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通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
1
作者
张东皓
杨东锴
+2 位作者
徐畅
刘信佑
包立君
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期800-808,共9页
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN...
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN/AlN最后势垒层的样品中,有更多载流子可以传输到深层量子阱,空穴注入效率获得提升。本文对这一现象中的载流子运输机制以及V坑缺陷在其中所起的作用进行了研究,发现这种提升主要来自空穴V坑注入比例的增大。实验还发现,过大的V坑注入比例也会造成非辐射复合率上升,从而抑制了AlGaN最后势垒层样品的电光转换效率。
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关键词
发光二极管
最后势垒层
空穴注入
INGAN/GAN多量子阱
V坑
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职称材料
多结太阳电池减反射膜的优化
被引量：
2
2
作者
刘冠洲
毕京锋
+3 位作者
李明阳
杨美佳
李森林
陈文浚
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期323-327,共5页
基于多层膜的光学计算基本原理,模拟分析多结化合物太阳电池减反射膜的反射谱。模拟结果准确的反应了实际测量结果。以此为基础设计优化TiO_(x)/Al_(2)O_(3)/MgF_(2)三层减反射膜,在GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge三结太阳电池上实现了减反射...
基于多层膜的光学计算基本原理,模拟分析多结化合物太阳电池减反射膜的反射谱。模拟结果准确的反应了实际测量结果。以此为基础设计优化TiO_(x)/Al_(2)O_(3)/MgF_(2)三层减反射膜,在GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge三结太阳电池上实现了减反射膜对子电池响应电流的精确调节,并得到了子电池电流匹配的GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge太阳电池,短路电流密度相比制备减反射膜前提升35.84%。
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关键词
多结太阳电池
反射谱
减反射膜
模拟
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职称材料
GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响
被引量：
1
3
作者
蔡伟智
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期270-274,共5页
采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有...
采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为GaN-LED外延材料生长工艺的优化和改善提供依据,达到预测和提高器件可靠性的目的。
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关键词
发光二极管
金属有机气相外延
回摆曲线
缺陷
可靠性
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职称材料
题名
通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
1
作者
张东皓
杨东锴
徐畅
刘信佑
包立君
机构
厦门
大学电子科学与技术学院电子科学系
厦门三安光电有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期800-808,共9页
基金
国家自然科学基金(62071405)。
文摘
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN/AlN最后势垒层的样品中,有更多载流子可以传输到深层量子阱,空穴注入效率获得提升。本文对这一现象中的载流子运输机制以及V坑缺陷在其中所起的作用进行了研究,发现这种提升主要来自空穴V坑注入比例的增大。实验还发现,过大的V坑注入比例也会造成非辐射复合率上升,从而抑制了AlGaN最后势垒层样品的电光转换效率。
关键词
发光二极管
最后势垒层
空穴注入
INGAN/GAN多量子阱
V坑
Keywords
light-emitting diodes
last quantum barrier
hole injection
InGaN/GaN MQWs
V-pits
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多结太阳电池减反射膜的优化
被引量：
2
2
作者
刘冠洲
毕京锋
李明阳
杨美佳
李森林
陈文浚
机构
厦门
三
安
光电
科技
有限公司
厦门
大学物理与机电工程学院
天津
三
安
光电
有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期323-327,共5页
基金
国家高技术研究发展(863)计划(2012AA051402)
文摘
基于多层膜的光学计算基本原理,模拟分析多结化合物太阳电池减反射膜的反射谱。模拟结果准确的反应了实际测量结果。以此为基础设计优化TiO_(x)/Al_(2)O_(3)/MgF_(2)三层减反射膜,在GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge三结太阳电池上实现了减反射膜对子电池响应电流的精确调节,并得到了子电池电流匹配的GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge太阳电池,短路电流密度相比制备减反射膜前提升35.84%。
关键词
多结太阳电池
反射谱
减反射膜
模拟
Keywords
multi-junction solar cell
reflection spectrum
anti-reflection film
simulation
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响
被引量：
1
3
作者
蔡伟智
机构
厦门
三
安
光电
科技
有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期270-274,共5页
文摘
采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为GaN-LED外延材料生长工艺的优化和改善提供依据,达到预测和提高器件可靠性的目的。
关键词
发光二极管
金属有机气相外延
回摆曲线
缺陷
可靠性
Keywords
light emitting diode （LED）
MOCVD
rocking curves
defect
reliability
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
张东皓
杨东锴
徐畅
刘信佑
包立君
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
多结太阳电池减反射膜的优化
刘冠洲
毕京锋
李明阳
杨美佳
李森林
陈文浚
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响
蔡伟智
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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