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反应磁控溅射沉积SiO_x薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性研究
被引量：
1
1
作者
方应翠
朱仁胜
+4 位作者
夏锡全
汪洪波
王旭迪
朱武
陈长琦
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期461-464,共4页
用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气/氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx(x<2)薄膜。X射线光电子谱(XPS)分析证实,射频功率对x值起决定作用。当射频功率低时,所制备的薄膜是化学计量比的SiO2,通过调节氧气分压调节x值非常困难。只有当射...
用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气/氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx(x<2)薄膜。X射线光电子谱(XPS)分析证实,射频功率对x值起决定作用。当射频功率低时,所制备的薄膜是化学计量比的SiO2,通过调节氧气分压调节x值非常困难。只有当射频功率较高时,才可以通过调节氧分压调节x值。实验结果证实了射频反应磁控溅射不宜用于制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅(nc-Si/SiO2)的前驱体SiOx膜。文中讨论了相关机制。
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关键词
反应磁控溅射
X射线光电子谱
SIOX
薄膜纳米晶硅
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职称材料
题名
反应磁控溅射沉积SiO_x薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性研究
被引量：
1
1
作者
方应翠
朱仁胜
夏锡全
汪洪波
王旭迪
朱武
陈长琦
机构
合肥工业大学真空工程系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期461-464,共4页
基金
中国博士后基金资助(No.20060390696)
合肥工业大学博士基金资助(No.035036)
文摘
用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气/氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx(x<2)薄膜。X射线光电子谱(XPS)分析证实,射频功率对x值起决定作用。当射频功率低时,所制备的薄膜是化学计量比的SiO2,通过调节氧气分压调节x值非常困难。只有当射频功率较高时,才可以通过调节氧分压调节x值。实验结果证实了射频反应磁控溅射不宜用于制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅(nc-Si/SiO2)的前驱体SiOx膜。文中讨论了相关机制。
关键词
反应磁控溅射
X射线光电子谱
SIOX
薄膜纳米晶硅
Keywords
Reactive magnetron sputtering
X-ray photoelectron spectroscopy
SiOx thin film
Nanocrystal silicon
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反应磁控溅射沉积SiO_x薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性研究
方应翠
朱仁胜
夏锡全
汪洪波
王旭迪
朱武
陈长琦
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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