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用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究
被引量：
4
1
作者
丁士进
王鹏飞
+2 位作者
张卫
王季陶
李伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期26-30,共5页
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。
关键词
氟化非晶碳膜
ULSI
集成电路
化学汽相淀积
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职称材料
题名
用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究
被引量：
4
1
作者
丁士进
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
机构
复旦大学电子工程系CVD室
台湾
半
导体
制造
公司
(
tsmc
)
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期26-30,共5页
基金
国家自然科学基金!(69776026)
高等学校骨干教师资助计划资助
文摘
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。
关键词
氟化非晶碳膜
ULSI
集成电路
化学汽相淀积
Keywords
a-C:F films
low dielectric constant
chemical vapor deposition
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究
丁士进
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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