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非易失性静态随机存储器研究进展
1
作者
冯平
尹家宇
+4 位作者
宋长坤
余仕湖
李伯阳
陈铖颖
左石凯
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期1-8,18,共9页
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在...
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。
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关键词
非易失性
静态随机存储器(SRAM)
恢复率
漏电流
功耗
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职称材料
题名
非易失性静态随机存储器研究进展
1
作者
冯平
尹家宇
宋长坤
余仕湖
李伯阳
陈铖颖
左石凯
机构
厦门
理工学院光电与通信工程学院
厦门新声科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期1-8,18,共9页
基金
国家自然科学基金资助项目(61704143)
福建省自然科学基金面上项目(2020J01295)
厦门市2020年青年创新基金资助项目(3502Z20206074)。
文摘
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。
关键词
非易失性
静态随机存储器(SRAM)
恢复率
漏电流
功耗
Keywords
non-volatile
static random access memory(SRAM)
restore yield
leakage current
power consumption
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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1
非易失性静态随机存储器研究进展
冯平
尹家宇
宋长坤
余仕湖
李伯阳
陈铖颖
左石凯
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
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