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基于LabVIEW的电滞回线测试系统的开发 被引量:22
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作者 王永晔 张颖 +1 位作者 程璇 陈辉宏 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期501-504,共4页
测量铁电材料的电滞回线是确定铁电参数、检验材料性能好坏的一个重要手段,目前采用的主要测量手段是示波器法。但是,这种传统的方法无法在测量的过程中对误差进行修正、对数据进行处理和分析。为了克服这种不足,研究和开发了一种基于美... 测量铁电材料的电滞回线是确定铁电参数、检验材料性能好坏的一个重要手段,目前采用的主要测量手段是示波器法。但是,这种传统的方法无法在测量的过程中对误差进行修正、对数据进行处理和分析。为了克服这种不足,研究和开发了一种基于美国N I公司最新推出的L abV IEW 7.1Express虚拟仪器开发平台的电滞回线测试系统,通过介绍该系统的数据接口、数据处理、数据库链接以及多种语言联合作业的方法,提出了一种新的电滞回线测量方案,并获得了初步的实验结果。 展开更多
关键词 LABVIEW 电滞回线 数据采集 虚拟仪器
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鱿鱼顶骨β-甲壳素的化学反应活性及其与α-甲壳素的比较 被引量:3
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作者 董炎明 阮永红 +3 位作者 吴玉松 王勉 丘蔚碧 许聪义 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期490-495,共6页
研究了由鱿鱼顶骨提取的β-甲壳素和β-壳聚糖分别对 O-丙酰化 (非均相反应 )和 N-乙酰化 (均相反应 )的反应活性 ,并与 α-甲壳素 /壳聚糖进行了比较 .结果表明 ,β-甲壳素的反应活性比 α-甲壳素差 .β-甲壳素经水磨微纤化后 ,丙酰化... 研究了由鱿鱼顶骨提取的β-甲壳素和β-壳聚糖分别对 O-丙酰化 (非均相反应 )和 N-乙酰化 (均相反应 )的反应活性 ,并与 α-甲壳素 /壳聚糖进行了比较 .结果表明 ,β-甲壳素的反应活性比 α-甲壳素差 .β-甲壳素经水磨微纤化后 ,丙酰化反应活性虽然显著提高 ,但仍低于 α-甲壳素 .本文用偏光显微镜和电子显微镜首次观察到微纤化的 β-甲壳素中可以分辨出 4个层次的纤维状结构 ,它们分别是微纤束、微纤、细微纤和原纤 ,直径分别为 1 0 1 ,1 0 0 ,1 0 - 1 和 1 0 - 2 μm数量级 .由于暴露出各层次微纤上更多的自由羟基 。 展开更多
关键词 甲壳素 壳聚糖 β-甲壳素 化学反应活性 α-甲壳素 鱿鱼顶骨 结构
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钨的化学机械抛光过程中TiN-W电偶的腐蚀行为(英文)
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作者 程璇 林昌健 《电化学》 CAS CSCD 2001年第2期189-194,共6页
化学机械抛光 (CMP)技术是同时利用化学和机械作用来获得固体表面亚微米尺度上平整性非常有效的方法 ,从 90年代初期起已成为制备高质量镜头和镜面及集成电路制造过程中硅片表面预处理工艺中最常用的技术之一 .钨的化学机械抛光是用钨... 化学机械抛光 (CMP)技术是同时利用化学和机械作用来获得固体表面亚微米尺度上平整性非常有效的方法 ,从 90年代初期起已成为制备高质量镜头和镜面及集成电路制造过程中硅片表面预处理工艺中最常用的技术之一 .钨的化学机械抛光是用钨坯获得硅片球面平整度的重要工艺 .其过程实际上是先将钨沉积到硅上已有的薄粘附层 -氮化钛上 ,然后进行化学机械抛光 .当抛光阶段接近终了时 ,氮化钛和钨表面将同时暴露在化学抛光液中形成电偶对 ,并在界面上发生腐蚀行为 ,从而影响硅片的球面平整度 ,降低半导体器件的性能与可靠性 .本文通过采用电化学直流极化技术 ,分别获得钨与氮化钛在 0 .0 1mol/LKNO3溶液中或含有三种典型的研磨剂 (H2 O2 ,KIO3,Fe(NO3) 3)溶液中的极化曲线 ,同时设计了一种特殊的电解槽以测量钨和氮化钛之间相互作用的电流 ,初步研究了 patterned硅片上钨和氮化钛界面形成电偶对时的腐蚀行为 .根据所测的钨和氮化钛电位可知 ,当钨和氮化钛表面同时暴露在抛光液中时将形成电偶对 ,氮化钛成为阴极 ,钨为阳极 ,并于界面发生电化学反应 ,表面的不均匀腐蚀将造成硅片平整度的降低 .结果表明 ,当溶液中含有H2 O2 时钨和氮化钛界面的腐蚀速度最大 ,而当溶液中含有Fe(NO3) 3时的钨和氮化钛界面则几乎不发? 展开更多
关键词 化学机械抛光 电化腐蚀 球面平整度 氮化钛
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用表面技术研究壳聚糖及其衍生物的胆甾液晶织构
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作者 董炎明 吴玉松 +2 位作者 袁清 阮永红 王勉 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期85-87,共3页
[1] Thomas, E. L. and Wood, B. A., Faraday Discuss. Chem. Soc., 1985, 79:229[2] Wood, B. A. and Thomas, E. L., Nature, 1986, 324:665[3] Hudson, S. D., Thomas, E. L. And Lenz, R. W., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1987... [1] Thomas, E. L. and Wood, B. A., Faraday Discuss. Chem. Soc., 1985, 79:229[2] Wood, B. A. and Thomas, E. L., Nature, 1986, 324:665[3] Hudson, S. D., Thomas, E. L. And Lenz, R. W., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1987, 153:63[4] Chen, S., Cai, L., Wu, Y., Jin Y., Zhang, S., Qing Z., Song, W. And Qian R., Kexue Tongbao, 1992, (14): 1284[5] Ford, J. R., Bassett, D. C. and Mitchell, R., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1990, 180B:233[6] Chen, S., Jin, Y., Hu, S. and Xu, M., Polym. Comms., 1987, (28): 209[7] Windle, A. H., Dong, Y., Lemmon, T. J. and Spontak, R. J., in Frontiers of Macromolecular Science, Ed. by Saeguas, T., Higashimura T., Abe, A., IUPAC, Blackwell, London, 1989:343[8] Tsutsui, T. and Tauaka, T., J. Polym. Sci., Polym. Lett. Ed., 1977, 15:475[9] Nishio, Y.,Yamane, T. and Takahashi, T., J. Polym.Sci., Polym. Phys. Ed., 1985, 23:1043[10] Nishio, Y., Yamane, T. and Takahashi, T., J. Polym. Sci., Polym. Phys. Ed., 1985,23:1043[11]Huang, Y., Loos, J., Yang, Y. Q. and Petermann, T., J. Polym. Sci., Polym. Phys. Ed., 1998, 36:439[12]Huang, Y., Yang, Y. Q. and Petermann, T., Polymer, 1998, 39(22):5031[13]Olley, R. H., and Bassett, D. C., Polymer, 1988, 27:344[14]Binnig, G., Quate, C. F. and Gerber, Ch., Phys. Rev. Leu., 1986, 展开更多
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DM FC中甲醇渗透的电化学研究(英文)
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作者 游梦迪 程璇 +1 位作者 刘连 张璐 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期148-153,共6页
设计并建立甲醇渗透测试体系和模拟直接甲醇燃料电池(DMFC)运行体系,分别考察静态条件下H-cell中甲醇的渗透和运行条件下甲醇渗透对OCV的影响.循环伏安和计时电流法测试表明:随着渗透时间的延长,阴极侧的甲醇浓度增加;甲醇浓度增加,氧... 设计并建立甲醇渗透测试体系和模拟直接甲醇燃料电池(DMFC)运行体系,分别考察静态条件下H-cell中甲醇的渗透和运行条件下甲醇渗透对OCV的影响.循环伏安和计时电流法测试表明:随着渗透时间的延长,阴极侧的甲醇浓度增加;甲醇浓度增加,氧化峰电流增大,峰电位正移,氢在电极表面的吸脱附受到抑制,同时甲醇的正向氧化电流曲线出现肩峰.模拟DMFC实验测试结果表明:OCV先逐渐上升,接着发生突降,大约1.5 h后趋于稳定. 展开更多
关键词 甲醇渗透 甲醇氧化 循环伏安 计时电流
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用FTIR测定羧酰化壳聚糖和氰乙基壳聚糖的取代度 被引量:11
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作者 董炎明 梅雪峰 +3 位作者 袁清 吴玉松 王勉 阮永红 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期44-49,共6页
从壳聚糖 (脱乙酰度分别为 84%和 70 % )合成不同取代度的羧酰化壳聚糖和氰乙基壳聚糖作为标样 ,标样的取代度 (DS)由NMR或元素分析确定 .研究以FTIR作为工具测定这两个系列衍生物的取代度的方法 .吸光度用基线法得到 ,对所有不同探针谱... 从壳聚糖 (脱乙酰度分别为 84%和 70 % )合成不同取代度的羧酰化壳聚糖和氰乙基壳聚糖作为标样 ,标样的取代度 (DS)由NMR或元素分析确定 .研究以FTIR作为工具测定这两个系列衍生物的取代度的方法 .吸光度用基线法得到 ,对所有不同探针谱带 ,参比谱带和基线作图法的组合进行比较 ,并通过 (A探针/A参比) /DS的平均相对偏差评价每种组合的优劣 .结果表明 ,对羧酰化壳聚糖 ,最合适的A探针/A参比 是A174 0 /A152 7;对氰乙基壳聚糖 ,最合适的A探针/A参比 是A2 2 4 9/A1590 .前者不仅适用于不同取代度的同一种O 羧酰化壳聚糖 (如丙酰化壳聚糖 )而且适用于不同取代度且不同碳数的 4个O 脂肪酸羧酰基取代的壳聚糖样品 .这两种组合的工作曲线的斜率分别为 2 .1(对A174 0BL1/A152 7BL1) ,0 .5 9(对A2 2 4 9/A1590BL1)和 0 .6 6 (对A2 2 4 9/A1590BL2 ) .实验还表明 。 展开更多
关键词 羧酰化壳聚糖 氰乙基壳聚糖 富立叶红外光谱 取代度 定量分析 吸光度 相对偏差
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N-烷基壳聚糖的合成及其溶致液晶行为 被引量:8
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作者 吴玉松 李珺 +2 位作者 黄剑莹 陈羚 董炎明 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1049-1052,共4页
合成了一系列具有不同取代基甲基、乙基、丙基、丁基的壳聚糖衍生物——N烷基壳聚糖,通过控制反应物摩尔比获得了一系列不同取代度的产物.不同取代基及不同取代度的衍生物均具有溶致液晶性,考察了同一碳链不同取代度和相近取代度不同... 合成了一系列具有不同取代基甲基、乙基、丙基、丁基的壳聚糖衍生物——N烷基壳聚糖,通过控制反应物摩尔比获得了一系列不同取代度的产物.不同取代基及不同取代度的衍生物均具有溶致液晶性,考察了同一碳链不同取代度和相近取代度不同碳链长度的衍生物对其液晶临界行为的影响.结果表明:同一碳链长度时,取代度对临界浓度的影响不大;而当取代度相近时,随着碳链长度增加,临界浓度也随之增大.此结果与Onsager和Flory的刚性棒理论相符.粉末X射线衍射实验进一步证实了这一结果. 展开更多
关键词 壳聚糖 N-烷基壳聚糖 溶致液晶 烷基化 X射线电子能谱 临界行为 粉末X射线衍射 合成
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N-烷基壳聚糖玻璃化转变温度的研究 被引量:5
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作者 董炎明 阮永红 +3 位作者 赵雅青 毕丹霞 杨柳林 葛强 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1307-1310,共4页
采用差示扫描量热(DSC)法和热释电流(TSC)法研究了N-烷基壳聚糖的玻璃化转变行为.DSC法中采用二次扫描以消除溶剂和热历史的影响,并利用物理老化方法来增强N-烷基壳聚糖在DSC曲线上的玻璃化转变区域的热焓吸热峰,以克服DSC法的不灵敏性... 采用差示扫描量热(DSC)法和热释电流(TSC)法研究了N-烷基壳聚糖的玻璃化转变行为.DSC法中采用二次扫描以消除溶剂和热历史的影响,并利用物理老化方法来增强N-烷基壳聚糖在DSC曲线上的玻璃化转变区域的热焓吸热峰,以克服DSC法的不灵敏性.两种研究方法的结果一致表明,三种N-烷基壳聚糖的玻璃化转变均发生在110~150℃温区内;取代的柔性烷基越大,玻璃化转变温度(Tg)越低;但N-甲基壳聚糖例外,其Tg略高于壳聚糖,空间阻碍在这里起决定的作用. 展开更多
关键词 壳聚糖 N-烷基壳聚糖 玻璃化转变温度 物理老化 DSC TSC
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邻苯二甲酰化壳聚糖的合成与溶致液晶表征 被引量:8
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作者 董炎明 吴玉松 王勉 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第7期636-639,共4页
从全脱乙酰化壳聚糖出发,在室温下合成了一系列不同取代度的邻苯二甲酰化壳聚糖(PhCS),由于反应条件温和,产物未发生进一步的酰亚胺化.X射线电子能谱(XPS)被用来测定PhCS的取代度.测定结果表明在N上和O上均发生取代,N上反应的取代度随... 从全脱乙酰化壳聚糖出发,在室温下合成了一系列不同取代度的邻苯二甲酰化壳聚糖(PhCS),由于反应条件温和,产物未发生进一步的酰亚胺化.X射线电子能谱(XPS)被用来测定PhCS的取代度.测定结果表明在N上和O上均发生取代,N上反应的取代度随酸酐用量的增加基本保持不变(0.26±0.03),而O上的取代度却不断变大(0.01~1.54),合成产物的总取代度为0.26~1.81.邻苯二甲酰化壳聚糖可溶解于普通的有机溶剂,如DMSO、二氯乙酸和甲酸,并形成溶致液晶.测定了PhCS在这些溶剂中的临界浓度(c),结果表明c基本上不受取代度变化的影响. 展开更多
关键词 合成 邻苯二甲酰化壳聚糖 溶致液晶 临界浓度 X射线电子能谱 取代度 临界行为
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壳聚糖溶致液晶临界浓度的脱乙酰度依赖性
10
作者 董炎明 许聪义 +2 位作者 汪剑炜 王勉 阮永红 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期90-91,共2页
  壳聚糖是甲壳素的脱乙酰化产物。从另一个角度,甲壳素也可以看成壳聚糖的乙酰化产物。脱乙酰度(DD)或乙酰度(DA)是壳聚糖的重要结构指标,也是影响其溶致液晶性的重要因素之一。Terboievich等[1]比较了DD=58%和85%两种壳聚糖的...   壳聚糖是甲壳素的脱乙酰化产物。从另一个角度,甲壳素也可以看成壳聚糖的乙酰化产物。脱乙酰度(DD)或乙酰度(DA)是壳聚糖的重要结构指标,也是影响其溶致液晶性的重要因素之一。Terboievich等[1]比较了DD=58%和85%两种壳聚糖的构象持续长度,发现差别很小。胡钟鸣等[2]研究了DD=71~89%壳聚糖在二氯乙酸的临界浓度,结果都是10~11wt%。这些研究的DA范围都较有限。本文通过制备100%脱乙酰的壳聚糖,再用乙酸酐在室温反应,通过控制摩尔比和反应时间制取了DD=1~100%的十个壳聚糖样品,从而得以研究几乎全DD范围的壳聚糖的液晶临界行为。  DD通过元素分析测定,结果与红外光谱的吸光度比A1560/A2880相联系(见图1)。图1 可用作FTIR法测定壳聚糖脱乙酰度的工作曲线。…… 展开更多
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壳聚糖溶致液晶临界浓度的分子量依赖性
11
作者 董炎明 丘蔚碧 +1 位作者 吴玉松 阮永红 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期88-89,共2页
  脱乙酰度及分子量是影响壳聚糖溶致液晶性的两个重要因素。以往的工作研究的分子量都较大(105以上)[1~3],而本文旨在研究较低的分子量一侧分子量对壳聚糖液晶临界性质的影响。这一侧正是临界浓度值变化较大的区域。为此,采用HNO...   脱乙酰度及分子量是影响壳聚糖溶致液晶性的两个重要因素。以往的工作研究的分子量都较大(105以上)[1~3],而本文旨在研究较低的分子量一侧分子量对壳聚糖液晶临界性质的影响。这一侧正是临界浓度值变化较大的区域。为此,采用HNO2降解法[4,5]控制反应时间制备了不同分子量的壳聚糖(结构参数见表1),其分子量范围为1×104~58×104。从表1可见,经降解后的产物脱乙酰度并无明显变化(按文献[6]方法用红外吸收比A1550/A2878计算),从而可在脱乙酰度相同的条件下研究分子量对其液晶临界性质的影响。…… 展开更多
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邻苯二甲酰化壳聚糖中酰胺酸取代度对液晶性的影响
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作者 王勉 董炎明 +1 位作者 吴玉松 阮永红 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期94-95,共2页
  N-邻苯二甲酰化壳聚糖的合成早已引起人们的重视,因为它是一个很好的中间体,可溶于普通有机溶剂,而且由它可以进一步进行选择性定量化学修饰而制备高分子药物,具生物相容性的人造组织等可设计生物材料。{1} Kurita等{2}从脱乙...   N-邻苯二甲酰化壳聚糖的合成早已引起人们的重视,因为它是一个很好的中间体,可溶于普通有机溶剂,而且由它可以进一步进行选择性定量化学修饰而制备高分子药物,具生物相容性的人造组织等可设计生物材料。{1} Kurita等{2}从脱乙酰度为50%的水溶性壳聚糖制备了全N-邻苯二甲酰化壳聚糖,产物溶解性大为改善,能溶于DMF,DMAc,DMSO和吡啶等有机溶剂。Rout等{3-5}首先研究了N-邻苯二甲酰化壳聚糖的液晶性,报道了在DMSO中形成液晶有序的临界浓度为21~27wt%。并观察到在剪切时形成条带织构。由于壳聚糖的-NH2基上有两个氢,当它与二酸酐反应时可能会发生酰胺化或酰亚胺化两种结果。本文研究的是这一竞争反应给产物的液晶性所带来的重要影响。…… 展开更多
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摩尔醚化度对两类羟烷基化壳聚糖液晶临界性质的影响
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作者 吴玉松 董炎明 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期92-93,共2页
  如同羟丙基纤维素一样,羟烷基化壳聚糖是无论理论或应用都非常重要的壳聚糖衍生物。本文合成了两个系列具有不同摩尔醚化度(DME)的壳聚糖衍生物,即羟丙基壳聚糖(HPCS)系列和羟乙基壳聚糖(HECS)系列。所有合成产物均可在甲酸(FA)...   如同羟丙基纤维素一样,羟烷基化壳聚糖是无论理论或应用都非常重要的壳聚糖衍生物。本文合成了两个系列具有不同摩尔醚化度(DME)的壳聚糖衍生物,即羟丙基壳聚糖(HPCS)系列和羟乙基壳聚糖(HECS)系列。所有合成产物均可在甲酸(FA)或二氯乙酸中(DCA)形成溶致液晶相。   从结构上讲,羟烷基化壳聚糖是一种复杂而又独特的大分子(如图1所示)。首先,原料壳聚糖C3和C6羟基甚至N上均可发生取代;其次,产物羟烷基壳聚糖的侧链保留了同样数目的羟基,还可继续醚化,类似于对壳聚糖进行接枝。正由于这种独特的结构特点,可以综合取代度和侧基长度两个结构因素而同时考察其对液晶临界性质的变化规律,结果示于图2。…… 展开更多
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