本文研究了氮化物半导体三维岛形结构的透射电镜制样技术,减小了样品在制样过程中的结构损伤,并对In Ga N/Ga N量子阱进行了结构、成分和发光特性的表征。通过对三维Ga N小岛非极性小面微观结构的分析,确定了侧壁小面皆为半极性面,说明...本文研究了氮化物半导体三维岛形结构的透射电镜制样技术,减小了样品在制样过程中的结构损伤,并对In Ga N/Ga N量子阱进行了结构、成分和发光特性的表征。通过对三维Ga N小岛非极性小面微观结构的分析,确定了侧壁小面皆为半极性面,说明小面生长的In Ga N/Ga N量子阱受到较小的极化效应影响。该岛形量子阱的结构特征,有效地增强了量子阱的发光效率,同时由于不同小面的存在,实现了同一小岛的多波长白光发射。展开更多
文摘本文研究了氮化物半导体三维岛形结构的透射电镜制样技术,减小了样品在制样过程中的结构损伤,并对In Ga N/Ga N量子阱进行了结构、成分和发光特性的表征。通过对三维Ga N小岛非极性小面微观结构的分析,确定了侧壁小面皆为半极性面,说明小面生长的In Ga N/Ga N量子阱受到较小的极化效应影响。该岛形量子阱的结构特征,有效地增强了量子阱的发光效率,同时由于不同小面的存在,实现了同一小岛的多波长白光发射。
