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光伏法研究掺金硅特性
被引量：
1
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作者
朱文章
沈顗华
刘士毅
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期44-48,共5页
本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０^（１２）～６．６２×１０^（１５）ｃｍ^（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及...
本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０^（１２）～６．６２×１０^（１５）ｃｍ^（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。
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关键词
掺金硅
少子寿命
光伏
深能级
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职称材料
题名
光伏法研究掺金硅特性
被引量：
1
1
作者
朱文章
沈顗华
刘士毅
机构
厦门集美航海学院物理室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期44-48,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０^（１２）～６．６２×１０^（１５）ｃｍ^（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。
关键词
掺金硅
少子寿命
光伏
深能级
Keywords
Au-doped silicon,Minority carrier lifetime,Photovoltage.Deep level
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
光伏法研究掺金硅特性
朱文章
沈顗华
刘士毅
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
1
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