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硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量被引量：1: 1; 作者许怡红王尘 +1 位作者陈松岩李成《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期297-301,共5页; 研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子... 展开更多; 关键词硅缓冲层锗(Ge) 选区外延生长超高真空化学气相沉积退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺Nd^(3+)混晶全固态激光器研究进展被引量：1: 2; 作者崔琴林洪沂黄晓桦《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期483-494,共12页; 基于钕离子掺杂(Nd^(3+))的石榴石激光增益介质,为固体激光器的发展带来了新的研究方向。本文结合相关工作,详细全面地叙述了近年来掺钕混晶全固态激光器在单波长激光输出、多波长激光输出和脉冲激光输出方面的研究现状。以Nd∶LuYAG、N... 展开更多; 关键词 Nd∶LuYAG Nd∶GdYAG Nd∶GdLuAG 混晶全固态激光器被动调Q; 在线阅读下载PDF 职称材料

媒质所受磁场力和磁力矩的分析被引量：1: 3; 作者骆超艺《大学物理》 2020年第12期28-31,共4页; 指出现有方法计算磁力存在的问题.推导了作用于媒质的磁场力和磁力矩计算公式,可用于分析媒质在磁场作用下的形变和运动趋势,并给出应用实例.本文进一步完善麦克斯韦应力公式,在一定程度上弥补虚位移法的不足,同时为法拉第观点和等效磁... 展开更多; 关键词磁场力磁力矩磁介质; 在线阅读下载PDF 职称材料

Au纳米颗粒结构参数优化制备高性能纳米晶存储器: 4; 作者许怡红陈松岩李成《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期448-454,共7页; 高性能纳米晶存储器是下一代非易失性存储器的潜在候选者,而纳米颗粒结构参数严重影响纳米晶存储器的性能。结合射频磁控溅射和快速热退火技术制备了四组不同平均尺寸和数密度的Au纳米颗粒,颗粒平均尺寸为4.6~17.3 nm,数密度为1.4×... 展开更多; 关键词金纳米颗粒结构参数存储窗口高性能纳米晶存储器存储层; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高单层GeSe对H_(2)O气体传感性能的第一性原理研究: 5; 作者庄芹芹杨伟煌《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第4期73-78,共6页; 采用第一性原理计算方法,通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H_(2)O分子传感性能的有效方法,并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明,-1.0 V/的外加电场能有效降低H_(2)O分子在单层GeSe的吸附... 展开更多; 关键词单层GeSe 第一性原理计算气体传感应变外加电场掺Ag; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量被引量：1: 1; 作者许怡红王尘陈松岩李成; 机构厦门工学院电子与电气工程学院厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室厦门大学物理系半导体光子学研究中心; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期297-301,共5页; 基金福建省自然科学基金资助项目(2018J05115) 厦门理工学院高层次人才资助项目(YKJ16012R); 文摘研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌。测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9×10~5/cm^2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低。通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成。; 关键词硅缓冲层锗(Ge) 选区外延生长超高真空化学气相沉积退火; Keywords Si buffer layer germanium(Ge) selective area epitaxial growth ultra-high vacuum chemical vapor deposition annealing; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺Nd^(3+)混晶全固态激光器研究进展被引量：1: 2; 作者崔琴林洪沂黄晓桦; 机构厦门理工学院光电与通信工程学院; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期483-494,共12页; 基金国家自然科学基金项目(No.11904304) 福建省自然科学基金项目(No.2021J011217) 福建省中青年教师教育科研项目(科技类)(No.JAT200459)资助。; 文摘基于钕离子掺杂(Nd^(3+))的石榴石激光增益介质,为固体激光器的发展带来了新的研究方向。本文结合相关工作,详细全面地叙述了近年来掺钕混晶全固态激光器在单波长激光输出、多波长激光输出和脉冲激光输出方面的研究现状。以Nd∶LuYAG、Nd∶GdYAG和Nd∶GdLuAG为主要研究对象,分析总结了这三种混晶的研究价值,展望了Nd^(3+)掺杂石榴石混合晶体的发展前景。; 关键词 Nd∶LuYAG Nd∶GdYAG Nd∶GdLuAG 混晶全固态激光器被动调Q; Keywords Nd∶LuYAG Nd∶GdYAG Nd∶GdLuAG mixed crystal all-solid-state laser passively Q-switch; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名媒质所受磁场力和磁力矩的分析被引量：1: 3; 作者骆超艺; 机构厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室; 出处《大学物理》 2020年第12期28-31,共4页; 基金福建省中青年教师教育科研项目(JAT190678)资助。; 文摘指出现有方法计算磁力存在的问题.推导了作用于媒质的磁场力和磁力矩计算公式,可用于分析媒质在磁场作用下的形变和运动趋势,并给出应用实例.本文进一步完善麦克斯韦应力公式,在一定程度上弥补虚位移法的不足,同时为法拉第观点和等效磁荷法提供理论印证.; 关键词磁场力磁力矩磁介质; Keywords magnetic force magnetic moment magnetic medium; 分类号 O4-1 [理学—物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Au纳米颗粒结构参数优化制备高性能纳米晶存储器: 4; 作者许怡红陈松岩李成; 机构厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室厦门大学物理科学与技术学院半导体光子学研究中心; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期448-454,共7页; 基金福建省教育厅科技项目(JAT200484) 国家自然科学基金资助项目(61474081,61534005)。; 文摘高性能纳米晶存储器是下一代非易失性存储器的潜在候选者,而纳米颗粒结构参数严重影响纳米晶存储器的性能。结合射频磁控溅射和快速热退火技术制备了四组不同平均尺寸和数密度的Au纳米颗粒,颗粒平均尺寸为4.6~17.3 nm,数密度为1.4×10^(11)~1×10^(12)cm^(-2)。而后在此基础上以Au纳米颗粒作为器件的存储层,制备了四组Al/TaN/HfO_(2)/Au-纳米晶(NC)/SiO_(2)/Si结构的纳米晶存储器,研究并分析了不同结构参数Au纳米颗粒对器件存储性能的影响。结果表明,当Au纳米颗粒平均尺寸约为8 nm、数密度约为6.3×10^(11)cm^(-2)时,纳米晶存储器在±12 V的扫描电压范围内获得了高达11.8 V的存储窗口,存储容量最大,且预计器件在10年后的电荷损失率约为24%,具有较好的电荷保持特性。; 关键词金纳米颗粒结构参数存储窗口高性能纳米晶存储器存储层; Keywords Au nanoparticle structure parameter memory window high performance nanocrystal memory storage layer; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提高单层GeSe对H_(2)O气体传感性能的第一性原理研究: 5; 作者庄芹芹杨伟煌; 机构厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室杭州电子科技大学电子信息学院智能微传感器与微系统教育部工程研究中心; 出处《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第4期73-78,共6页; 基金国家自然科学基金(61874091) 浙江省自然科学基金(LGG19F040003) 福建省中青年教师教育科研项目(JAT190671)。; 文摘采用第一性原理计算方法,通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H_(2)O分子传感性能的有效方法,并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明,-1.0 V/的外加电场能有效降低H_(2)O分子在单层GeSe的吸附能并使二者之间的电荷转移量增加11倍,显著提高了单层GeSe对H_(2)O分子的响应速度和敏感性.研究结果为进一步设计并制成二维GeSe基湿度传感器提供了理论依据.; 关键词单层GeSe 第一性原理计算气体传感应变外加电场掺Ag; Keywords Monolayer GeSe First-principles calculations Gas sensing Strain External electric field Ag-doping; 分类号 O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量	许怡红王尘陈松岩李成	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	掺Nd^(3+)混晶全固态激光器研究进展	崔琴林洪沂黄晓桦	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	媒质所受磁场力和磁力矩的分析	骆超艺	《大学物理》	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Au纳米颗粒结构参数优化制备高性能纳米晶存储器	许怡红陈松岩李成	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	提高单层GeSe对H_(2)O气体传感性能的第一性原理研究	庄芹芹杨伟煌	《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料