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发光液晶材料的合成及发光特性研究 被引量：8
1
作者 陆红波 张超 +2 位作者 吴少君 邱龙臻 杨家祥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1227-1232,共6页
具有聚集诱导发光增强效应的发光液晶材料,能有效地解决一般发光材料聚集时荧光猝灭和液晶自组装之间的矛盾,在液晶显示等领域有极大的应用价值。本文报道了一种自发光液晶材料(2Z,2'Z)-2,2'-(1,4-亚苯基)二(3-(4-己氧基)苯基)... 具有聚集诱导发光增强效应的发光液晶材料,能有效地解决一般发光材料聚集时荧光猝灭和液晶自组装之间的矛盾,在液晶显示等领域有极大的应用价值。本文报道了一种自发光液晶材料(2Z,2'Z)-2,2'-(1,4-亚苯基)二(3-(4-己氧基)苯基)丙烯腈(PHPA)。研究了PHPA的聚集态发光性质、溶剂化效应、热力学性质及发光各向异性。结果表明,PHPA同时具有聚集态诱导发光增强效应和液晶性,其有序取向的薄膜发出的光具有各向异性。该发光液晶材料应用于液晶显示将能简化器件结构、增加亮度、对比度和能效。 展开更多
关键词 聚集诱导发光增强 发光液晶 发光各向异性
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α-氰基取代二苯乙烯衍生物的合成与发光特性研究 被引量：6
2
作者 陆红波 吴少君 +2 位作者 张超 邱龙臻 杨家祥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期983-988,共6页
设计合成了一种α-氰基取代二苯乙烯衍生物(Z)-2-(4-氨基苯基)-3-(4-辛烷烷氧基苯基)丙烯腈(CN-APHP)。通过紫外吸收光谱、荧光发射光谱研究了CN-APHP的光物理性质。利用差示扫描量热分析和偏光显微镜研究了化合物的液晶性质。结果表明,... 设计合成了一种α-氰基取代二苯乙烯衍生物(Z)-2-(4-氨基苯基)-3-(4-辛烷烷氧基苯基)丙烯腈(CN-APHP)。通过紫外吸收光谱、荧光发射光谱研究了CN-APHP的光物理性质。利用差示扫描量热分析和偏光显微镜研究了化合物的液晶性质。结果表明,CN-APHP在59~85℃之间形成近晶相液晶,是一种具有聚集态诱导发光增强特性的液晶材料。有序取向的CN-APHP薄膜具有发光各向异性,其线偏振度约为0.3。 展开更多
关键词 α-氰基二苯乙烯 光学性质 液晶 各向异性
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基于CsPbBr_3量子点与C8-BTBT复合薄膜光学稳定性的研究 被引量：1
3
作者 张春雨 黄玲玲 +4 位作者 李博 胡鹏 陈幸福 王向华 胡俊涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期360-366,共7页
为了改善全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的稳定性,提出了一种基于量子点和小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的复合体系。由于CsPbBr_3量子点与小分子晶格在a,b轴方向尺寸相近,小分子材料在量子点表面产生取向外延,形成钝化层... 为了改善全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的稳定性,提出了一种基于量子点和小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的复合体系。由于CsPbBr_3量子点与小分子晶格在a,b轴方向尺寸相近,小分子材料在量子点表面产生取向外延,形成钝化层,有效抑制了光照、水汽环境下CsPbBr_3量子点表面的缺陷数量以及引起的非辐射跃迁过程。结果表明,在6天光照时间测试内,CsPbBr_3/C8-BTBT复合薄膜的荧光强度降率从99.32%降至37.42%,同时复合薄膜的荧光量子产率仍能保持初始值的44.60%;45min水汽测试时间内,复合薄膜的荧光强度降率从94.72%降至33.47%。该复合体系实现了CsPbBr_3量子点表面钝化层的生长,从而实现光照、水汽环境下的稳定性的提升。 展开更多
关键词 钙钛矿量子点 2 苯并噻吩并[3 2-b]苯并噻吩 稳定性 荧光强度 横向结晶
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有机半导体在非对称金-石墨烯电极上的取向生长 被引量：1
4
作者 王向华 吕申宸 +2 位作者 张春雨 黄玲玲 顾勋 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第4期288-293,共6页
为了实现在微尺度范围内有机半导体的取向生长,提出了一种基于不对称金-石墨烯电极的底接触有机薄膜晶体管器件结构。半导体前驱体溶液在不同衬底上表现出的不同接触角将打破液体/空气界面处的表面张力与表面能的总体平衡,形成马兰戈尼... 为了实现在微尺度范围内有机半导体的取向生长,提出了一种基于不对称金-石墨烯电极的底接触有机薄膜晶体管器件结构。半导体前驱体溶液在不同衬底上表现出的不同接触角将打破液体/空气界面处的表面张力与表面能的总体平衡,形成马兰戈尼流并促使溶液在低润湿性的石墨烯电极表面的接触线快速后退。实验结果表明,基于这种不对称电极制备的底接触有机薄膜晶体管(OTFT)阵列的平均迁移率显著提升,达到常规对称结构器件的2倍,同时器件迁移率的相对标准差从53%下降到33%。该不对称器件结构实现了半导体薄膜在器件沟道处的取向生长,从而提高了器件迁移率与均匀性。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 表面能 非对称沟道 喷墨打印 取向结晶
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荧光液晶分子α-氰基二苯乙烯衍生物的合成与光学性质 被引量：1
5
作者 丁爱祥 张贵玉 +1 位作者 陆红波 杨家祥 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1261-1267,共7页
合成了液晶化合物α-氰基二苯乙烯衍生物(Z)-2-(4-十二烷基氨基苯基)-3-(4-十二烷氧基苯基)丙烯腈(T3),化合物T3与其同系物(Z)-2-(4-氨基苯基)-3-(4-十二烷氧基苯基)丙烯腈(T2)的浓溶液和固体态在蓝绿光波段均有强的荧光发射。热重分析... 合成了液晶化合物α-氰基二苯乙烯衍生物(Z)-2-(4-十二烷基氨基苯基)-3-(4-十二烷氧基苯基)丙烯腈(T3),化合物T3与其同系物(Z)-2-(4-氨基苯基)-3-(4-十二烷氧基苯基)丙烯腈(T2)的浓溶液和固体态在蓝绿光波段均有强的荧光发射。热重分析数据表明,两个化合物均有好的热稳定性。利用差式扫描量热分析和偏光显微镜研究了化合物T3的液晶性质,同时借助粉末XRD分析化合物T3的分子间排列方式,表明化合物T3形成近晶相液晶。 展开更多
关键词 α-氰基二苯乙烯 光学性质 热稳定性 液晶 近晶相
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C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究
6
作者 黄玲玲 陈幸福 +3 位作者 胡鹏 李博 王向华 胡俊涛 《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第1期28-34,共7页
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺... 以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多
关键词 2 苯并噻吩并[3 2‐b]苯并噻吩 结晶形貌 结晶度 迁移率 有机薄膜晶体管
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