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驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作 被引量:4
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作者 刘金娥 廖燕平 +5 位作者 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期660-667,共8页
a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅... a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。 展开更多
关键词 OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:H TFT
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用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜 被引量:4
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作者 廖燕平 邵喜斌 +4 位作者 吴渊 骆文生 付国柱 荆海 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期128-132,共5页
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、R... 提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 金属诱导-准分子激光晶化 NiSi2
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一种改进的弹体药室容积音频检测仪 被引量:3
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作者 郑浩 刘思海 乔琚瑶 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期238-239,共2页
利用可编程逻辑器件技术和DDS合成技术,重点设计和改进了弹体药室容积检测装置的音频激励和信号处理两个部分。该系统与改进前的系统相比具有精度高、灵活性强、而成本又没有显著增加等优点,从在线检测方面来讲也更加适用于在线大批量... 利用可编程逻辑器件技术和DDS合成技术,重点设计和改进了弹体药室容积检测装置的音频激励和信号处理两个部分。该系统与改进前的系统相比具有精度高、灵活性强、而成本又没有显著增加等优点,从在线检测方面来讲也更加适用于在线大批量生产的检测工作,能简便快捷地实现弹体药室容积的精确检测。 展开更多
关键词 音频激励 CPLD 信号处理 共振频率 内耗
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a-Si∶H TFT亚阈值区SPICE模型的研究 被引量:2
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作者 邵喜斌 王丽娟 李梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期267-272,共6页
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区... 研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶HTFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。 展开更多
关键词 a—Si:H TFT SPICE模型 亚阈值区
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