期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
NaYF4∶Yb,Er@SiO2与Au纳米粒子荧光共振能量传递系统的构建与研究
被引量：
6
1
作者
涂浪平
孔祥贵
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期149-153,共5页
采用SiO2对NaYF4∶Yb,Er油相上转换纳米晶进行包覆以实现其水溶性,通过在SiO2壳表面吸附Au纳米粒子,进一步构建了NaYF4∶Yb,Er@SiO2与Au纳米粒子能量传递的体系,该体系可实现对NaYF4∶Yb,Er上转换纳米粒子红绿光比的连续可调。该研究结...
采用SiO2对NaYF4∶Yb,Er油相上转换纳米晶进行包覆以实现其水溶性,通过在SiO2壳表面吸附Au纳米粒子,进一步构建了NaYF4∶Yb,Er@SiO2与Au纳米粒子能量传递的体系,该体系可实现对NaYF4∶Yb,Er上转换纳米粒子红绿光比的连续可调。该研究结果有助于实现上转换发光纳米材料在生物成像、检测和传感等方面的应用。
展开更多
关键词
NaYF4上转换纳米粒子
金纳米粒子
共振能量传递
在线阅读
下载PDF
职称材料
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
2
作者
王新建
宋航
+5 位作者
黎大兵
蒋红
李志明
缪国庆
陈一仁
孙晓娟
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1089-1094,共6页
通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有...
通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有利于(002)择优取向的AlN薄膜沉积。随着沉积时间的增加,沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽急剧减小,而沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽几乎不变。SEM测试结果表明:在沉积的初期,沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的晶粒大小分布比沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的均匀,而随着沉积时间的增加,它们的晶粒大小分布几乎趋向一致。
展开更多
关键词
ALN
GAN缓冲层
晶体结构
晶粒尺寸
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
NaYF4∶Yb,Er@SiO2与Au纳米粒子荧光共振能量传递系统的构建与研究
被引量：
6
1
作者
涂浪平
孔祥贵
机构
发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所.吉林长春
中国科学院
大学
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期149-153,共5页
基金
国家自然科学基金(10904142,60971026,11074249,11004188)资助项目
文摘
采用SiO2对NaYF4∶Yb,Er油相上转换纳米晶进行包覆以实现其水溶性,通过在SiO2壳表面吸附Au纳米粒子,进一步构建了NaYF4∶Yb,Er@SiO2与Au纳米粒子能量传递的体系,该体系可实现对NaYF4∶Yb,Er上转换纳米粒子红绿光比的连续可调。该研究结果有助于实现上转换发光纳米材料在生物成像、检测和传感等方面的应用。
关键词
NaYF4上转换纳米粒子
金纳米粒子
共振能量传递
Keywords
NaYF4 upconversion nanoparticle
Au nanoparticle
resonance energy transfer
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
2
作者
王新建
宋航
黎大兵
蒋红
李志明
缪国庆
陈一仁
孙晓娟
机构
发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所.吉林长春
中国科学院
大学.北京
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1089-1094,共6页
基金
国家自然科学基金(51072196,51072195)资助项目
文摘
通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有利于(002)择优取向的AlN薄膜沉积。随着沉积时间的增加,沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽急剧减小,而沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽几乎不变。SEM测试结果表明:在沉积的初期,沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的晶粒大小分布比沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的均匀,而随着沉积时间的增加,它们的晶粒大小分布几乎趋向一致。
关键词
ALN
GAN缓冲层
晶体结构
晶粒尺寸
Keywords
AlN
GaN buffer layer
crystal structure
grain size
分类号
O76 [理学—晶体学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NaYF4∶Yb,Er@SiO2与Au纳米粒子荧光共振能量传递系统的构建与研究
涂浪平
孔祥贵
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
王新建
宋航
黎大兵
蒋红
李志明
缪国庆
陈一仁
孙晓娟
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
