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题名制造高性能恒流管的工艺研究
被引量：1
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作者
金仪骏
高巧云
陈浦云
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机构
南通晶体管厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期29-32,共4页
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文摘
一.引言 硅恒流管由于恒流范围大,输出电导低,无需偏置电源和使用方便等优点,广泛用于交直流放大器、稳压源、锯齿波发生器、脉冲宽度调制器、射极跟随器等等电子线路中。随着仪器仪表、自动控制、载波通讯、航天卫星等方面恒流管使用的范围日益增大,对恒流管的性能要求也不断地提高而苛刻。用户要求恒流管动态电阻r_d与击穿电压V_B尽可能大些,夹断时外加电压V_P与温度系数α_1(指绝对值)尽可能小些。由于半导体器件制造的国产化设备、工艺条件与检测手段、外延材料质量等与国外的先进水平有着一定距离,国内工业化批量生产的恒流管在上述四个参数要求方面与国外同类产品存在一定的差距(见表1)。
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关键词
硅
恒流管
工艺
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分类号
TN325.2
[电子电信—物理电子学]
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题名LPCVD-Si_3N_4在铝下钝化工艺中的应用
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作者
张崇玖
王亦钢
王明珍
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机构
南通晶体管厂
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出处
《半导体技术》
CAS
1987年第3期58-61,共4页
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文摘
由于Si3N4薄膜具有结构致密,介电强度高,介电常数大、化学性能稳定等优点,因此Si3N4薄膜在大规模集成电路制造工艺中具有很重要的用途,它在局部氧化工艺中作为场氧化掩膜,在高温下能掩蔽B、Al、As、O等杂质扩散,能有效地防止N+、K+等离子的沾污,更是它突出的优点。
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关键词
LPCVD-Si3N4
钝化工艺
钝化处理
刻蚀工艺
SI
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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题名双极MOS复合器件及其发展动向
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作者
臧觉民
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机构
南通晶体管厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期5-8,共4页
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文摘
微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关断能力;广泛使用的双极晶体管需较大的基极驱动电流;可关断晶闸管GTO能在比双极晶体管更大的电流密度下工作,但开关速度低且门极关断电流大;
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关键词
双极型
MOS
复合器件
发展
晶闸管
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分类号
TN34－1
[电子电信—物理电子学]
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题名pn结雪崩击穿噪声的特点及利用
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作者
沈福兴
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机构
南通晶体管厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期12-14,共3页
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文摘
一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10^(-5)V_B^0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内。
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关键词
PN结
击穿噪声
特点
晶体管
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分类号
TN320.1
[电子电信—物理电子学]
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