针对液晶显示器(LCD)面板的“Chip/FPC on Glass”(C/FOG)工艺生产制造过程中存在的计量延迟大、生产异常无法提前预测的问题,本文提出一种基于神经网络的C/FOG工艺生产制造虚拟计量方法。该方法利用生产机台上的传感器采集生产过程中...针对液晶显示器(LCD)面板的“Chip/FPC on Glass”(C/FOG)工艺生产制造过程中存在的计量延迟大、生产异常无法提前预测的问题,本文提出一种基于神经网络的C/FOG工艺生产制造虚拟计量方法。该方法利用生产机台上的传感器采集生产过程中的过程状态数据,构建基于多尺度一维卷积及通道注意力模型(MS1DC-CA)的虚拟计量模型。通过多个尺度的卷积核提取不同尺度范围内的状态数据特征。在对含有缺失值的原始数据预处理中,提出了基于粒子群算法改进的K近邻填补方法(PSO-KNN Imputation)进行缺失值填充,保留特征的同时,减少因填充值引入的干扰。最后在实际生产采集的数据上进行实验对比分析,实际不良率主要集中在0.1%~0.5%,该虚拟计量模型的拟合均方误差为0.397 7‱,低于其他现有拟合模型,在平均绝对误差、对称平均绝对百分比误差和拟合优度3种评价指标下也均优于其他现有的拟合模型,具有良好的预测性能。展开更多
针对铰接农用车在变附着系数路面条件下的路径跟踪精度难以保证的问题,提出了引入侧滑补偿的非线性模型预测控制(Nonlinear Model Predictive Control,NMPC)算法。首先,构建了考虑侧滑补偿的铰接农用车二自由度运动学模型,并基于该模型...针对铰接农用车在变附着系数路面条件下的路径跟踪精度难以保证的问题,提出了引入侧滑补偿的非线性模型预测控制(Nonlinear Model Predictive Control,NMPC)算法。首先,构建了考虑侧滑补偿的铰接农用车二自由度运动学模型,并基于该模型在Simulink中构建了NMPC控制器,最后以Adams环境中的虚拟铰接农用车为被控对象,以农业典型的地头转弯路径为参考路径,开展了变附着系数路面条件下的试验验证。结果表明,该算法的跟踪误差最大约为0.03 m,能够实现铰接农用车在变附着系数路面下的高精度路径跟踪。展开更多
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应...采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。展开更多
文摘针对液晶显示器(LCD)面板的“Chip/FPC on Glass”(C/FOG)工艺生产制造过程中存在的计量延迟大、生产异常无法提前预测的问题,本文提出一种基于神经网络的C/FOG工艺生产制造虚拟计量方法。该方法利用生产机台上的传感器采集生产过程中的过程状态数据,构建基于多尺度一维卷积及通道注意力模型(MS1DC-CA)的虚拟计量模型。通过多个尺度的卷积核提取不同尺度范围内的状态数据特征。在对含有缺失值的原始数据预处理中,提出了基于粒子群算法改进的K近邻填补方法(PSO-KNN Imputation)进行缺失值填充,保留特征的同时,减少因填充值引入的干扰。最后在实际生产采集的数据上进行实验对比分析,实际不良率主要集中在0.1%~0.5%,该虚拟计量模型的拟合均方误差为0.397 7‱,低于其他现有拟合模型,在平均绝对误差、对称平均绝对百分比误差和拟合优度3种评价指标下也均优于其他现有的拟合模型,具有良好的预测性能。
文摘针对铰接农用车在变附着系数路面条件下的路径跟踪精度难以保证的问题,提出了引入侧滑补偿的非线性模型预测控制(Nonlinear Model Predictive Control,NMPC)算法。首先,构建了考虑侧滑补偿的铰接农用车二自由度运动学模型,并基于该模型在Simulink中构建了NMPC控制器,最后以Adams环境中的虚拟铰接农用车为被控对象,以农业典型的地头转弯路径为参考路径,开展了变附着系数路面条件下的试验验证。结果表明,该算法的跟踪误差最大约为0.03 m,能够实现铰接农用车在变附着系数路面下的高精度路径跟踪。
文摘采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。
