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多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究
被引量：
3
1
作者
周国运
高卫东
+3 位作者
徐国定
薛清
陈兰莉
莫育俊
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期441-442,共2页
报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被N...
报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被Ni替换成SiNix 的结果。
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关键词
多孔硅
镍
钝化
光致发光谱
氯化镍
电解
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职称材料
氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光(英文)
被引量：
6
2
作者
周国运
黄远明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第10期1200-1204,共5页
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 .6～ 1 5nm范围内 ,并且在强激光辐照下观察了 nc-Si...
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 .6～ 1 5nm范围内 ,并且在强激光辐照下观察了 nc-Si在薄膜中的结晶和生长情况 .经退火所形成的 nc-Si可见光辐射较弱 ,不能检测到它们的光致发光 ( PL) ,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红 PL,并且钝化后的 nc-Si在空气中暴露一定的时间后 ,其辐射光波长产生了蓝移 .文中就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论 .
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关键词
纳米晶硅
光致发光
RAMAN散射
快速退火
氢化非晶硅薄膜
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职称材料
热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响
被引量：
6
3
作者
薛清
黄远明
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期461-466,共6页
含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时（～100℃/...
含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时（～100℃/s）,则所形成纳米硅粒较小（～1.6～15nm）;若单位时间内温度变化量较低（～1℃/s）,则纳米硅粒较大（～23～46nm）。根据分形生长理论和计算机模拟,我们讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.
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关键词
纳米硅
拉曼散射
快速热退火
X-射线衍射
非晶硅薄膜
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职称材料
题名
多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究
被引量：
3
1
作者
周国运
高卫东
徐国定
薛清
陈兰莉
莫育俊
机构
南阳理工学院材料研究中心
河南大学物理系
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期441-442,共2页
基金
河南省自然科学基金资助项目
文摘
报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被Ni替换成SiNix 的结果。
关键词
多孔硅
镍
钝化
光致发光谱
氯化镍
电解
Keywords
PS
Ni passivation
PL spectrum
分类号
TG178 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光(英文)
被引量：
6
2
作者
周国运
黄远明
机构
南阳理工学院材料研究中心
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第10期1200-1204,共5页
文摘
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 .6～ 1 5nm范围内 ,并且在强激光辐照下观察了 nc-Si在薄膜中的结晶和生长情况 .经退火所形成的 nc-Si可见光辐射较弱 ,不能检测到它们的光致发光 ( PL) ,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红 PL,并且钝化后的 nc-Si在空气中暴露一定的时间后 ,其辐射光波长产生了蓝移 .文中就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论 .
关键词
纳米晶硅
光致发光
RAMAN散射
快速退火
氢化非晶硅薄膜
Keywords
Nanocrystalline silicon
Photoluminescence
Raman scattering
Rapid thermal annealing
分类号
O484 [理学—固体物理]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响
被引量：
6
3
作者
薛清
黄远明
机构
南阳理工学院材料研究中心
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期461-466,共6页
文摘
含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时（～100℃/s）,则所形成纳米硅粒较小（～1.6～15nm）;若单位时间内温度变化量较低（～1℃/s）,则纳米硅粒较大（～23～46nm）。根据分形生长理论和计算机模拟,我们讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.
关键词
纳米硅
拉曼散射
快速热退火
X-射线衍射
非晶硅薄膜
Keywords
nano-crystalline silicon
Raman scattering
rapid thermal annealing
X-ray diffraction
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
D433 [政治法律—国际共产主义运动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究
周国运
高卫东
徐国定
薛清
陈兰莉
莫育俊
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光(英文)
周国运
黄远明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响
薛清
黄远明
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
6
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职称材料
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