(ZnO:Mn)纳米棒阵列.纳米棒的直径约为100纳米,长约1微米,且沿[001]方向生长.XRD和XPS结果证实了Mn以替位方式掺杂到纳米棒中,并且掺杂浓度与反应物中的Mn离子浓度似呈正比关系.所制备的ZnO:Mn纳米棒在室温均有铁磁性,其饱和磁化强度随反应物中Mn离子浓度的提高,饱和磁化强度呈现出先增大,5at.%时达到最大值,0.11emu/g,然后减小.铁磁性来源于取代Zn离子的Mn离子之间的铁磁交换相互作用. 展开更多
关键词 MN掺杂 ZNO 纳米棒 阵列 磁性
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脉冲激光沉积羟磷灰石成膜的研究 被引量:2
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作者 王锋 金明星 +3 位作者 刘航 王卉 刘冰冰 丁大军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期537-540,共4页
使用 2 6 6nmNd YAG激光 (脉宽为 4ns ,能量密度 2J/cm2 ) ,以钛合金作衬底 ,在温度为4 0 0~ 4 50℃条件下 ,分别选择真空、Ar、O2 、H2 O气为沉积环境进行HAP薄膜的制备 ,并通过红外光谱、Raman光谱、原子力显微镜对所获得的HAP薄膜... 使用 2 6 6nmNd YAG激光 (脉宽为 4ns ,能量密度 2J/cm2 ) ,以钛合金作衬底 ,在温度为4 0 0~ 4 50℃条件下 ,分别选择真空、Ar、O2 、H2 O气为沉积环境进行HAP薄膜的制备 ,并通过红外光谱、Raman光谱、原子力显微镜对所获得的HAP薄膜进行表征。测量分析表明 :在该温度下 ,我们用脉冲激光法沉积出的HAP薄膜均匀性良好 ,表面无剥蚀和层断 ,薄膜呈非晶态和结晶态的混合物 ;水蒸汽的存在对HAP薄膜结晶程度有重要影响。 展开更多
关键词 羟磷灰石 脉冲激光沉积 薄膜制备
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金刚石薄膜热敏器件特性 被引量:2
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作者 顾长志 金曾孙 +2 位作者 王春蕾 吕宪义 邹广田 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1994年第2期76-78,共3页
本文采用热丝CVD方法和在以石英为衬底的金属钛梳状微电极上制备出的均匀致密、结晶完整的金刚石薄膜,制成了金刚石薄膜热敏器件.对其热敏特性的测试结果表明,该热敏元件具有检测温度范围宽、响应快、灵敏度高、性能稳定等优点.
关键词 金刚石薄膜 热敏元件 温度传感器
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液相脉冲放电法合成碳化硅纳米晶 被引量:2
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作者 杜凯 魏荣慧 +1 位作者 杨海滨 李立本 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第3期8-10,共3页
采用在有机物液体中脉冲放电的方法,以液态有机物二甲基硅油为原料制备了具有纳米尺寸的碳化硅颗粒。产物成分由X射线衍射和Raman光谱确定,碳化硅粉体为β型;尺寸由X射线衍射估算并由透射电镜观察,平均晶粒尺寸在20nm左右。
关键词 SIC 液相脉冲放电 纳米晶
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金属氟化物WF_6的多光子激发
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作者 丁大军 金明星 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期205-206,共2页
金属氟化物WF6在激光场中多光子电离/解离的实验结果进一步证实了过程是通过超激发分子的衰变而产生的,而巨共振可能在分子的超激发中起了重要作用。
关键词 巨共振 分子光电离/光解离 WF6
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高度有序TiO_2纳米管阵列的制备及其生长机制
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作者 付乌有 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期633-638,共6页
采用金属钛片和石墨分别作为阳极和阴极,氢氟酸和醋酸的混合溶液为电解液,通过阳极氧化法制备高度有序的TiO_2纳米管阵列.经过场发射扫描电子显微镜(FESEM),X—射线电子衍射仪分别对样品的形貌,结构进行了研究.结果表明,TiO_2纳米管的尺... 采用金属钛片和石墨分别作为阳极和阴极,氢氟酸和醋酸的混合溶液为电解液,通过阳极氧化法制备高度有序的TiO_2纳米管阵列.经过场发射扫描电子显微镜(FESEM),X—射线电子衍射仪分别对样品的形貌,结构进行了研究.结果表明,TiO_2纳米管的尺寸,形貌都随着外加电压、反应时间的变化而变化;随着退火温度的提高,TiO_2纳米管的结构逐渐由锐钛矿相向金红石相转变.另外,我们讨论了TiO_2纳米管阵列形成机制. 展开更多
关键词 阳极氧化 高度有序 TIO2纳米管 机制
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金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备
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作者 杨洁 张航 +2 位作者 王成新 刘洪武 李迅 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 2000年第2期65-67,共3页
利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料 ,采用恒浓度高温扩散方法制备 n型立方氮化硼半导体材料 .通过化学气相沉积方法在 n型立方氮化硼上外延生长 p型金刚石薄膜 .在此基础上 ,通过欧姆接触电极的制作 ,制备出金刚石薄膜 /立方氮化硼... 利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料 ,采用恒浓度高温扩散方法制备 n型立方氮化硼半导体材料 .通过化学气相沉积方法在 n型立方氮化硼上外延生长 p型金刚石薄膜 .在此基础上 ,通过欧姆接触电极的制作 ,制备出金刚石薄膜 /立方氮化硼异质 pn结 ,并给出 pn结的伏安特性曲线 . 展开更多
关键词 金刚石薄膜 立方氮化硼 伏安特性 异质结 制备
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