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基于量子阱结构的高效磷光有机电致发光器件被引量：2: 1; 作者赵波苏子生 +3 位作者晋芳铭闫兴武初蓓李文连《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期803-807,共5页; 采用多重量子阱结构制作了高效红色磷光有机电致发光器件。以4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl(CBP)掺杂bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(Ⅲ)(Ir(piq)2(acac))为发光层,4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,10-b... 展开更多; 关键词量子阱磷光 Ir(piq)2(acac) 有机电致发光器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

多层AlGaAs的时间分辨归一化反射率及各向异性反射率谱在线监测及分析被引量：1: 2; 作者张建伟宁永强 +5 位作者张星张建徐华伟张金龙曾玉刚王立军《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期509-513,共5页; 通过光学在线监测技术对多层AlxGa1-xAs样品生长过程中的生长速率与表面结构进行了分析。描述了选取合适探测光子能量的方法并在线监测了样品生长过程中表面归一化反射率(Normalized Reflectance,NR)和各向异性反射率(Reflectance Aniso... 展开更多; 关键词归一化反射率各向异性反射率在线监测技术 MOCVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测: 3; 作者王鹏程徐华伟 +1 位作者张金龙宁永强《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期985-990,共6页; 利用反射各向异性谱(RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺。实验表明,反射谱中... 展开更多; 关键词 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物外延生长金属有机化合物汽相淀积反射各向异性谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响: 4; 作者贾辉陈一仁 +5 位作者孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期879-882,共4页; 采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可... 展开更多; 关键词 SiO2纳米颗粒 a-AlGaN MSM紫外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于量子阱结构的高效磷光有机电致发光器件被引量：2: 1; 作者赵波苏子生晋芳铭闫兴武初蓓李文连; 机构发光学及应用国家重点实验室、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院.北京; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期803-807,共5页; 基金吉林省科技发展计划(20110321)资助项目; 文摘采用多重量子阱结构制作了高效红色磷光有机电致发光器件。以4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl(CBP)掺杂bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(Ⅲ)(Ir(piq)2(acac))为发光层,4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl(Bphen)为电荷控制层,形成了Ⅱ型双量子阱结构,器件的最大亮度为15 000 cd/m2,最大电流效率为7.4 cd/A,相对于参考器件提高了21%。研究结果表明:以Bphen为电荷控制层形成的Ⅱ型多重量子阱结构能有效地将载流子和激子限制在势阱中,并且使空穴和电子的注入更加平衡,从而提高了载流子复合的几率和器件的效率。; 关键词量子阱磷光 Ir(piq)2(acac) 有机电致发光器件; Keywords quantum well phosphorescent Ir（piq） 2 （acac） organic light-emitting devices; 分类号 TN383.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层AlGaAs的时间分辨归一化反射率及各向异性反射率谱在线监测及分析被引量：1: 2; 作者张建伟宁永强张星张建徐华伟张金龙曾玉刚王立军; 机构发光学及应用国家重点实验室、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期509-513,共5页; 基金国家自然科学基金(60876036,10974012,11074247,60876036,61106047),国家自然科学基金重点(90923037)资助项目; 文摘通过光学在线监测技术对多层AlxGa1-xAs样品生长过程中的生长速率与表面结构进行了分析。描述了选取合适探测光子能量的方法并在线监测了样品生长过程中表面归一化反射率(Normalized Reflectance,NR)和各向异性反射率(Reflectance Anisotropy,RA)随生长时间的变化,得到了样品的时间分辨NR及RA曲线,利用光学干涉原理解释了NR曲线的振荡衰减特性。不同AlxGa1-xAs层NR曲线收敛值随Al组分的单调变化被认为是材料的折射率变化引起的,而RA值随Al组分的增加而增加说明Al原子的并入对表面光学各向异性有影响。通过拟合每一层材料的归一化反射谱振荡曲线得到了各层生长速率,与扫描电镜测试结果差别小于0.02 nm/s。对时间分辨RA曲线分析发现,生长温度对GaAs表面原子结构产生了影响。; 关键词归一化反射率各向异性反射率在线监测技术 MOCVD; Keywords normalized reflectance reflectance anisotropy spectroscopy in-situ monitoring MOCVD; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测: 3; 作者王鹏程徐华伟张金龙宁永强; 机构发光学及应用国家重点实验室、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期985-990,共6页; 基金国家自然科学基金(10974012 11074247 +6 种基金 61106047 61176045 61106068 51172225 61006054) 长春市科技计划(2009145)资助项目; 文摘利用反射各向异性谱(RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺。实验表明,反射谱中的振荡周期可以在线计算组份和生长速率,利用反射谱中的振荡的第一个最小值与Al组份的线性关系,可以确定渐变组份初始值。通过在线计算得到的生长速率和组份与扫描电镜(SEM)和高分辨X射线衍射(HRXRD)测试得到的结果基本吻合。; 关键词 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物外延生长金属有机化合物汽相淀积反射各向异性谱; Keywords Ⅲ-Ⅴ semiconductor compounds； epitaxial growth； metal-organic chemical vapor deposition； reflectance anisotropy spectroscopy; 分类号 O76 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响: 4; 作者贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明; 机构发光学及应用国家重点实验室、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期879-882,共4页; 基金国家基础研究发展计划(2011CB301901) 国家自然科学基金(51072196 +1 种基金 51072195) 863计划(2011AA03A111)资助项目; 文摘采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于103。; 关键词 SiO2纳米颗粒 a-AlGaN MSM紫外探测器; Keywords SiO2 nanoparticles a-plane A1GaN MSM uhraviolet photodetectors; 分类号 O472.8 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于量子阱结构的高效磷光有机电致发光器件	赵波苏子生晋芳铭闫兴武初蓓李文连	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多层AlGaAs的时间分辨归一化反射率及各向异性反射率谱在线监测及分析	张建伟宁永强张星张建徐华伟张金龙曾玉刚王立军	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测	王鹏程徐华伟张金龙宁永强	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响	贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料