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不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响被引量：4: 1; 作者张银桥蔡建九 +4 位作者张双翔张永林志园王向武陈开建《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期469-472,共4页; 采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导致表面形成纵横交错的Cross-hatch形貌;而采用低温大失配缓冲... 展开更多; 关键词砷化镓铟镓砷缓冲层弛豫特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究被引量：3: 2; 作者蔡建九单智发 +3 位作者张永陈凯轩林志伟王向武《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期241-247,共7页; 在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方... 展开更多; 关键词聚光光伏三结太阳电池隧穿电流串联电阻可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

Te掺杂对GaInP外延层材料特性的影响被引量：1: 3; 作者林志伟《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期63-66,共4页; 采用Aixtron 2600G3MOCVD设备外延生长了GaAs/GaInP材料,并结合金相显微镜、X射线衍射仪以及二次离子质谱仪系统地研究了掺杂源Te对GaInP外延层材料特性的影响。实验发现,Te会破坏GaInP外延层的表面形貌,在GaInP表面形成丘状结构及线条... 展开更多; 关键词碲镓铟磷掺杂金属有机化学气相外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有渐变式折射率分布布拉格反射层的发光二极管被引量：1: 4; 作者陈凯轩《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期355-358,共4页; 对具有渐变式折射率分布布拉格反射层(GRIN-DBR)的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层(C-DBR)的AlAs/Al0.45Ga0.55As的界面处插入5nm厚的折射率渐变层,可以使DBR的反射带宽从82nm增加到103nm。在20mA注入电流下,具... 展开更多; 关键词渐变式折射率分布布拉格反射层发光二极管金属有机化学气相外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响被引量：4: 1; 作者张银桥蔡建九张双翔张永林志园王向武陈开建; 机构厦门乾照光电股份有限公司上海空间电源研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期469-472,共4页; 文摘采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导致表面形成纵横交错的Cross-hatch形貌;而采用低温大失配缓冲层技术则主要通过在低温缓冲层中形成大量缺陷来充分释放应力,并在后续外延的In0.3Ga0.7As表面没有与失配位错相关的Cross-hatch形貌出现。此外,仅需50nm厚的低温大失配缓冲层即可促使In0.3Ga0.7As中的应力完全释放,这种超薄缓冲层技术在工业批产中显得更为经济。; 关键词砷化镓铟镓砷缓冲层弛豫特性; Keywords GaAs InGaAs buffer layer relaxation characteristics; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究被引量：3: 2; 作者蔡建九单智发张永陈凯轩林志伟王向武; 机构厦门乾照光电股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期241-247,共7页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA050512); 文摘在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方法。采用多异质结构隧穿结提高了隧穿电流,减小横向扩展电阻和栅线电阻降低了总的串联损耗。此外,通过分别提高GaInP顶电池和底电池禁带宽度、降低InGaAs中电池禁带宽度可进一步提高太阳电池的转换效率。最后探讨了高倍聚光太阳电池的可靠性测试标准。; 关键词聚光光伏三结太阳电池隧穿电流串联电阻可靠性; Keywords concentrating photovohaics （CPV） triple junction solar cell tunnel current seriesresistance reliability; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Te掺杂对GaInP外延层材料特性的影响被引量：1: 3; 作者林志伟; 机构厦门乾照光电股份有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期63-66,共4页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA050512); 文摘采用Aixtron 2600G3MOCVD设备外延生长了GaAs/GaInP材料,并结合金相显微镜、X射线衍射仪以及二次离子质谱仪系统地研究了掺杂源Te对GaInP外延层材料特性的影响。实验发现,Te会破坏GaInP外延层的表面形貌,在GaInP表面形成丘状结构及线条,且该丘状结构的尺寸随着GaInP厚度的增加而逐渐增大。在掺杂浓度较高时,Te会破坏GaInP的晶格,造成晶格膨胀。GaInP中Te的并入效率随着厚度的增加而增加,且掺杂浓度越高就越快趋于平稳。此外,Te在As化物中的并入效率大于在P化物中的并入效率。; 关键词碲镓铟磷掺杂金属有机化学气相外延; Keywords Te GalnP doping MOCVD; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有渐变式折射率分布布拉格反射层的发光二极管被引量：1: 4; 作者陈凯轩; 机构厦门乾照光电股份有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期355-358,共4页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A112); 文摘对具有渐变式折射率分布布拉格反射层(GRIN-DBR)的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层(C-DBR)的AlAs/Al0.45Ga0.55As的界面处插入5nm厚的折射率渐变层,可以使DBR的反射带宽从82nm增加到103nm。在20mA注入电流下,具有GRIN-DBR的发光二极管与具有C-DBR的发光二极管的正向电压没有明显区别,而其光通量比具有C-DBR的发光二极管高8%。; 关键词渐变式折射率分布布拉格反射层发光二极管金属有机化学气相外延; Keywords graded refractive index DBR LED MOVPE; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响	张银桥蔡建九张双翔张永林志园王向武陈开建	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究	蔡建九单智发张永陈凯轩林志伟王向武	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Te掺杂对GaInP外延层材料特性的影响	林志伟	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	具有渐变式折射率分布布拉格反射层的发光二极管	陈凯轩	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料