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电阻热蒸发与磁控溅射对制备二维银纳米阵列的影响 被引量:1
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作者 李昌伟 张春婧 孔令琦 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期67-69,共3页
利用纳米球刻蚀法制备二维银纳米阵列的过程中,不同的物理气相沉积方法得到的银纳米阵列结构形貌不同。其中电阻热蒸发沉积得到完整三角形状的二维银纳米阵列,而磁控溅射沉积得到蜂窝状银纳米阵列。同时在沉积过程中通过改变金属粒子沉... 利用纳米球刻蚀法制备二维银纳米阵列的过程中,不同的物理气相沉积方法得到的银纳米阵列结构形貌不同。其中电阻热蒸发沉积得到完整三角形状的二维银纳米阵列,而磁控溅射沉积得到蜂窝状银纳米阵列。同时在沉积过程中通过改变金属粒子沉积方向也可获得结构不同的银纳米阵列,其中将基片固定,使蒸发源垂直沉积时制备出的二维银纳米阵列更加致密、完整。最后吸收光谱验证了采用电阻热蒸发垂直沉积时得到结构完整且面积较大的银纳米阵列,以上研究为二维银纳米阵列的应用提供了条件。 展开更多
关键词 纳米球刻蚀 电阻热蒸发 磁控溅射 沉积方向 吸收光谱
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聚焦电子束辐照诱导单晶Si纳米线的选择性非晶化和新型同轴结构的形成
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作者 李锋 苏江滨 李论雄 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期79-82,共4页
使用改进的原位透射电镜观察技术研究了室温下单晶Si纳米线在聚焦电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现辐照区域内单晶Si纳米线外层会优先非晶化且局部径向膨胀,并随辐照剂量增加进一步形成新型3层包裹同轴结构等一系列有趣的变化。传... 使用改进的原位透射电镜观察技术研究了室温下单晶Si纳米线在聚焦电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现辐照区域内单晶Si纳米线外层会优先非晶化且局部径向膨胀,并随辐照剂量增加进一步形成新型3层包裹同轴结构等一系列有趣的变化。传统knock-on机制和电子束热效应并不能完全解释上述实验现象,然而利用最近提出的纳米曲率效应和电子束非热激活效应则能得到较好的解释。 展开更多
关键词 SI纳米线 选择性非晶化 同轴结构 能量束非热激活效应 纳米曲率效应
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