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GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
1
作者
罗向东
徐仲英
+1 位作者
谭平恒
GE Wei-Kun
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期185-188,共4页
通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N...
通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解ⅢⅤN族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.
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关键词
GaNAs
激子局域化
光学性质
量子阱
半导体材料
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职称材料
题名
GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
1
作者
罗向东
徐仲英
谭平恒
GE Wei-Kun
机构
南通大学理学院江苏省光用集成电路设计重点实验室
中国科
学院
半导体研究所超晶格国家
重点
实验室
香港科技
大学
物理系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期185-188,共4页
基金
国家自然科学基金(10274081
10334040)
江苏省自然科学基金(BK2004403).
文摘
通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解ⅢⅤN族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.
关键词
GaNAs
激子局域化
光学性质
量子阱
半导体材料
Keywords
GaNAs
excitonic localization
optical properties
分类号
O471.3 [理学—半导体物理]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
罗向东
徐仲英
谭平恒
GE Wei-Kun
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
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