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电阻热蒸发与磁控溅射对制备二维银纳米阵列的影响
被引量:
1
1
作者
李昌伟
张春婧
孔令琦
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期67-69,共3页
利用纳米球刻蚀法制备二维银纳米阵列的过程中,不同的物理气相沉积方法得到的银纳米阵列结构形貌不同。其中电阻热蒸发沉积得到完整三角形状的二维银纳米阵列,而磁控溅射沉积得到蜂窝状银纳米阵列。同时在沉积过程中通过改变金属粒子沉...
利用纳米球刻蚀法制备二维银纳米阵列的过程中,不同的物理气相沉积方法得到的银纳米阵列结构形貌不同。其中电阻热蒸发沉积得到完整三角形状的二维银纳米阵列,而磁控溅射沉积得到蜂窝状银纳米阵列。同时在沉积过程中通过改变金属粒子沉积方向也可获得结构不同的银纳米阵列,其中将基片固定,使蒸发源垂直沉积时制备出的二维银纳米阵列更加致密、完整。最后吸收光谱验证了采用电阻热蒸发垂直沉积时得到结构完整且面积较大的银纳米阵列,以上研究为二维银纳米阵列的应用提供了条件。
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关键词
纳米球刻蚀
电阻热蒸发
磁控溅射
沉积方向
吸收光谱
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职称材料
聚焦电子束辐照诱导单晶Si纳米线的选择性非晶化和新型同轴结构的形成
2
作者
李锋
苏江滨
李论雄
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期79-82,共4页
使用改进的原位透射电镜观察技术研究了室温下单晶Si纳米线在聚焦电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现辐照区域内单晶Si纳米线外层会优先非晶化且局部径向膨胀,并随辐照剂量增加进一步形成新型3层包裹同轴结构等一系列有趣的变化。传...
使用改进的原位透射电镜观察技术研究了室温下单晶Si纳米线在聚焦电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现辐照区域内单晶Si纳米线外层会优先非晶化且局部径向膨胀,并随辐照剂量增加进一步形成新型3层包裹同轴结构等一系列有趣的变化。传统knock-on机制和电子束热效应并不能完全解释上述实验现象,然而利用最近提出的纳米曲率效应和电子束非热激活效应则能得到较好的解释。
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关键词
SI纳米线
选择性非晶化
同轴结构
能量束非热激活效应
纳米曲率效应
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职称材料
题名
电阻热蒸发与磁控溅射对制备二维银纳米阵列的影响
被引量:
1
1
作者
李昌伟
张春婧
孔令琦
机构
厦门大学
材料
学院
厦门大学中国-澳大利亚功能纳米材料联合实验室
中航飞机股份有限公司汉中飞机分公司
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期67-69,共3页
基金
国家自然科学基金(11074207)
国家重点基础研究发展计划(2007CB936603)
+1 种基金
教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20100121110023)
国家科技计划国际科技合作与交流专项(2008DFA51230)
文摘
利用纳米球刻蚀法制备二维银纳米阵列的过程中,不同的物理气相沉积方法得到的银纳米阵列结构形貌不同。其中电阻热蒸发沉积得到完整三角形状的二维银纳米阵列,而磁控溅射沉积得到蜂窝状银纳米阵列。同时在沉积过程中通过改变金属粒子沉积方向也可获得结构不同的银纳米阵列,其中将基片固定,使蒸发源垂直沉积时制备出的二维银纳米阵列更加致密、完整。最后吸收光谱验证了采用电阻热蒸发垂直沉积时得到结构完整且面积较大的银纳米阵列,以上研究为二维银纳米阵列的应用提供了条件。
关键词
纳米球刻蚀
电阻热蒸发
磁控溅射
沉积方向
吸收光谱
Keywords
nanosphere lithography, resistance thermal evaporation, magnetron sputtering deposition, deposition direction, absorption spectrum
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
聚焦电子束辐照诱导单晶Si纳米线的选择性非晶化和新型同轴结构的形成
2
作者
李锋
苏江滨
李论雄
机构
厦门大学
材料
科学与工程系
厦门大学中国-澳大利亚功能纳米材料联合实验室
常州
大学
数理学院
厦门大学
化学系
华南师范
大学
实验
中心
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期79-82,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(11074207)
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB936603)
+1 种基金
教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20100121110023)
国家科技计划国际科技合作与交流专项资助项目(2008DFA51230)
文摘
使用改进的原位透射电镜观察技术研究了室温下单晶Si纳米线在聚焦电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现辐照区域内单晶Si纳米线外层会优先非晶化且局部径向膨胀,并随辐照剂量增加进一步形成新型3层包裹同轴结构等一系列有趣的变化。传统knock-on机制和电子束热效应并不能完全解释上述实验现象,然而利用最近提出的纳米曲率效应和电子束非热激活效应则能得到较好的解释。
关键词
SI纳米线
选择性非晶化
同轴结构
能量束非热激活效应
纳米曲率效应
Keywords
silicon nanowire
selective amorphization
coaxial structure
energetic beam-induced athermal activation effect
nanocurvature effect
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电阻热蒸发与磁控溅射对制备二维银纳米阵列的影响
李昌伟
张春婧
孔令琦
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
聚焦电子束辐照诱导单晶Si纳米线的选择性非晶化和新型同轴结构的形成
李锋
苏江滨
李论雄
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
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职称材料
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