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GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响
1
作者
汪
洋
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期383-389,共7页
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一...
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一方面又会通过减少有效发光面积而降低发光效率,这一竞争机制共同影响具有V型缺陷结构的GaN-LED的发光效率.结果表明,尺寸为0.25mm×0.75mm的芯片在150mA驱动条件下,随着V型缺陷密度的增加,发光功率和外量子效率先上升后下降.对于最优化缺陷密度(4.2×10~8 cm^(-2))的样品,其发光功率和外量子效率分别为183.5mW和45.0%,较最小缺陷密度(1.7×10~8 cm^(-2))样品的发光功率172.2mW和外量子效率42.2%,均约提升6.6%.
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关键词
GAN
发光二极管
V型缺陷
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职称材料
高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究
被引量：
3
2
作者
蔡建九
单智发
+3 位作者
张永
陈凯轩
林志伟
王向武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期241-247,共7页
在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方...
在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方法。采用多异质结构隧穿结提高了隧穿电流,减小横向扩展电阻和栅线电阻降低了总的串联损耗。此外,通过分别提高GaInP顶电池和底电池禁带宽度、降低InGaAs中电池禁带宽度可进一步提高太阳电池的转换效率。最后探讨了高倍聚光太阳电池的可靠性测试标准。
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关键词
聚光光伏
三结太阳电池
隧穿电流
串联电阻
可靠性
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职称材料
题名
GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响
1
作者
汪
洋
机构
厦门
大学半导体
光电
材料及其高效转换器件协同创新中心
厦门乾照光电股份有限公司
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期383-389,共7页
文摘
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一方面又会通过减少有效发光面积而降低发光效率,这一竞争机制共同影响具有V型缺陷结构的GaN-LED的发光效率.结果表明,尺寸为0.25mm×0.75mm的芯片在150mA驱动条件下,随着V型缺陷密度的增加,发光功率和外量子效率先上升后下降.对于最优化缺陷密度(4.2×10~8 cm^(-2))的样品,其发光功率和外量子效率分别为183.5mW和45.0%,较最小缺陷密度(1.7×10~8 cm^(-2))样品的发光功率172.2mW和外量子效率42.2%,均约提升6.6%.
关键词
GAN
发光二极管
V型缺陷
Keywords
GaN
LED
V-defeet
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究
被引量：
3
2
作者
蔡建九
单智发
张永
陈凯轩
林志伟
王向武
机构
厦门乾照光电股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期241-247,共7页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA050512)
文摘
在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方法。采用多异质结构隧穿结提高了隧穿电流,减小横向扩展电阻和栅线电阻降低了总的串联损耗。此外,通过分别提高GaInP顶电池和底电池禁带宽度、降低InGaAs中电池禁带宽度可进一步提高太阳电池的转换效率。最后探讨了高倍聚光太阳电池的可靠性测试标准。
关键词
聚光光伏
三结太阳电池
隧穿电流
串联电阻
可靠性
Keywords
concentrating photovohaics （CPV）
triple junction solar cell
tunnel current
seriesresistance
reliability
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响
汪
洋
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
在线阅读
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职称材料
2
高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究
蔡建九
单智发
张永
陈凯轩
林志伟
王向武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
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