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单一杂质半导体中杂质电离状态判定
被引量：
1
1
作者
罗向东
戴兵
《南通职业大学学报》
2009年第1期64-67,96,共5页
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度...
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。
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关键词
杂质半导体
电中性条件
杂质电离
少子浓度
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职称材料
题名
单一杂质半导体中杂质电离状态判定
被引量：
1
1
作者
罗向东
戴兵
机构
南通大学省专用集成电路设计重点实验室
出处
《南通职业大学学报》
2009年第1期64-67,96,共5页
基金
江苏省高校自然科学重大基础研究项目(08KJA510002)
文摘
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。
关键词
杂质半导体
电中性条件
杂质电离
少子浓度
Keywords
doped semiconductor
charge neutrality
ionization of dopant
minority carrier concentration
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单一杂质半导体中杂质电离状态判定
罗向东
戴兵
《南通职业大学学报》
2009
1
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