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Ga_(2)O_(3)/NiO_(x)肖特基势垒二极管器件的性能优化研究
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作者 王凯凯 杜嵩 +1 位作者 徐豪 龙浩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期337-347,共11页
由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通... 由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通过Sentaurus TCAD对JTE和HJBS结构中的NiO_(x)影响进行了研究,并提出了一种结合NiO_(x)/Ga_(2)O_(3)HJBS和NiO_(x) JTE的新型Ga_(2)O_(3)肖特基二极管。在JTE结构中,击穿电压(BV)与NiO_(x)掺杂浓度呈正相关,与NiO_(x)倾斜角度呈负相关。在HJBS结构中,BV随NiO_(x)场环(FR)的宽度和深度增加而提高,但随着FR与阳极边缘之间的间距增加而降低。新型复合器件的参数确定为10°倾斜角和3×10^(19) cm^(-3)掺杂浓度的NiO_(x) JTE,以及5μm宽、1.5μm深和1μm间距的NiO_(x) HJBS环。实现了4.52 kV的BV、5.68 mΩ·cm 2的比导通电阻(R_(on,sp))和3.57 GW/cm 2的功率优值(PFOM),相比其他实验报道的数据,BV提升了113%,PFOM提升了132%。本研究为利用NiO_(x) JTE和HJBS结构的垂直Ga_(2)O_(3)SBD设计提供了一种有效提升BV和PFOM性能的方法。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) NiO_(x) SBD 击穿电压 PFOM JTE HJBS
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基于轨道角动量复用的声波通信特性及环形相控阵设计 被引量:1
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作者 聂斌 袁飞 +1 位作者 陶少华 张榕鑫 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期1281-1290,共10页
为提高水下声波轨道角动量的通信性能,建立环形相控阵发射和圆面接收的通信模型,研究声波轨道角动量复用通信时的源头串扰特性;提出一种新的驱动方式以提高发射效率,并分析接收偏角对通信质量的影响。研究结果表明:当使用由N个不同发射... 为提高水下声波轨道角动量的通信性能,建立环形相控阵发射和圆面接收的通信模型,研究声波轨道角动量复用通信时的源头串扰特性;提出一种新的驱动方式以提高发射效率,并分析接收偏角对通信质量的影响。研究结果表明:当使用由N个不同发射源组成的环形相控阵产生l阶轨道角动量时,将同时产生c阶的轨道角动量串扰声束(其中c=l+bN,b为非零整数)。声源数N与声涡旋阶数l满足||l≤N/2,因此,在基于该环形相控阵的轨道角动量复用通信中,任意轨道角动量信道的串扰分量均在有用信道之外。使用N×M型环形相控阵(其中N为弧形声源组数,M为每组声源内的换能器数量)发射时,增大N和M均可提高发射效率,而当相控阵中换能器数量固定时,根据实际的需要合理选取N和M,有利于提高发射效率并降低阵列控制的复杂度,体现了控制设计的灵活性;随着接收偏角增大,通信性能整体下降。 展开更多
关键词 声涡旋 轨道角动量 环形相控阵 模式分解 串扰 接收偏角
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截止斜率可控的蓝光防护光学薄膜 被引量:7
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作者 王雨思 周贤建 +5 位作者 李青原 叶钊松 蔡源海 刘近秋 陈楠 卜轶坤 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期544-551,共8页
为了减少短波蓝光对人眼的伤害,同时确保蓝光对人体节律的有益调节,精确控制400~500 nm的透射斜率在蓝光防护中尤为重要。本文提出非线性玻尔兹曼函数拟合长波通薄膜的方法,分别通过非线性及线性光谱目标值优化得到膜系结构(Z1)和(Z2)... 为了减少短波蓝光对人眼的伤害,同时确保蓝光对人体节律的有益调节,精确控制400~500 nm的透射斜率在蓝光防护中尤为重要。本文提出非线性玻尔兹曼函数拟合长波通薄膜的方法,分别通过非线性及线性光谱目标值优化得到膜系结构(Z1)和(Z2)。通过对比(Z1)和(Z2)薄膜的光谱和导纳图,分析可知经非线性目标值优化后的薄膜具有可控的斜率和更好的通带光谱性能。采用电子束蒸发离子束辅助沉积方法制备了14层蓝光防护薄膜,其光谱性能满足新国标GB/T38120—2019的技术要求。结果表明,所制备的单面光学多层薄膜在紫外385~415 nm的平均透过率小于3.2%,高能蓝光415~445 nm的平均透过率小于30.88%,有益蓝光445~475 nm的透过率大于81.9%,在剩余可见光波段的透过率大于95.5%。该方法为蓝光防护提供了一个新的解决方案,对于视觉防护、移动终端、眼镜、电脑桌面、移动数字屏幕等有潜在应用价值。 展开更多
关键词 防护薄膜 电子束蒸发 蓝光防护
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氮化物垂直腔面发射激光器的发展与挑战(特邀) 被引量:3
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作者 王玉坤 郑重明 +2 位作者 龙浩 梅洋 张保平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期29-52,共24页
垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点。氮化镓(GaN)材料是制造紫外到绿光波段光电子器件的理想材料,经过四十余年的研究,蓝光和绿光LED在照明、显示... 垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点。氮化镓(GaN)材料是制造紫外到绿光波段光电子器件的理想材料,经过四十余年的研究,蓝光和绿光LED在照明、显示等领域得到广泛应用。技术含量更高的激光器件也已进入了应用的快车道,即将覆盖照明、通信、投影显示、光存储、医疗、微型原子钟及传感器等场景。铝镓氮(AlGaN)是GaN基半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可在3.4 eV(GaN)到6.2 eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可覆盖200~365 nm波段,是制造从近紫外波段到深紫外波段紫外垂直腔面发射激光器的理想材料。而铝镓氮(AlGaN)垂直腔面发射激光器经过近20年来的发展,如今已成为半导体激光器的研究热点之一。首先回顾了GaN基垂直腔面发射激光器的发展历史,简要介绍了其在各个波段的主要应用场景;然后介绍蓝光、绿光及紫外垂直腔面发射激光器的研究进展;最后分析了光注入和电注入紫外垂直腔面发射激光器发展过程中的挑战和困难,并介绍了改进和优化的策略。 展开更多
关键词 半导体器件与技术 垂直腔面发射激光器 氮化物 紫外 光电子器件 激光器 ALGAN
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无人工结构辅助的表面等离激元涡旋场激发研究
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作者 郑佳新 陈佳 +2 位作者 陶少华 张榕鑫 王大鹏 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期2955-2963,共9页
光学涡旋是一种携带轨道角动量(OAM)的特殊光场,它可以对微观粒子实现精确地无接触操控,但光学涡旋的生成一般需要复杂的光路系统或昂贵的微纳结构加工辅助实现。针对这一问题,提出一种无结构产生表面等离激元涡旋的方法,基于光的自旋... 光学涡旋是一种携带轨道角动量(OAM)的特殊光场,它可以对微观粒子实现精确地无接触操控,但光学涡旋的生成一般需要复杂的光路系统或昂贵的微纳结构加工辅助实现。针对这一问题,提出一种无结构产生表面等离激元涡旋的方法,基于光的自旋轨道耦合理论与表面等离激元激发原理,利用时域有限差分法(finite difference time domain,FDTD)仿真所产生的表面等离激元涡旋场,研究金膜厚度、透镜的数值孔径(NA)以及入射圆偏振光的手性对光学涡旋场的影响。研究结果表明:当入射光波长为633 nm时,能有效激发表面等离激元的金膜厚度为50 nm左右,入射光经过高数值孔径的聚焦后照射在金膜上能够形成一阶的表面等离激元涡旋场,且该涡旋场的振幅和相位分布与入射圆偏振光的偏振特性有关,同时,数值孔径是形成一阶表面等离激元涡旋场的重要因素。本文所提出的光学涡旋场产生办法具有不依赖波长的优点,可满足宽谱器件的应用需求。 展开更多
关键词 轨道角动量 表面等离激元涡旋 数值孔径
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