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题名快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质
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作者
路长宝
刘冠洲
李成
赖虹凯
陈松岩
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机构
厦门大学半导体光子学研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期201-205,共5页
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基金
国家重大研究计划项目(2012CB933503)
国家自然基金(61036003
+2 种基金
61176092
60837001)
中央高校基础业务费项目(2010121056)
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文摘
超薄氧化锗对钝化Ge MOSFET器件中高介电常数栅介质与Ge界面具有重要的意义。通过研究400～550℃下快速热氧化锗制备氧化锗的过程及其性质,发现在一定温度下较短的氧化时间内,氧化锗的厚度随氧化时间的增加呈明显的两段线性关系。在开始阶段,氧化锗具有高的生长速率;当氧化锗厚度达到一定值(与温度相关)时,氧化速率变慢,与Deal-Grove氧化模型中的线性生长速率基本一致。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明氧化锗中存在不同价态的Ge,且随着氧化时间的增加,氧化锗的氧化程度逐渐提高。在550℃下氧化180 s形成的氧化锗用于Ge-MOS结构,C-V特性表明在禁带中央处获得了较小的界面态密度,达到1.7×1012 cm-2eV-1。
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关键词
锗
初始氧化
氧化速率
界面态
X射线光电子能谱
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Keywords
germanium
initial oxidation
oxidation rate
interface state
X-ray photoelectron spectroscopy
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分类号
O484.4
[理学—固体物理]
TN305.5
[电子电信—物理电子学]
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